用于基板沉积腔背衬板的多件式绝缘件制造技术

一种用于基板沉积腔背衬板之多件式绝缘件，其具有：数个绝缘片条，每一绝缘片条具有一第一端及第二端；及每一绝缘片条的第一端与一相邻绝缘片条的第二端相配合且被接合至该相邻绝缘片条的第二端，以共同构成一矩形框件。（*该技术在2015年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种用于基板沉积腔背衬板的绝缘件，尤其是由多件绝缘片条制成以绝缘背衬板的多件式绝缘件。
技术介绍
在平面显示器的制程中由于需要在基板上制作晶体管组件，因此在制程中需要沉积上不同的材质，诸如SiO2、SiNx、a-Si及/与n+a-Si等薄膜。目前多采用等离子体辅助化学气象沉积系统(PECVD，Plasma Enhanced ChemicalVapor Deposition)来成长。PECVD乃是于一真空系统中，在通入制程气体后以一等离子体机台激发等离子体、解离制程气体活化其反应，并且因解离后的制程气体离子可利用电场等使其具有方向性来加速制程速度。用于此种沉积制程的沉积腔10的构造如图4所示，该沉积腔10与外界隔绝以形成反应空间。该沉积腔10包括一上盖12及一腔体14。一O型环16系设置于该上盖12及腔体14之间，以使沉积腔10与外界间呈现密闭的状态。该上盖12是通过一腔体盖22与外界隔绝。该腔体盖22内横向设置有背衬板(Backing Plate)34及一扩散器(Diffuser)30。制程气体经由一气体管线71将一设置在沉积腔10外的制程气体源，再经由一气体入口70，并穿越过背衬板34的中间，而被喷射入该背衬板34下的空间内。该被喷射的制程气体会先经由一位于该背衬板34下方的隔板(图中未示)扩散后，而在隔板及背衬板34的下方，经由在扩散器30上，外形为一平板且其上形成许多小孔32的喷头而被喷向一基板(S的上表面，该基板(S)系被配置在一台座(susceptor)60上。一射频(radio frequency)电源80系连接至该背衬板34及扩散器30，并提供激发被喷射的制程气体而活化流经该扩散器30的制程气体，因而在基板(S)上沉积成薄膜。亦即，该背衬板34及扩散器30系作为一上方电极。腔体14的侧边系与上盖12的腔体盖22结合，如上述，O型环16系设置于该上盖12及腔体14之间。台座60是设在该腔体14内。台座60距离扩散器30一段距离，且面向扩散器30，而基板S是放置在该台座60的上表面。该台座60内设有一加热器62，用于对放置在该台座60上的基板S加热至一适当的温度，以在沉积制程中进行薄膜沉积。同时，台座60被接地，因而作为一下方电极。为了防止制程材料被沉积在基板S的周缘，一遮盖框(Shadow Frame)64被配置在该台座60上，并遮盖基板S的周缘。该腔体14底侧、台座60下方形成一出口52，以在完成沉积制程后，将制程气体制抽离至外界。图5为图4中的部分A的放大视图。如图所示，作为上电极，且将制程气体喷射至基板S上表面的扩散器30及背衬板34是经由设置在边缘的螺栓42而相互结合，且彼此电性连接。多个绝缘件44、46、48系设置在扩散器30及背衬板34相互结合的周缘部分以及腔体盖22之间，以将腔体盖22与扩散器30及背衬板34彼此电性绝缘，并保持沉积腔10内的真空状态。上述绝缘件44、46、48中，绝缘件48是由一绝缘材料片所制成之框件，其制法是将一整片绝缘材料片的中央部分切割挖出后丢弃，因而浪费大量材料，方可制成所欲的绝缘件尺寸。惟当欲被处理的基板尺寸加大，因而亦必需加大背衬板及绝缘件的尺寸时，不但取得单一绝缘材料片原料的成本增加，移除整个中间部位以获得的单一组件绝缘件时亦会浪费大量的材料。
技术实现思路
