一种有机酸型粗化液制造技术

本发明专利技术公开了一种有机酸型粗化液，其组分包括有机酸，其特征在于：其组分包括杂质离子掩蔽剂，含量百分比为０．１～３．０％。本发明专利技术与现有技术对比的有益效果是：本发明专利技术的有机酸型粗化液采用杂质离子掩蔽剂，可以有效解决粗化液容易受到诸如锡、铁杂质离子的干扰问题。减少了在用于印刷线路板的铜表面处理过程中更换粗化液的次数，延长了粗化液的使用寿命。具有抗杂质离子污染能力强、工艺宽容度大，以及便于使用的优点，而且在相同的较低蚀铜量情况下，铜表面粗化程度比较高，可以明显增强其表面与其他镀层或聚合物的结合力，确保贴膜及电镀或化学镀处理的质量。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及金属材料的化学法蚀刻用组合物，尤其是涉及一种有机酸 型粗化液。
技术介绍
粗化液是印刷线路板专用的导电金属表面微蚀用药剂，又称微蚀液.可 以使导电金属表面氧化物得到彻底清除，并将导电金属表面适度粗化，以 增加其表面的比表面积，继而增强其表面与其他镀层或聚合物的结合力， 保证贴膜及电镀处理的质量。现有粗化液包括过氧化物型和有机酸型，有机酸型的粗化液如中国专利技术专利CN1629357A公开的一种含有非离子型基 团的高分子化合物的铜或铜合金的表面粗化剂，其包含有铜的化合物、有 机酸、无机酸和以该粗化剂重量计百分比为0.01~20.00%的非离子型高分 子化合物，它们的粗化效果良好，使导电金属表面产生足以与阻焊剂等产 生优异密合性的粗糙表面，达到适合结合的状态。但是，有机酸型粗化液 容易受到诸如锡、铁等杂质离子的干扰，使用寿命比较短，更换比较频繁。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题是弥补上述现有技术的不足，提出一种有 机酸型粗化液。本专利技术的技术问题采用以下技术方案予以解决 这种有机酸型粗化液，其组分包括有机酸。 这种有机酸型粗化液的特点是其组分包括杂质离子掩蔽剂，含量百分比为0.1~3.0%。用于掩蔽诸如 锡、铁等杂质离子，避免它们干扰粗化液，从而延长粗化液的使用寿命， 不必在使用过程中频繁更换粗化液。本专利技术的的技术问题采用以下进一步的技术方案予以解决 所述杂质离子掩蔽剂是羟基羧酸盐类化合物。所述羟基羧酸盐类化合物是羟基乙酸盐、酒石酸盐或柠檬酸盐。 所述有机酸是C1 C6脂肪族有机酸甲酸、乙酸、丙酸、丁酸、戊酸、己酸中的至少一种，含量百分比为5.0 30.0%。用于提供腐蚀金属所需要 的氢离子和形成缓冲溶液体系，使蚀刻溶液的pH值保持相对稳定。其组分还包括络合剂，含量百分比为0.5~5.0%。用于与铜离子或亚铜 离子络合形成络合物，参与腐蚀反应，并保持蚀刻溶液的稳定。 所述络合剂是无机胺类化合物。 优选的无机胺类化合物是氢氧化铵。 所述络合剂是有机胺类化合物。 优选的有机胺类化合物是乙二胺。其组分还包括二水合氯化铜3.0~5.0%;在粗化液中无铜离子时，微蚀 速度很慢，当铜含量达到15克/升，折合二水合氯化铜约4.0%时，微蚀速 度趋于稳定。其组分还包括氯化钠、氯化钾或氯化铵，含量百分比为1.0~20.0%。 用于控制蚀刻速度，提高蚀刻效率。本专利技术的的技术问题采用以下更进一步的技术方案予以解决-这种有机酸型粗化液，其组分与含量百分比如下有机酸5.0 30.0%; 杂质离子掩蔽剂0.1 3.0%; 络合剂 0.5 5.0%; 二水合氯化铜 3.0 5.0%;氯化钠、氯化钾或氯化铵 1.0 16.0%; 水其余。本专利技术与现有技术对比的有益效果是本专利技术的有机酸型粗化液采用杂质离子掩蔽剂，可以有效解决粗化液 容易受到诸如锡、铁杂质离子的干扰问题。减少了在用于印刷线路板的铜 表面处理过程中更换粗化液的次数，延长了粗化液的使用寿命。具有抗杂 质离子污染能力强、工艺宽容度大，以及便于使用的优点，而且在相同的 较低蚀铜量情况下，铜表面粗化程度比较高，可以明显增强其表面与其他 镀层或聚合物的结合力，确保贴膜及电镀或化学镀处理的质量。具体实施例方式下面将结合具体实施方式对本专利技术作进一步说明。具体实施方式一第一种有机酸型粗化液，其组分与含量百分比如下 甲酸 17.5%; 羟基乙酸盐1.5%;乙二胺 2.8%;氯化铜4.0%; 氯化钠 10.0%; 水 64.2%。