用于放置在PECVD腔中的背板的夹钳机械装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术描述的实施例涉及用于放置在增强等离子体化学汽相淀积腔中的背板的夹钳机械装置，包括固定连接到腔盖内部的上夹钳部分，以及与上夹钳部分和背板滑动接触的下夹钳部分，其中下夹钳部分包括放置在穿过该下夹钳部分和该腔盖的至少一个连接件，包含调节部件的至少一个连接件，以及其中该调节部件的旋转引起水平移动和对该背板的压力。（*该技术在2017年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

用于放置在PECVD腔中的背板的夹钳机械装置
本专利技术实施例主要涉及在大面积衬底上的电子器件制造中使用的设备以 及相关腔硬件，并且更具体地，涉及在平板显示器和/或太阳电池阵列制造中 使用的增强等离子体化学汽相淀积(PECVD)腔中设置的用于背板的夹钳机 械装置。
技术介绍
PECVD是通过激发工艺气体至等离子状态，用以在衬底上淀积材料的方 法。在处理腔中，可提供工艺气体至喷头，该喷头放置在密封处理空间之内放 置的温度控制衬底支撑装置之上。衬底支撑大面积衬底并且在该衬底上分离该 处理气体以淀积材料形成电子器件，例如薄膜晶体管(TFT's)、有机发光二极 管(OLED's)以及用在太阳能电池制造中的光电池。可提供负压至处理空间 并且通过热能量、真空、射频(RF)功率以及它们的结合，分离工艺气体以 形成等离子体。处理腔的上部包括喷头和相关的硬件，例如与盖装置连接的背板。盖装置 通常包括封面和处理气体入口，并且封面支持细微(remote)等离子单元。典 型地，背板设置在喷头上并且设定为便于支持喷头。通常，背板的周界适合密 封盖装置以形成处理空间的上边界。典型地，密封层包括提供中空密封并且又 可促进电绝缘的聚合物或合成橡胶。典型地，传统夹钳装置用于将背板压紧到 密封层上。典型地，传统夹钳装置设置在盖装置中，需要拆卸盖装置的一部分 以使员工接近。传统夹钳装置提供初始压力以在背板和盖装置之间形成初始真空密封。该 初始真空密封由传统夹钳装置促进，并且该真空密封由应用至背板的真空辅 助，该真空对背板提供额外的压力力。随着时间的过去，传统夹钳装置会变松， 但是在不调整传统夹钳装置的情况下，初始真空密封会经历许多真空应用或处理周期。然而，随着时间的过去，初始真空会被破坏并且传统夹钳装置需要调 整以恢复密封。在一种情况下，包括背板和传统夹钳装置的盖装置，为了进入 内在部分为了清洁和维护目的，需要不时地移动，其破坏了初始密封。当再次 装配时，背板不会如前放置以密封例如，密封表面不对准或彼此不紧密接触。 在另--个例子中，循环的真空应用和/或膨胀的/收縮的移动引起背板相对于密 封表面移动，随着时间的过去，这将导致真空密封失效。同样的，当真空密封被破坏时，需要进行夹钳的调整。由于传统的夹钳放 置在盖装置中，至少需要移动部分盖装置以接近夹钳。盖装置的拆卸和移动导 致工具长时间的的停工期，影响生产量。如同已经表述的，在本
需要改良的夹钳装置，以有效的促进PECVD腔中背板的真空密封同时易于接近以进行调整。
技术实现思路
本技术所要解决的技术问题在于提供一种用于放置在PECVD腔中的 背板的夹钳机械装置，克服传统的夹钳装置的缺陷。传统的夹钳装置提供初始 压力以在背板和盖装置之间形成初始真空密封。但是，传统的夹钳装置随着时 间的过去会变松。为了进入内在部分进行清洁，覆盖该传统夹钳装置的盖装置 需要被移开，这破坏了初始密封且因此需调整该夹钳装置以恢复密封。由于这 些传统夹钳分布在盖装置内部，盖装置的拆卸和移动导致腔室长时间的停工 期，并由此影响生产量。在一个实施例中，本专利技术包括用于设置在等离子腔中的背板的夹钳装置， 该夹钳装置包括固定连接到腔盖内部的上部夹钳部分，与上部夹钳部分以及背 板滑动接触的下部夹钳部分，其中下部夹钳部分包括至少一个通过下部夹钳部 分和腔盖设置的结合件，至少一个包含可调节部分的结合件，并且其中可调节 部分的旋转引起水平的移动和对背板的压力。本技术的夹钳装置为腔室中的背板提供一个经改良的密封，而不需拆 卸该腔室的部分以进行夹钳装置调整。因此，使用本技术的夹钳装置减少 了停工期并增加了腔室的生产量。