激光拼接图案结构及其蚀刻布线方法技术

一种触摸屏技术领域的激光拼接图案结构及其蚀刻布线方法，第一蚀刻线与相邻的第二蚀刻线在拼接处通过第一直角弯折结构连接；所述第一蚀刻线与所述第二蚀刻线的延长线重合。本发明专利技术采用呈直角的水平蚀刻线和竖直蚀刻线连接于斜线段拼接处，能够保证斜线段的拼接精度，避免出现拼接偏差而造成短路。

【技术实现步骤摘要】
激光拼接图案结构及其蚀刻布线方法
本专利技术涉及的是一种触摸屏领域的技术，具体是一种激光拼接图案结构及其蚀刻布线方法。
技术介绍
如图1A和1B所示分别为触摸屏内ITO上膜和下膜激光图案结构图。触摸屏内ITO图案采用激光制程，但激光一次的距离是有限的，需要拼接，因而无法实现如图1C理想的蚀刻线走线。激光机对斜线与斜线的直接拼接存在拼接偏差的问题，这种拼接偏差会造成局部短路现象。目前ITO图案多数采用菱形结构，不可避免的需要进行斜线拼接，如图2所示。
技术实现思路
本专利技术针对现有技术存在的上述不足，提出了一种激光拼接图案结构及其蚀刻布线方法，采用呈直角的水平蚀刻线和竖直蚀刻线连接于斜线段拼接处，能够保证斜线段的拼接精度，避免出现拼接偏差而造成短路。本专利技术是通过以下技术方案实现的：本专利技术涉及一种激光拼接图案结构，第一蚀刻线与相邻的第二蚀刻线在拼接处通过直角弯折结构连接；所述第一蚀刻线与所述第二蚀刻线的延长线重合。所述的直角弯折结构包括数个由水平蚀刻线与竖直蚀刻线构成的直角拐角，所述直角弯折结构中水平蚀刻线与竖直蚀刻线顺次相连、连续走线。优选地，所述的直角弯折结构包括一个直角拐角，构成直角拐角的竖直蚀刻线与第一蚀刻线相连，构成直角拐角的水平蚀刻线与第一蚀刻线相连。优选地，所述直角弯折结构设置于一平面图形中，所述的平面图形包括两组对角；优选地，所述ITO图案单元的一根轴线平分所述平面图形的一组对角，且该平面图形的另一组对角关于所述轴线对称；所述平面图形的数量不少于2个。进一步优选地，所述平面图形中对称设有2个或4个直角弯折结构。所述直角弯折结构中水平蚀刻线与竖直蚀刻线的长度b相等，b不小于0.2毫米且不大于0.5a毫米，a为平面图形中较长的对角线的长度。本专利技术涉及上述激光拼接图案结构的蚀刻布线方法，在相接位置处两拼接蚀刻线以及直角弯折结构通过开启一次激光进行蚀刻形成。所述激光拼接图案结构包括若干按顺序排列连接的ITO图案单元，一次激光开启的蚀刻进程内，激光走线沿钝角或直角进行走线更为精确，同时避免了走锐角存在爆点的缺陷。技术效果与现有技术相比，本专利技术采用呈直角的水平蚀刻线和竖直蚀刻线连接于斜线段拼接处，能够保证斜线段的拼接精度，避免出现拼接偏差而造成短路；且激光能够连续走线，提高了蚀刻布线的效率。附图说明图1A为现有技术中触摸屏内ITO上膜激光图案结构图；图1B为现有技术中触摸屏内ITO下膜激光图案结构图；图1C为ITO图案单元蚀刻线理想走线图；图2为ITO图案单元蚀刻线实际走线图；图3为实施例1中部分结构示意图，图中虚线表示未设置直角弯折结构时的蚀刻线；图4为实施例1中另一种激光图案结构；图中：第一蚀刻线1、第二蚀刻线2、竖直蚀刻线3、水平蚀刻线4。具体实施方式下面结合附图及具体实施方式对本专利技术进行详细描述。实施例1本实施例包括若干按顺序排列连接的ITO图案单元，所述的ITO图案单元内若干段蚀刻线依次相接形成数个菱形结构，在相接位置处两拼接蚀刻线均为斜线。优选地，所述的菱形结构为中心对称图形。本实施例对处于相接位置处的蚀刻线进行优化，避免出现拼接偏差而造成短路，具体的措施为：1)为提高蚀刻效率，将蚀刻线相接位置处预设于一排连续的菱形结构上，所述的各菱形结构相对于ITO图案单元的水平轴线(如图1C所示)对称设置；2)在各菱形结构上如图2所示预设的蚀刻线相接位置处设置水平蚀刻线4与竖直蚀刻线3构成的直角弯折结构，竖直蚀刻线3与第一蚀刻线1相连，水平蚀刻线4与第二蚀刻线2相连，第一蚀刻线1和第二蚀刻线2的延长线重合；3)考虑到产品品质的稳定性，ITO图案单元中蚀刻线构成的图形均为对称图形，于2)中菱形结构上的其他各条边上非拼接位置(如图3虚线所示)均设置直角弯折结构，并构建新的中心对称图形，如图3所示；据此进行激光蚀刻，可以连续走线，完成ITO图案单元的蚀刻。优选地，所述水平蚀刻线4和竖直蚀刻线3的长度均为b，b的范围为0.2～0.5a毫米，a为菱形结构对角的距离。本实施例中直角弯折结构不限于图3内陷于所述菱形结构中，也可以外凸于所述菱形结构；另外不考虑激光蚀刻效率这一问题，蚀刻线相接位置也不限于上述实施例中的位置；新构建的平面图形也无需严格对称。作为本实施例的一个变形，蚀刻线相接位置亦可设定于呈中心对称的两菱形结构的交点处；在该蚀刻线相接位置处，水平蚀刻线4与竖直蚀刻线3亦可设置成如图4所示结构。需要强调的是：以上仅是本专利技术的较佳实施例而已，并非对本专利技术作任何形式上的限制，凡是依据本专利技术的技术实质对以上实施例所作的任何简单修改、等同变化与修饰，均仍属于本专利技术技术方案的范围内。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种激光拼接图案结构，其特征是，第一蚀刻线与相邻的第二蚀刻线在拼接处通过直角弯折结构连接；所述第一蚀刻线与所述第二蚀刻线的延长线重合。

【技术特征摘要】
1.一种激光拼接图案结构，其特征是，第一蚀刻线与相邻的第二蚀刻线在拼接处通过直角弯折结构连接；所述第一蚀刻线与所述第二蚀刻线的延长线重合。2.根据权利要求1所述的激光拼接图案结构，其特征是，所述的直角弯折结构包括数个由水平蚀刻线与竖直蚀刻线构成的直角拐角，所述直角弯折结构中水平蚀刻线与竖直蚀刻线顺次相连、连续走线。3.根据权利要求2所述的激光拼接图案结构，其特征是，所述的直角弯折结构包括一个直角拐角，构成直角拐角的竖直蚀刻线与第一蚀刻线相连，构成直角拐角的水平蚀刻线与第一蚀刻线相连。4.根据权利要求3所述的激光拼接图案结构，其特征是，所述直角弯折结构设置于一平面图形中，所述的平面图形包括两组对角；优选地，所述ITO图案单元的一根轴线平分所述平面图形的一组对角，且该平面图形的另一组对角关于所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：李文，李兆勇，任小勇，
申请(专利权)人：张家港康得新光电材料有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏,32