具有与周边电路的降低的磁耦合和高串联谐振频率的金属-氧化物-金属(mom)电容器制造技术

金属‑氧化物‑金属(MOM)型电容器包括配置成接收第一电压的第一端子，第一端子形成在第一介电层上；形成在第一介电层上的第一指状物集合，第一指状物集合经由在第二介电层上形成的导电迹线电耦合至第一端子；配置成接收第二电压的第二端子，第二端子形成在第一介电层上；以及形成在第一介电层上的第二指状物集合，第二指状物集合耦合至第二端子，其中第二指状物集合与第一指状物集合穿插。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】具有与周边电路的降低的磁耦合和高串联谐振频率的金属-氧化物-金属(mom)电容器相关申请的交叉引用本申请要求于2015年9月25日向美国专利商标局提交的非临时申请No.14/866,111的优先权和权益，其全部内容通过援引纳入于此。背景领域本公开的各方面一般涉及电容器，并且更具体地涉及具有与周边电路的降低的磁耦合和高串联谐振频率(SRF)的金属-氧化物-金属(MOM)型电容器。
技术介绍
集成电路(IC)被设计成具有更大的电路组件密度。一种此种组件是金属-氧化物-金属(MOM)电容器。通常，在IC中，出于各种目的，采用多个MOM电容器。例如，IC可采用耦合在电源轨与接地之间的多个MOM电容器。此类MOM电容器的一个目的是为了在耦合至电源轨的电路汲取相当量的电流时降低该电源轨的电压(例如，VDD)中的压降。存储电荷的MOM电容器向电源轨提供电荷以降低电源轨电压中的压降。MOM电容器通常包含用于耦合至第一电压电势的源(例如，电源轨)的第一端子和用于耦合至第二电压电势的源(例如，接地)的第二端子。第一和第二端子通常被置于介电层上。MOM电容器进一步包括也置于介电层上的第一分隔指状物集合(例如，金属化条带)。第一指状物集合电耦合至第一端子并且基本上朝第二端子平行延伸。MOM电容器进一步包括也置于介电层上的第二分隔指状物集合(例如，金属化条带)。第二指状物集合电耦合至第二端子并且基本上朝第一端子平行延伸。第二指状物集合分别被配置成使得它们中的至少一些指状物各自位于第一集合中的毗邻指状物之间。第一指状物集合中的指状物与第二指状物集合中的指状物之间的间隔足够小以在它们之间形成显著的电容耦合。当应用于第一端子的第一电压(例如，VDD)与应用于第二端子的第二电压(例如，接地)之差有变化时，沿第一和第二指状物集合生成电流。第一和第二指状物集合中的电流在相同方向上(例如，从第一端子朝第二端子，或者反过来)。如此，由指状物中的电流创建的电磁场相长地与由毗邻指状物中的电流创建的电磁场组合。这导致MOM电容器生成可影响相邻电路的显著的总电磁场。另外，如此，MOM电容器展现出高寄生电感，该高寄生电感导致MOM电容器具有固有的低串联谐振频率(SRF)。概述以下给出对一个或多个实施例的简化概述以提供对此类实施例的基本理解。此概述不是所有构想到的实施例的详尽综览，并且既非旨在标识所有实施例的关键性或决定性要素亦非试图界定任何或所有实施例的范围。其唯一的目的是要以简化形式给出一个或多个实施例的一些概念以作为稍后给出的更加具体的说明之序。本公开的一方面涉及一种装置，该装置包括电容器，该电容器包括置于第一介电层上的第一端子，其中第一端子电连接至第一电压电势的源；置于第一介电层上的第一指状物集合，其中第一指状物集合藉由置于第二介电层上的导电迹线电耦合至第一端子；置于第一介电层上的第二端子，其中第二电容器端子电连接至第二电压电势的源；以及置于第一介电层上的第二指状物集合，其中第二指状物集合电耦合至第二端子，其中第二指状物集合中的至少一些指状物各自位于第一指状物集合中的毗邻指状物对之间并且与之基本上平行地延伸。