【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及提高PTF (漏磁通)的溅射靶-背衬板组装体。
技术介绍
近年来,作为电子电气部件用材料的成膜法之一,广泛使用可以容易控制膜厚和成分的派射法。该溅射法使用如下原理将正极与作为负极的靶对置,在惰性气体气氛下在这些基板与靶间施加高电压使得产生电场,此时电离的电子与惰性气体撞击而形成等离子体,该等离子体中的阳离子撞击靶(负极)的表面将靶构成原子击出,该飞出的原子附着到对置的基板上形成膜。使用该溅射法时,靶的形状和特性的好坏对在基板上形成的薄膜的性质产生大的 影响。另外,祀的制造工艺的设计会对生产成本产生影响。一般而言,根据溅射装置的种类,确定能够使用的溅射靶的形状。不将靶与背衬板接合而使用靶本身的,是普通的形状。此时,可以说靶自身兼作背衬板。但是,降低溅射靶的价格的情况或者需要提高漏磁通的情况下,大多采用将靶与使用便宜的非磁性材料而得到的背衬板接合的方法。作为接合方法,一般的方法之一是使用铟等焊料的方法。但是,此时存在如下问题在溅射中溅射靶的温度上升,由此温度上升到焊料的熔点以上,从而产生接合点剥离。作为解决该问题的手段而采用的方法,有称为扩散焊接(扩散 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
【专利技术属性】
技术研发人员:池田祐希,中村祐一郎,荒川笃俊,
申请(专利权)人:吉坤日矿日石金属株式会社,
类型:发明
国别省市:
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