具有与周边电路的降低的磁耦合和高串联谐振频率的金属-氧化物-金属(mom)电容器制造技术

金属‑氧化物‑金属(MOM)型电容器包括配置成接收第一电压的第一端子，第一端子形成在第一介电层上；形成在第一介电层上的第一指状物集合，第一指状物集合经由在第二介电层上形成的导电迹线电耦合至第一端子；配置成接收第二电压的第二端子，第二端子形成在第一介电层上；以及形成在第一介电层上的第二指状物集合，第二指状物集合耦合至第二端子，其中第二指状物集合与第一指状物集合穿插。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】具有与周边电路的降低的磁耦合和高串联谐振频率的金属-氧化物-金属(mom)电容器相关申请的交叉引用本申请要求于2015年9月25日向美国专利商标局提交的非临时申请No.14/866,111的优先权和权益，其全部内容通过援引纳入于此。背景领域本公开的各方面一般涉及电容器，并且更具体地涉及具有与周边电路的降低的磁耦合和高串联谐振频率(SRF)的金属-氧化物-金属(MOM)型电容器。
技术介绍
集成电路(IC)被设计成具有更大的电路组件密度。一种此种组件是金属-氧化物-金属(MOM)电容器。通常，在IC中，出于各种目的，采用多个MOM电容器。例如，IC可采用耦合在电源轨与接地之间的多个MOM电容器。此类MOM电容器的一个目的是为了在耦合至电源轨的电路汲取相当量的电流时降低该电源轨的电压(例如，VDD)中的压降。存储电荷的MOM电容器向电源轨提供电荷以降低电源轨电压中的压降。MOM电容器通常包含用于耦合至第一电压电势的源(例如，电源轨)的第一端子和用于耦合至第二电压电势的源(例如，接地)的第二端子。第一和第二端子通常被置于介电层上。MOM电容器进一步包括也置于介电层上的第一分隔指状物集合(例如，金本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种装置，包括：电容器，包括：置于第一介电层上的第一端子，其中所述第一端子电连接至第一电压电势的源；置于所述第一介电层上的第一指状物集合，其中所述第一指状物集合藉由置于第二介电层上的导电迹线电耦合至所述第一端子；置于所述第一介电层上的第二端子，其中所述第二电容器端子电连接至第二电压电势的源；以及置于所述第一介电层上的第二指状物集合，其中所述第二指状物集合电耦合至所述第二端子，其中所述第二指状物集合中的至少一些指状物各自位于所述第一指状物集合中的毗邻指状物对之间并且与之基本上平行地延伸。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2015.09.25 US 14/866,1111.一种装置，包括：电容器，包括：置于第一介电层上的第一端子，其中所述第一端子电连接至第一电压电势的源；置于所述第一介电层上的第一指状物集合，其中所述第一指状物集合藉由置于第二介电层上的导电迹线电耦合至所述第一端子；置于所述第一介电层上的第二端子，其中所述第二电容器端子电连接至第二电压电势的源；以及置于所述第一介电层上的第二指状物集合，其中所述第二指状物集合电耦合至所述第二端子，其中所述第二指状物集合中的至少一些指状物各自位于所述第一指状物集合中的毗邻指状物对之间并且与之基本上平行地延伸。2.如权利要求1所述的装置，其特征在于，所述第一指状物集合和所述第二指状物集合被配置成使得响应于所述第一电压电势与所述第二电压电势之差的变化，沿所述第一指状物集合的电流流动与沿所述第二指状物集合的电流流动处于相反方向。3.如权利要求2所述的装置，其特征在于，所述电容器进一步包括：置于所述第一介电层上的第三指状物集合，其中所述第三指状物集合电耦合至所述第一端子；以及置于所述第一介电层上的第四指状物集合，其中所述第四指状物集合电耦合至所述第二端子，其中所述第四指状物集合中的至少一些指状物各自位于所述第三指状物集合中的毗邻指状物对之间并且与之基本上平行地延伸，并且其中响应于所述第一电压电势与所述第二电压电势之差的变化，所述第三指状物集合中的电流与所述第四指状物集合中的电流在同一方向上流动。4.如权利要求2所述的装置，其特征在于，所述电容器进一步包括：置于所述第二介电层上的第三指状物集合，其中所述第三指状物集合电耦合至所述第一端子；以及置于所述第二介电层上的第四指状物集合，其中所述第四指状物集合电耦合至所述第二端子，其中所述第四指状物集合中的至少一些指状物各自位于所述第三指状物集合中的毗邻指状物对之间并且与之基本上平行地延伸，并且其中响应于所述第一电压电势与所述第二电压电势之差的变化，所述第三指状物集合中的电流与所述第四指状物集合中的电流在同一方向上流动。5.