一种除去沉积在化学气相沉积反应器反应室内的不须要的碳产物的方法技术

沉积碳膜后清理化学气相反应器内部。当结晶的碳或象金刚石的碳在反应室内形成时，在反应室内有不需要的沉积物。利用氧气或氧化合物气体而不是利用对反应器内部有损坏作用的氟或氟化合物气体，通过侵蚀，将粘性的碳沉积除去。（*该技术在2008年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种通过化学气相沉积反应器在基片上完成沉积碳膜后，除去该反应器反应室内壁上的碳沉积的侵蚀方法，所述方法的步骤是：抽空所述的反应室；向所述的反应室通入作为侵蚀气体的氧气或氧化合物气体，和向所述的反应室通入电磁能，以产生从所述的侵蚀 气体中衍生出的等离子气。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：山崎舜平，
申请(专利权)人：株式会社半导体能源研究所，
类型：发明
国别省市：JP[日本]