本公开的另一方面涉及一种方法，该方法包括将第一电压施加于电容器的第一端子，其中第一端子被置于第一介电层上；以及将第二电压施加于电容器的第二端子，其中第二端子被置于第一介电层上；其中该电容器包括置于第一介电层上的第一指状物集合，其中第一指状物集合藉由置于第二介电层上的导电迹线电耦合至第一端子；以及置于第一介电层上的第二指状物集合，其中第二指状物集合电耦合至第二端子，其中第二指状物集合中的至少一些指状物各自位于第一指状物集合中的毗邻指状物对之间并且与之基本上平行地延伸。本公开的另一方面涉及一种装备，该装备包括用于将第一电压施加于电容器的第一端子的装置，其中第一端子被置于第一介电层上；以及用于将第二电压施加于电容器的第二端子的装置，其中第二端子被置于第一介电层上；其中电容器包括置于第一介电层上的第一指状物集合，其中第一指状物集合藉由置于第二介电层上的导电迹线电耦合至第一端子；以及置于第一介电层上的第二指状物集合，其中第二指状物集合电耦合至第二端子，其中第二指状物集合中的至少一些指状物各自位于第一指状物集合中的毗邻指状物对之间并且与之基本上平行地延伸。为能达成前述及相关目的，这一个或多个实施例包括在下文中充分描述并在权利要求中特别指出的特征。以下说明和所附插图详细阐述了这一个或多个实施例的某些解说性方面。但是，这些方面仅仅是指示了可采用各个实施例的原理的各种方式中的若干种，并且所描述的实施例旨在涵盖所有此类方面及其等效方案。附图简述图1A解说了根据本公开的一方面的示例性金属-氧化物-金属(MOM)型电容器的俯视图。图1B解说了根据本公开的另一方面的具有覆盖电感器的图1A的MOM型电容器的侧向横截面图。图2解说了根据本公开的另一方面的另一示例性金属-氧化物-金属(MOM)型电容器的俯视图。图3A-3B解说了根据本公开的另一方面的另一示例性金属-氧化物-金属(MOM)型电容器的俯视图和侧向横截面图。图4解说了根据本公开的另一方面的示例性金属-氧化物-金属(MOM)型电容器的分开的层的俯视图。图5解说了根据本公开的另一方面的另一金属-氧化物-金属(MOM)型电容器的分开的层的俯视图。图6解说了根据本公开的另一方面的又一示例性金属-氧化物-金属(MOM)型电容器的分开的层的俯视图。图7解说了根据本公开的另一方面的再一示例性金属-氧化物-金属(MOM)型电容器的分开的层的俯视图。图8A-8B解说了根据本公开的另一方面的覆盖示例性金属-氧化物-金属(MOM)型电容器的示例性电感器的俯视图和侧向横截面图。图9解说了根据本公开的一方面的采用解耦合金属-氧化物-金属(MOM)型电容器的示例性集成电路(IC)的示意图。图10解说了根据本公开的另一方面的操作金属-氧化物-金属(MOM)型电容器的示例性方法的流程图。详细描述以下结合附图阐述的详细描述旨在作为各种配置的描述，而无意表示可实践本文中所描述的概念的仅有的配置。本详细描述包括具体细节以便提供对各种概念的透彻理解。然而，对于本领域技术人员将显而易见的是，没有这些具体细节也可实践这些概念。在一些实例中，以框图形式示出众所周知的结构和组件以避免湮没此类概念。图1A解说了根据本公开的一方面的示例性金属-氧化物-金属(MOM)型电容器100的俯视图。MOM电容器100包括第一端子110，第一端子110可被配置成用于电连接至第一电压电势(例如，VDD)的源。第一端子110可被配置为置于介电层(图1A中未示出)上的电导体(例如，经图案化的金属化层)。MOM电容器100进一步包括电耦合至第一端子110并以基本平行的方式从其延伸的第一分隔指状物集合112(例如，细长的导电条带)。第一指状物集合112也在介电层上形成。类似地，MOM电容器100包括第二端子120，第二端子120可被配置成用于电连接至第二电压电势(例如，接地)的源。第二端子120可被配置为置于介电层上的电导体(例如，经图案化的金属化层)。