为了解决此种制造能适用于大尺寸平面显示器沉积制程的沉积腔，却可能浪费大量材料的绝缘件的制造方式，本技术提供一种多件式绝缘件，其系由多件绝缘片条制成，因而可使用较少的材料即可获适用的基板沉积腔背衬板(Backing Plate)的绝缘件。本技术解决其技术问题所采用的技术方案是，一种用于基板沉积腔背衬板之多件式绝缘件，其具有数个绝缘片条，每一绝缘片条具有一第一端及第二端；及每一绝缘片条的第一端与一相邻绝缘片条的第二端相配合且被接合至该相邻绝缘片条的第二端，以共同构成一矩形框件。根据本技术，该绝缘片条系由聚合物材料制成。根据本技术，该绝缘片条系由含氟聚合物材料制成。根据本技术，该多件式绝缘件具有四个绝缘片条，且每一绝缘片条具有一大致呈L形之形状，以构成该矩形框件的四个边及四个角落。根据本技术，这些绝缘片条各包括一长边、一短边，该长边及短边相互垂直以构成一直角。根据本技术，该绝缘片条的第一端及第二端分别具有互补的形状，以在与相邻绝缘片条的第二端及第一端接合后，可共同构成该矩形框件的平坦表面。根据本技术，该绝缘片条的第一端及第二端分别具有互补的阶梯形状。根据本技术，该绝缘片条的第一端及第二端分别具有互补的坡形形状。根据本技术，该绝缘片条的第一端及第二端分别具有与片条表面垂直的切面。根据本技术，该绝缘片条的第一端与及相邻绝缘片条的第二端接合处被涂布一黏合剂，以将绝缘片条的第一端接合至该相邻绝缘片条的第二端。本技术的有益效果是，由于基板沉积腔背衬板的绝缘件系由绝缘片条制成，因而即便欲处理的基板尺寸为因应市场需求而加大，亦无需使用高成本的绝缘板片原料将其中央部分切割挖出后丢弃，因而浪费大量材料，即可制成所欲的绝缘件尺寸，达到节少成本及制造方便的目的。以下结合附图和实施例对本技术进一步说明。附图说明图1是运用本技术之绝缘件的立体分解示意图。图2A是图1的绝缘件之立体组合示意图。图2B是图1的绝缘件之平面示图。图3A是运用本技术之另一实施例的二片条相接合处的剖面示意图。图3B是运用本技术之再一实施例的二片条相接合处的剖面示意图。图4是一习知沉积腔的剖面示意图。图5是图4中的部分A的放大视图具体实施方式图1是运用本技术之绝缘件的立体分解示意图。图1所示之实施例中，该用于基板沉积腔背衬板之多件式绝缘件100是由四个绝缘片条101、102、103、104构成。如图1所示，每一绝缘片条101、102、103、104具有一第一端I及第二端II，其中每一绝缘片条的第一端I与一相邻绝缘片条的第二端II相配合且被接合至该相邻绝缘片条的第二端II，以共同构成一矩形框件100，如图2A所示。由于此实施例中，每一个绝缘片条101、102、103、104具有一大致呈L形之形状，故彼此以端对端的方式结合后，四个绝缘片条101、102、103、104共同构成该矩形框件100的四个边及四个角落。图2A是图1的绝缘件之立体组合示意图。如图2A所示，这些绝缘片条101、102、103、104的第一端I及第二端II分别具有互补的形状，以在与相邻绝缘片条102、103、104、101的第二端II及第一端I以端对端的方式接合后，可共同构成该矩形框件100的上下平坦表面P。图1及图2A之实施例中，这些绝缘片条101、102、103、104的第一端I及第二端II分别具有互补的阶梯形状(S)。欲与相邻的绝缘片条的第二端II相配合且接合时，系在绝缘片条101、102、103、104的第一端I与及相邻绝缘片条102、103、104、101的第二端II接合处之间涂布一黏合剂(图中未示)，以将各绝缘片条的第一端I接合至该相邻绝缘片条的第二端II。图3A是运用本技术之另一实施例的二片条102、103相接合处的剖面示意图。根据此一实施例，这些绝缘片条的第一端I及第二端I本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于基板沉积腔背衬板之多件式绝缘件，其特征是具有：　　　　数个绝缘片条，每一绝缘片条具有一第一端及第二端；　　　　其中每一绝缘片条的第一端与一相邻绝缘片条的第二端相配合且被接合至该相邻绝缘片条的第二端，以共同构成一矩形框件。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：WN斯特林，
申请(专利权)人：应用材料股份有限公司，
类型：实用新型
国别省市：US[美国]