玻璃上无源器件（POG）装置和方法制造方法及图纸

一种装置包括玻璃衬底和电容器。电容器包括耦合至第一电极的第一金属，电介质结构，以及包括电容器的第二电极的通孔结构。第一金属结构由电介质结构与通孔结构分离。

Passive device (POG) device and method on glass

A device consists of a glass substrate and a capacitor. The capacitor includes a first metal coupled to the first electrode, a dielectric structure, and a through-hole structure including a second electrode of the capacitor. The first metal structure is separated by a dielectric structure and a through-hole structure.

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】玻璃上无源器件(POG)装置和方法优先权的要求本申请要求享有共同所有的2015年9月14日提交的美国非临时专利申请No.14/853,701的优先权，该申请的内容在此通过全文引用的方式整体并入本文。
本公开总体涉及一种玻璃上无源器件(POG)装置。
技术介绍
射频(RF)滤波器可以包括集成无源器件(IPD)，诸如玻璃上无源器件(POG)装置(例如电容器和/或电感器)。常规的电容器可以使用具有作为IPD制造工艺的一部分的6个掩模步骤的工艺而形成。IPD制造工艺中使用的每个掩模增加了工艺循环时间、复杂性以及形成IPD的成本。
技术实现思路
在一个特定方面中，一种装置包括玻璃衬底和电容器。电容器包括：包括第一电极的第一金属结构、电介质结构、以及包括第二电极的通孔结构。第一金属结构由电介质结构与通孔结构分离。在另一特定方面中，一种方法包括在玻璃衬底上形成无源器件的第一金属结构并沉积第一电介质材料。方法进一步包括平坦化第一电介质材料以形成第一电介质层并在第一电介质层中形成空腔以暴露无源器件的电介质结构的表面。电介质结构位于第一金属结构上。方法也包括在电介质结构上形成无源器件的第二金属结构。在另一特本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种装置，包括：玻璃衬底；以及电容器，耦合至所述玻璃衬底，所述电容器包括：第一金属结构，对应于第一电极；电介质结构；以及通孔结构，包括第二电极，所述第一金属结构由所述电介质结构与所述通孔结构分离。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2015.09.14 US 14/853,7011.一种装置，包括：玻璃衬底；以及电容器，耦合至所述玻璃衬底，所述电容器包括：第一金属结构，对应于第一电极；电介质结构；以及通孔结构，包括第二电极，所述第一金属结构由所述电介质结构与所述通孔结构分离。2.根据权利要求1所述的装置，其中，所述第一金属结构对应于金属1(M1)层，以及其中所述通孔结构对应于通孔1(V1)层。3.根据权利要求2所述的装置，其中，所述通孔结构物理耦合至金属2(M2)层，以及其中所述通孔结构位于所述金属1(M1)层与所述金属2(M2)层之间。4.根据权利要求1所述的装置，其中，所述第一金属结构和所述通孔结构包括铜，以及其中所述电介质结构包括五氧化钽(Ta2O5)、氮化硅(SiN)、二氧化硅(SiO2)、氮氧化硅(SiON)、氧化铝(Al2O5)、或其组合。5.根据权利要求1所述的装置，进一步包括种子层，所述种子层位于所述电介质结构与所述通孔结构之间。6.根据权利要求1所述的装置，进一步包括电介质层，所述电介质层与所述电介质结构不同，其中所述电介质层与所述电介质结构以及所述通孔结构接触。7.根据权利要求1所述的装置，进一步包括电感器，所述电感器耦合至所述玻璃衬底，所述电感器包括：第二金属结构，所述第二金属结构包括所述电感器的下置通道；第二通孔结构，耦合至所述第二金属结构；以及第三金属结构，所述第三金属结构包括所述电感器的绕组，所述第二通孔结构位于所述第二金属结构与所述第三金属结构之间。8.根据权利要求7所述的装置，其中，所述第二金属结构对应于金属1(M1)层，其中所述第二通孔结构对应于通孔1(V1)层，以及其中所述第三金属结构对应于金属2(M2)层。9.一种形成无源器件的方法，所述方法包括：形成无源器件的第一金属结构；在玻璃衬底上沉积第一电介质材料；平坦化所述第一电介质材料以形成第一电介质层；在所述第一电介质层中形成空腔以暴露所述无源器件的电介质结构的表面，所述电介质结构位于所述第一金属结构上；以及在所述电介质结构上形成所述无源器件的第二金属结构。10.根据权利要求9所述的方法，其中，所述无源器件包括玻璃上无源器件(POG)装置。11.根据权利要求9所述的方法，其中，所述无源器件包括金属-绝缘体-金属(MIM)电容器。12.根据权利要求9所述的方法，其中，所述第一金属结构被形成在所述玻璃衬底的表面上。13.根据权利要求9所述的方法，其中，所述第一金属结构对应于电容器的第一极板。14.根据权利要求9所述的方法，进一步包括，在所述第一金属结构之上形成所述电介质结构。15.根据权利要求9所述的方法，进一步包括，在形成所述第二金属结构之后，刻蚀种子材料以形成种子层，所述种子层位于所述第二金属结构和所述电介质结构之间。16.根据权利要求9所述的方法，其中，所述无源器件包括位于所述第二金属结构和所述电介质结构之间的单个种子层。17.根据权利要求9所述的方法...

【专利技术属性】
技术研发人员：JH·J·兰，N·S·穆达卡特，C·H·芸，D·D·金，左丞杰，D·F·伯迪，M·F·维勒兹，金钟海，
申请(专利权)人：高通股份有限公司，
类型：发明
国别省市：美国,US