附图说明因此可详细理解本专利技术的上述引用特征的方式，可通过参考实施例得到以 上概述的专利技术的更详细的描述，其中一些在附图中示出。值得注意的是，然而， 附图仅是图示本专利技术的典型的实施例，并且因此不认为限于它的范围，因此发 明容许其它等效实施例。图1图示了 PECVD腔示意性的横截面视图；图2是依照本专利技术实施例的夹钳装置图；图3图示了依照本专利技术实施例的夹钳装置横截面视图。为便于理解，尽可能使用相同的参考数字来指示图中共有的相同元件。可 以预期，实施例中公开的元件可有利于用于其它实施例，不需要详细表述。具体实施方式图1是来自AKT，应用材料公司，Santa Clara, California的一个部门的等 离子增强化学气相淀积系统的一个实施例的示意性横截面视图。系统通常包括 连接到气体源104的处理腔100。处理腔100具有壁106，背板101，和底部 108，它们部分的定义了处理空间112。典型的通过壁106中的端口进入处理 空间112，这方便了大面积衬底140移动进出处理腔100。衬底140由玻璃、 聚合体或在其上能够形成电子装置的其他材料形成，并且典型的包括2.2平方 米或更大的表面面积。壁106和底部108典型的由单一的铝块或与处理兼容的 其它材料模块制造。壁106支撑盖装置110，该盖装置110包括盖封面105， 背板101以及大量的适应于提供压力到背板101的夹钳装置102。温度控制衬底支撑装置138居中设置在处理腔100中。衬底支撑装置138 在处理中支撑大面积衬底140。在一个实施例中，衬底支撑装置138包含铝主 体124，该铝主体124至少封装一个嵌入式加热器132。设置在支撑装置138 中的加热器132，例如电阻元件，连接到可选的电源174，并且可控制的加热 支撑装置138以及放置在其上的大面积衬底140至预先设定的温度。典型的， 在CVD工艺中，根据被淀积材料的淀积工艺参数加热器132保持大面积衬底 140为大约150°到至少460°C的恒定温度。通常，衬底支撑装置138具有下表面126和上表面134，并且上表面134 支撑大面积衬底140。下表面126具有杆142，该杆142将衬底支撑装置138连接至提升系统(未显示)，该提升系统使衬底支撑装置138在抬高的处理位 置(如所示)和较低的位置间移动，这便于衬底转移到处理腔ioo和从处理腔 100转移。杆142还为衬底支撑装置138和腔100的其它组件间的电和热电偶 导线提供管道。伸縮管146连接到衬底支撑装置138 (或杆142)和处理腔100 的底部108之间。伸縮管146有利于杆142周围的真空密封，同时有利于衬底 支撑装置138的垂直移动。在一个实施例中，衬底支撑装置138接地，因此由电源122提供的射频(RF) 能量提供给位于盖装置110和衬底支撑装置138之间的喷头118，或位于腔的 盖装置内或附近的其它电极。射频能量激发衬底支撑装置138和喷头118之间 的处理空间112中存在的气体，以有利于淀积到衬底140上。来自电源122的 射频能量通常选择与衬底的尺寸相当，以推动化学气相淀积工艺。衬底支撑装置138还支撑遮蔽结构149。通常，遮蔽结构149阻止淀积在 大面积衬底140和支撑装置138的边缘。衬底支撑装置138具有大量排列的孔 128，该孔128接受大量的升降杆150。升降杆150典型的由陶瓷或阳极氧化 铝组成。当衬底支撑装置138下降，升降杆150也下降，与腔底部108接触。 当衬底支撑装置B8进一步下降，升降杆15本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于放置在增强等离子体化学汽相淀积腔中的背板的夹钳机械装置，其特征在于，包括：　固定连接到腔盖内部的上夹钳部分；和　与所述上夹钳部分和所述背板滑动接触的下夹钳部分，其中所述下夹钳部分包括：　放置穿过所述下夹钳部分和所述腔盖的至少一个连接件，包含调节部件的至少一个连接件，以及其中所述调节部件的旋转引起水平移动和对所述背板的压力。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：萨姆H金，朴范秀，威廉N斯特科，
申请(专利权)人：应用材料股份有限公司，
类型：实用新型
国别省市：US[美国]