MOM电容器100进一步包括电耦合至第二端子120并以基本平行的方式从其延伸的第二分隔指状物集合122(例如，细长的导电条本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种装置，包括：电容器，包括：置于第一介电层上的第一端子，其中所述第一端子电连接至第一电压电势的源；置于所述第一介电层上的第一指状物集合，其中所述第一指状物集合藉由置于第二介电层上的导电迹线电耦合至所述第一端子；置于所述第一介电层上的第二端子，其中所述第二电容器端子电连接至第二电压电势的源；以及置于所述第一介电层上的第二指状物集合，其中所述第二指状物集合电耦合至所述第二端子，其中所述第二指状物集合中的至少一些指状物各自位于所述第一指状物集合中的毗邻指状物对之间并且与之基本上平行地延伸。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2015.09.25 US 14/866,1111.一种装置，包括：电容器，包括：置于第一介电层上的第一端子，其中所述第一端子电连接至第一电压电势的源；置于所述第一介电层上的第一指状物集合，其中所述第一指状物集合藉由置于第二介电层上的导电迹线电耦合至所述第一端子；置于所述第一介电层上的第二端子，其中所述第二电容器端子电连接至第二电压电势的源；以及置于所述第一介电层上的第二指状物集合，其中所述第二指状物集合电耦合至所述第二端子，其中所述第二指状物集合中的至少一些指状物各自位于所述第一指状物集合中的毗邻指状物对之间并且与之基本上平行地延伸。2.如权利要求1所述的装置，其特征在于，所述第一指状物集合和所述第二指状物集合被配置成使得响应于所述第一电压电势与所述第二电压电势之差的变化，沿所述第一指状物集合的电流流动与沿所述第二指状物集合的电流流动处于相反方向。3.如权利要求2所述的装置，其特征在于，所述电容器进一步包括：置于所述第一介电层上的第三指状物集合，其中所述第三指状物集合电耦合至所述第一端子；以及置于所述第一介电层上的第四指状物集合，其中所述第四指状物集合电耦合至所述第二端子，其中所述第四指状物集合中的至少一些指状物各自位于所述第三指状物集合中的毗邻指状物对之间并且与之基本上平行地延伸，并且其中响应于所述第一电压电势与所述第二电压电势之差的变化，所述第三指状物集合中的电流与所述第四指状物集合中的电流在同一方向上流动。4.如权利要求2所述的装置，其特征在于，所述电容器进一步包括：置于所述第二介电层上的第三指状物集合，其中所述第三指状物集合电耦合至所述第一端子；以及置于所述第二介电层上的第四指状物集合，其中所述第四指状物集合电耦合至所述第二端子，其中所述第四指状物集合中的至少一些指状物各自位于所述第三指状物集合中的毗邻指状物对之间并且与之基本上平行地延伸，并且其中响应于所述第一电压电势与所述第二电压电势之差的变化，所述第三指状物集合中的电流与所述第四指状物集合中的电流在同一方向上流动。5.如权利要求2所述的装置，其特征在于，所述电容器进一步包括：置于所述第二介电层上的第三指状物集合，其中所述第三指状物集合电耦合至所述第一端子；以及置于所述第二介电层上的第四指状物集合，其中所述第四指状物集合电耦合至所述第二端子，其中所述第四指状物集合中的至少一些指状物各自位于所述第三指状物集合中的毗邻指状物对之间并且与之基本上平行地延伸，并且其中响应于所述第一电压电势与所述第二电压电势之差的变化，所述第三指状物集合中的电流在与所述第四指状物集合中的电流流动相反的方向上流动。6.如权利要求1所述的装置，其特征在于，所述第一指状物集合和所述第二指状物集合被配置成使得响应于所述第一电压电势与所述第二电压电势之差的变化，沿所述第一指状物集合的电流流动与沿所述第二指状物集合的电流流动处于同一方向。7.如权利要求6所述的装置，其特征在于，响应于所述第一电压电势与所述第二电压电势之差的变化，沿置于所述第二介电层上的导电迹线的电流流动与沿所述第一指状物集合和所述第二指状物集合的电流流动处于相反方向。8.