如权利要求2所述的装置，其特征在于，所述电容器进一步包括：置于所述第二介电层上的第三指状物集合，其中所述第三指状物集合电耦合至所述第一端子；以及置于所述第二介电层上的第四指状物集合，其中所述第四指状物集合电耦合至所述第二端子，其中所述第四指状物集合中的至少一些指状物各自位于所述第三指状物集合中的毗邻指状物对之间并且与之基本上平行地延伸，并且其中响应于所述第一电压电势与所述第二电压电势之差的变化，所述第三指状物集合中的电流在与所述第四指状物集合中的电流流动相反的方向上流动。6.如权利要求1所述的装置，其特征在于，所述第一指状物集合和所述第二指状物集合被配置成使得响应于所述第一电压电势与所述第二电压电势之差的变化，沿所述第一指状物集合的电流流动与沿所述第二指状物集合的电流流动处于同一方向。7.如权利要求6所述的装置，其特征在于，响应于所述第一电压电势与所述第二电压电势之差的变化，沿置于所述第二介电层上的导电迹线的电流流动与沿所述第一指状物集合和所述第二指状物集合的电流流动处于相反方向。8.如权利要求6所述的装置，其特征在于，所述电容器进一步包括：置于所述第一介电层上的第三指状物集合，其中所述第三指状物集合电耦合至所述第一端子；以及置于所述第一介电层上的第四指状物集合，其中所述第四指状物集合电耦合至所述第二端子，其中所述第四指状物集合中的至少一些指状物各自位于所述第三指状物集合中的毗邻指状物对之间并且与之基本上平行地延伸；其中响应于所述第一电压电势与所述第二电压电势之差的变化，所述第三指状物集合中的电流与所述第四指状物集合中的电流在同一方向上流动；以及其中所述第一指状物集合和所述第二指状物集合中的电流流动与所述第三指状物集合和第四指状物集合中的电流流动处于相反方向。9.如权利要求6所述的装置，其特征在于，所述电容器进一步包括：置于第三介电层上的第三指状物集合，其中所述第三指状物集合电耦合至所述第一端子；以及置于所述第三介电层上的第四指状物集合，其中所述第四指状物集合电耦合至所述第二端子，其中所述第四指状物集合中的至少一些指状物各自位于所述第三指状物集合中的毗邻指状物对之间并且与之基本上平行地延伸；其中响应于所述第一电压电势与所述第二电压电势之差的变化，所述第三指状物集合中的电流与所述第四指状物集合中的电流在同一方向上流动；以及其中所述第一指状物集合和所述第二指状物集合中的电流流动与所述第三指状物集合和所述第四指状物集合中的电流流动处于同一方向或相反方向。10.如权利要求1所述的装置，其特征在于，进一步包括置于直接在所述电容器上方或下方的第三介电层上的电感器。11.一种方法，包括：将第一电压施加于电容器的第一端子，其中所述第一端子被置于第一介电层上；以及将第二电压施加于所述电容器的第二端子，其中所述第二端子被置于所述第一介电层上；所述电容器包括：置于所述第一介电层上的第一指状物集合，其中所述第一指状物集合藉由置于第二介电层上的导电迹线电耦合至所述第一端子；以及置于所述第一介电层上的第二指状物集合，其中所述第二指状物集合电耦合至所述第二端子，其中所述第二指状物集合中的至少一些指状物各自位于所述第一指状物集合中的毗邻指状物对之间并且与之基本上平行地延伸。12.如权利要求11所述的方法，其特征在于，进一步包括：改变所述第一电压与所述第二电压之差；以及响应于所述第一电压与所述第二电压之差的变化而在与所述第二指状物集合中的电流流动相反的方向上生成沿所述第一指状物集合的电流流动。13.如权利要求12所述的方法，其特征在于，所述电容器进一步包括：置于所述第一介电层上的第三指状物集合，其中所述第三指状物集合电耦合至所述第一端子；以及置于所述第一介电层上的第四指状物集合，其中所述第四指状物集合电耦合至所述第二端子，其中所述第四指状物集合中的至少一些指状物各自位于所述第三指状物集合中的毗邻指状物对之间并且与之基本上平行地延伸；以及进一步包括响应于所述第一电压与所述第二电压之差的变化而在与所述第四指状物集合中的电流流动相同的方向上生成所述第三指状物集合中的电流流动。14.如权利要求12所述的方法，其特征在于，所述电容器进一步包括：置于所述第二介电层上的第三指状物集合，其中所述第三指状物集合电耦合至所述第一端子；以及置于所述第二介电层上的第四指状物集合，其中所述第四指状物集合电耦合至所述第二端子，其中所述第四指状物集合中的至少一些指状物各自位于所述第三指状物集合中的毗邻指状物对之间并且与之基本上平行地延伸；以及进一步包括响应于所述第一电压与所述第二电压之差的变化而在与所述第四指状物集合中的电流流动相同的方向上生成所述第三指状物集合中的电流流动。15.如权利要求12所述的方法，其特征在于，所述电容器包括：置于所述第二介电层上的第三指状物集合，其中所述第三指状物集合电耦合至所述第一端子；以及置于所述第二介电层上的第四指状物集合，其中所述第四指状物集合电耦合至所述第二端子，其中所述第四指状物集合中的至少一些指状物各自位于所述第三指状物集合中的毗邻指状物对之间并且与之基本上平行地延伸；以及进一步包括响应于所述第一电压与所述第二...

【专利技术属性】
技术研发人员：Z·金，T·杨，TP·洪，M·法拉基安，
申请(专利权)人：高通股份有限公司，
类型：发明
国别省市：美国,US