在用于印刷线路板的铜表面处理过程中，先选择机械磨板或清洗剂清 洁铜表面，去除铜表面的氧化物、手指印等，再通过水洗去除残留的磨料 或清洗剂，即可采用浸入或喷淋方式将本具体实施方式一的有机酸型粗化 液对铜表面进行粗化处理。粗化过程中产生的副产物采用稀盐酸水溶液清 洗去除。分别对三组锡、铁杂质离子含量不同的粗化液进行铜表面粗化实验，实验l、 2、 3的数据和铜表面粗化情况见表1。具体实施方式二第二种有机酸型粗化液，其组分与含量百分比如下-乙酸 20.0%; 拧檬酸盐1.5%; 乙二胺3.0%;氯化铜4.0%; 氯化钾 16.0%;水 55.5%。具体实施方式二的使用方法与具体实施方式一相同。 分别对三组锡、铁杂质离子含量不同的粗化液进行铜表面粗化实验，实验4、 5、 6的数据和铜表面粗化情况见表1。具体实施方式三第三种有机酸型粗化液，其组分与含量百分比如下丙酸25.0%;酒石酸盐0.1%;氢氧化铵0.5°/。；氯化铜 4.0%;氯化铵 10.0%;水 60.4%。具体实施方式三的使用方法与具体实施方式一相同。 分别对三组锡、铁杂质离子含量不同的粗化液进行铜表面粗化实验，5实验7、 8、 9的数据和铜表面粗化情况见表1。对照实施方式是一种未采用杂质离子掩蔽剂的有机酸型粗化液，其组分与含量百分比如下 甲酸 17.5%; 乙二胺2.8%; 氯化铜4.0%; 氯化钠 10.0%;水 65.7%。也分别对三组锡、铁杂质离子含量不同的粗化液进行铜表面粗化实验，实验IO、 11、 12的数据和铜表面粗化情况见表1。表1项目实验杂质离子浓度铜表面粗化情况序号锡铁具体实施方式100粗化状况良好230ppm0粗化状况与实验1相近似3050ppm粗化状况与实验1相近似具体实施方式400粗化状况良好30ppm0粗化状况与实验4相近似6050ppm粗化状况与实验4相近似具体实施方式700粗化状况良好830ppm0粗化状况与实验7相近似9050ppm粗化状况与实验7相近似1000粗化状况良好对照实施方式1130ppm0粗化状况与实验10相比显著下降12050ppm粗化状况与实验10相比下降表l的对比结果表明本专利技术的有机酸型粗化液采用杂质离子掩蔽剂 可以有效解决粗化液容易受到诸如锡、铁杂质离子的干扰问题。减少了在 用于印刷线路板的铜表面处理过程中更换粗化液的次数，延长了粗化液的 使用寿命。具有抗杂质离子污染能力强、工艺宽容度大，以及便于使用的 优点，而且在相同的较低蚀铜量情况下，铜表面粗化程度比较高，可以明显增强其表面与其他镀层或聚合物的结合力，确保贴膜及电镀或化学镀处 理的质量。以上内容是结合具体的优选实施方式对本专利技术所作的进一步详细说 明，不能认定本专利技术的具体实施只局限于这些说明。对于本专利技术所属技术 领域的普通技术人员来说，在不脱离本专利技术/专利技术构思的前提下做出若干等 同替代或明显变型，而且性能或用途相同，则应当视为属于本专利技术由所提 交的权利要求书确定的保护范围。权利要求1. 一种有机酸型粗化液，其组分包括有机酸，其特征在于其组分包括杂质离子掩蔽剂，含量百分比为0.1～3.0％。2. 如权利要求1所述的有机酸型粗化液，其特征在于所述杂质离子掩蔽剂是羟基羧酸盐类化合物。3. 如权利要求1或2所述的有机酸型粗化液，其特征在于所述羟基羧酸盐类化合物是羟基乙酸盐、酒石酸盐或柠檬酸盐。4.,如权利要求3所述的有机酸型粗化液，其特征在于所述有机酸是C1 C6脂肪族有机酸甲酸、乙酸、丙酸、丁酸、戊酸、己酸中的至少一种，含量百分比为5.0~30.0%。5. 如权利要求4所述的有机酸型粗化液，其特征在于其组分还包括络合剂，含量百分比为0.5 5.0%。6. 如权利要求5所述的有机酸型粗化液，其本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种有机酸型粗化液，其组分包括有机酸，其特征在于：　其组分包括杂质离子掩蔽剂，含量百分比为０．１～３．０％。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：黄志齐，黄京华，郝意，
申请(专利权)人：深圳市板明科技有限公司，
类型：发明
国别省市：94[中国|深圳]