如权利要求6所述的装置，其特征在于，所述电容器进一步包括：置于所述第一介电层上的第三指状物集合，其中所述第三指状物集合电耦合至所述第一端子；以及置于所述第一介电层上的第四指状物集合，其中所述第四指状物集合电耦合至所述第二端子，其中所述第四指状物集合中的至少一些指状物各自位于所述第三指状物集合中的毗邻指状物对之间并且与之基本上平行地延伸；其中响应于所述第一电压电势与所述第二电压电势之差的变化，所述第三指状物集合中的电流与所述第四指状物集合中的电流在同一方向上流动；以及其中所述第一指状物集合和所述第二指状物集合中的电流流动与所述第三指状物集合和第四指状物集合中的电流流动处于相反方向。9.如权利要求6所述的装置，其特征在于，所述电容器进一步包括：置于第三介电层上的第三指状物集合，其中所述第三指状物集合电耦合至所述第一端子；以及置于所述第三介电层上的第四指状物集合，其中所述第四指状物集合电耦合至所述第二端子，其中所述第四指状物集合中的至少一些指状物各自位于所述第三指状物集合中的毗邻指状物对之间并且与之基本上平行地延伸；其中响应于所述第一电压电势与所述第二电压电势之差的变化，所述第三指状物集合中的电流与所述第四指状物集合中的电流在同一方向上流动；以及其中所述第一指状物集合和所述第二指状物集合中的电流流动与所述第三指状物集合和所述第四指状物集合中的电流流动处于同一方向或相反方向。10.如权利要求1所述的装置，其特征在于，进一步包括置于直接在所述电容器上方或下方的第三介电层上的电感器。11.一种方法，包括：将第一电压施加于电容器的第一端子，其中所述第一端子被置于第一介电层上；以及将第二电压施加于所述电容器的第二端子，其中所述第二端子被置于所述第一介电层上；所述电容器包括：置于所述第一介电层上的第一指状物集合，其中所述第一指状物集合藉由置于第二介电层上的导电迹线电耦合至所述第一端子；以及置于所述第一介电层上的第二指状物集合，其中所述第二指状物集合电耦合至所述第二端子，其中所述第二指状物集合中的至少一些指状物各自位于所述第一指状物集合中的毗邻指状物对之间并且与之基本上平行地延伸。12.如权利要求11所述的方法，其特征在于，进一步包括：改变所述第一电压与所述第二电压之差；以及响应于所述第一电压与所述第二电压之差的变化而在与所述第二指状物集合中的电流流动相反的方向上生成沿所述第一指状物集合的电流流动。13.如权利要求12所述的方法，其特征在于，所述电容器进一步包括：置于所述第一介电层上的第三指状物集合，其中所述第三指状物集合电耦合至所述第一端子；以及置于所述第一介电层上的第四指状物集合，其中所述第四指状物集合电耦合至所述第二端子，其中所述第四指状物集合中的至少一些指状物各自位于所述第三指状物集合中的毗邻指状物对之间并且与之基本上平行地延伸；以及进一步包括响应于所述第一电压与所述第二电压之差的变化而在与所述第四指状物集合中的电流流动相同的方向上生成所述第三指状物集合中的电流流动。14.如权利要求12所述的方法，其特征在于，所述电容器进一步包括：置于所述第二介电层上的第三指状物集合，其中所述第三指状物集合电耦合至所述第一端子；以及置于所述第二介电层上的第四指状物集合，其中所述第四指状物集合电耦合至所述第二端子，其中所述第四指状物集合中的至少一些指状物各自位于所述第三指状物集合中的毗邻指状物对之间并且与之基本上平行地延伸；以及进一步包括响应于所述第一电压与所述第二电压之差的变化而在与所述第四指状物集合中的电流流动相同的方向上生成所述第三指状物集合中的电流流动。15.如权利要求12所述的方法，其特征在于，所述电容器包括：置于所述第二介电层上的第三指状物集合，其中所述第三指状物集合电耦合至所述第一端子；以及置于所述第二介电层上的第四指状物集合，其中所述第四指状物集合电耦合至所述第二端子，其中所述第四指状物集合中的至少一些指状物各自位于所述第三指状物集合中的毗邻指状物对之间并且与之基本上平行地延伸；以及进一步包括响应于所述第一电压与所述第二...

【专利技术属性】
技术研发人员：Z·金，T·杨，TP·洪，M·法拉基安，
申请(专利权)人：高通股份有限公司，
类型：发明
国别省市：美国,US