利用空气间隔分离导电结构的半导体器件及其制造方法技术

一种半导体器件包括基板、导电图案(例如，接触插塞)以及第一导电线和第二导电线(例如，位线)，该导电图案在基板的有源区上并具有在导电图案的相反的第一侧和第二侧上的相应的第一侧壁和第二侧壁，该第一导电线和第二导电线在基板上并在导电图案的第一侧和第二侧中的相应侧上且通过不对称的第一空气间隔和第二空气间隔与相应的第一侧壁和第二侧壁分离。

【技术实现步骤摘要】
利用空气间隔分离导电结构的半导体器件及其制造方法本申请是申请日为2013年9月13日且专利技术名称为“利用空气间隔分离导电结构的半导体器件及其制造方法”的中国专利技术专利申请201310416373.2的分案申请。
本专利技术构思涉及半导体器件及其制造方法，更具体地，涉及具有彼此紧密相邻地设置的导电结构的半导体器件及其制造方法。
技术介绍
随着半导体器件的集成密度的增加，半导体器件的设计规则已经减小。在高缩放的半导体器件中，多个互连线与夹置在其间的多个接触插塞之间的距离已经逐渐减小。因此，在相邻导电图案之间的负载电容会增加，由此使操作速度或刷新特性变差。因此，期待能够解决上述问题的半导体器件。
技术实现思路
本专利技术主题的一些实施方式提供一种半导体器件，包括基板、导电图案(例如，接触插塞)以及第一导电线和第二导电线(例如，位线)，该导电图案在基板的有源区上并具有在导电图案的相反的第一侧和第二侧上的相应的第一侧壁和第二侧壁，该第一导电线和第二导电线在基板上并在导电图案的第一侧和第二侧中的相应侧上且通过不对称的第一空气间隔和第二空气间隔与相应的第一侧壁和第二侧壁分离。在一些实施方式中，第一本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体器件，包括：基板，具有多个有源区；在所述基板上的第一导电线，所述第一导电线连接到所述多个有源区当中的第一有源区；第一导电插塞，连接到所述多个有源区当中的第二有源区，所述第二有源区相邻于所述第一有源区的一侧设置；第二导电插塞，连接到所述多个有源区当中的第三有源区，所述第三有源区相邻于所述第一有源区的另一侧设置；第一空气间隔，在所述第一导电线和所述第一导电插塞之间，所述第一空气间隔具有第一宽度；第二空气间隔，在所述第一导电线和所述第二导电插塞之间，所述第二空气间隔具有不同于所述第一宽度的第二宽度；以及着陆焊盘，连接到所述第一导电插塞，所述着陆焊盘覆盖所述第一空气间隔。

【技术特征摘要】
2012.09.14 KR 10-2012-01022691.一种半导体器件，包括：基板，具有多个有源区；在所述基板上的第一导电线，所述第一导电线连接到所述多个有源区当中的第一有源区；第一导电插塞，连接到所述多个有源区当中的第二有源区，所述第二有源区相邻于所述第一有源区的一侧设置；第二导电插塞，连接到所述多个有源区当中的第三有源区，所述第三有源区相邻于所述第一有源区的另一侧设置；第一空气间隔，在所述第一导电线和所述第一导电插塞之间，所述第一空气间隔具有第一宽度；第二空气间隔，在所述第一导电线和所述第二导电插塞之间，所述第二空气间隔具有不同于所述第一宽度的第二宽度；以及着陆焊盘，连接到所述第一导电插塞，所述着陆焊盘覆盖所述第一空气间隔。2.如权利要求1所述的器件，其中所述第二有源区具有面对所述第一导电线的第一侧的第一凹入上部拐角，所述第一导电插塞通过所述第一凹入上部拐角连接到所述第二有源区。3.如权利要求1所述的器件，其中所述第三有源区具有面对所述第一导电线的第二侧的第二凹入上部拐角，所述第二导电插塞通过所述第二凹入上部拐角连接到所述第三有源区。4.如权利要求1所述的器件，还包括：在所述第一导电插塞和所述第一空气间隔之间的第一绝缘膜；在所述第一空气间隔和所述第一导电线之间的第二绝缘膜；在所述第一导电线和所述第二空气间隔之间的第三绝缘膜；以及在所述第二空气间隔和所述第二导电插塞之间的第四绝缘膜。5.如权利要求4所述的器件，还包括：所述第一绝缘层的高度不同于所述第四绝缘膜的高度，所述第二绝缘膜的高度不同于所述第三绝缘膜的高度。6.如权利要求1所述的器件，其中所述第一导电线包括延伸到所述基板中以接触所述第一有源区的接触。7.如权利要求1所述的器件，其中所述第一导电插塞包括延伸到所述基板中的第一下部分，所述第一下部分接触所述第二有源区，以及其中所述第二导电插塞包括延伸到所述基板中的第二下部分，所述第二下部分接触所述第三有源区。8.如权利要求7所述的器件，还包括限定所述多个有源区的隔离区，其中所述第一导电插塞的所述第一下部分接触在所述第一有源区和所述第二有源区之间的所述隔离区，以及其中所述第二导电插塞的所述第二下部分接触在所述第一有源区和所述第三有源区之间的所述隔离区。9.如权利要求8所述的器件，还包括：在所述第一空气间隔和所述隔离区之间的第一绝缘图案；以及在所述第二空气间隔和所述隔离区之间的第二绝缘图案，其中所述第一导电插塞接触所述第一绝缘图案，以及其中所述第二导电插塞接触所述第二绝缘图案。10.如权利要求1所述的器件，还包括：限定所述多个有源区的隔离区；在所述基板上的第二导电线，所述第二导电线面对所述第一导电线并且所述第二导电插塞夹置在所述第一导电线和所述第二导电线之间；以及夹置在第二导电线和所述隔离区的局部隔离区之间的绝缘图案，所述局部隔离区具有接触所述第三有源区的侧壁。11.如权利要求1所述的器件，其中所述第一导电线的顶表面延伸低于所述第一空气间隔的第一顶部的第一水平并且低于所述第二空气间隔的第二顶部的第二水平。12.如权利要求11所述的器件，还包括限定所述第二空气间隔的所述第二顶部的盖层。13.如权利要求1所述的器件，其中所述着陆焊盘与所述第二空气间隔垂直地未对准从而没有覆盖所述第二空气间隔的至少一部分。14.如权利要求1所述的器件，其中所述第一宽度大于所述第二宽度。15.一种半导体器件，包括：基板，具有彼此间隔开的第一有源区、第二有源区和第三有源区，所述第一有源区夹置在...

【专利技术属性】
技术研发人员：孙洛辰，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：韩国,KR