溶液气化式CVD装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种溶液气化式ＣＶＤ装置，能够以高精度长时间控制ＣＶＤ用的原料溶液的流量。溶液气化式ＣＶＤ装置所具备的气化器包括：孔口管，在载气中使一种以上的原料溶液被分散为微粒子状或雾状；一种以上的原料溶液用通路２１～２５，以相互隔离的方式供给上述一种以上的原料溶液至上述孔口管；载气用通路３３，以与上述一种以上的原料溶液相互隔离的方式供给上述载气至上述孔口管；气化管１３，使在上述孔口管被分散的上述一种以上的原料溶液气化；细孔，连接上述气化管与上述孔口管，在上述孔口管被分散的上述原料溶液被导入上述气化管。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术是有关于溶液气化式化学气相沉积装置，特别是有关于可以高精度控制CVD用的原料的流量的溶液气化式CVD装置。
技术介绍
熟知的CVD通过在反应器(reactor)流过气体状的反应材料而引起化学反应，作为在由硅(silicon)等构成的半导体基板上沉积各种组成的薄膜的技术。关于通过CVD形成薄膜，是以必须准备气体状的反应材料作为技术上的前提。然而，通过CVD形成的膜因为膜质和高度落差覆盖性(step coverage)比较良好，希望消除此技术的前提，使CVD适用于各种的半导体组件、半导体集成电路的制造上。例如，说明关于制造高介电常数体内存(高速非挥发性内存)FeRAM-LSI的场合。利用高介电常数体(PZT、SBT等)的分极磁滞(hysteresis)现象，以制作高速非挥发性内存FeRAM的技术，当时由于无法制造出含有Zr、Sr、Bi的气体状反应材料，所以高介电常数体的薄膜无法利用CVD法而是以溶液涂布手法被形成。然而，利用溶液涂布手法形成的高介电常数材料薄膜(400-300nm)的高度落差覆盖性不佳，在薄膜化(150-40nm)的场合，存在穿孔增加而电性绝缘性降低等的问题本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种溶液气化式ＣＶＤ装置，具备气化器，其中上述气化器包括：孔口管，在载气中使一种以上的原料溶液分散为微粒子状或雾状；一个以上的原料溶液用通路，以相互隔离的方式供给上述一种以上的原料溶液至上述孔口管；载气用通路，以与上 述一种以上的原料溶液相互隔离的方式供给上述载气至上述孔口管；气化部，使在上述孔口管被分散的上述一种以上的原料溶液气化；细孔，被连接在上述气化部与上述孔口管，将在上述孔口管被分散的上述原料溶液导入于上述气化部。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：矢元久良，腰前伸一，
申请(专利权)人：尤泰克株式会社，矢元久良，
类型：发明
国别省市：JP[日本]