一种提高NOR型FLASH稳定性的方法及装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供了一种提高NOR型FLASH稳定性的方法及装置。该方法包括：获取故障存储单元的地址；确定选中存储单元；判断所述选中存储单元和所述故障存储单元的位置；若所述故障存储单元和所述选中存储单元位于同列位线上；对所述故障存储单元进行编程。本发明专利技术提供的一种提高NOR型FLASH稳定性的方法及装置，提高了NOR型FLASH的稳定性。

【技术实现步骤摘要】
一种提高NOR型FLASH稳定性的方法及装置
本专利技术涉及一种半导体存储器
，尤其涉及一种提高NOR型FLASH稳定性的方法及装置。
技术介绍
闪存(FlashMemory)，是存储器的一种，但兼有RAM和ROM的优点，是一种可在系统进行电擦写，掉电后信息不丢失的存储器，同时它的高集成度和低成本使它成为市场主流。FLASH芯片是由内部成千上万个存储单元(cell)组成的，每个单元存储一个或多个比特(bit)，具有低功耗、大容量、擦写速度快、可整片或分扇区在系统编程、擦除等特点，并且可由内部嵌入的算法完成对芯片的操作，因而在各种嵌入式系统中得到了广泛的应用。作为一种非易失性存储器，FLASH在系统中通常用于存放程序代码、常量表以及一些在系统掉电后需要保存的用户数据等。FLASH技术根据不同的应用场合也分为不同的发展方向，其中，NOR型FLASH擅长存储代码。NOR型FLASH是很常见的一种存储芯片，数据掉电不会丢失。NOR型FLASH支持程序直接在FLASH片内执行。因此，在嵌入式系统中，NOR型FLASH很适合作为启动程序的存储介质。稳定性是产品在规定条件下和规定时间内完成规定功能的能力。对于NOR型FLASH，一般而言，数据保持能力、耐久力、抗干扰能力等是评价闪存可靠性的重要参数，其中，数据保持力指的是闪存存储的数据经过一段时间之后没有失真或丢失，仍可以有效读出的能力。对于NOR型FLASH，随着时间的推移，NOR型FLASH中存储单元的阈值电压会发生变化。或者NOR型FLASH制作过程中难免会出现，NOR型FLASH中存储单元的阈值电压过于小，而存在NOR型FLASH阵列正常工作时，故障存储单元影响正常存储单元，造成对存储单元读取错误的问题。现有技术中，采取的办法是，在NOR型FLASH正常工作时，屏蔽这些故障存储单元，但是这些故障存储单元还是物理存在的，虽然屏蔽还不是不能有效消除故障存储单元对于FLASH芯片工作时的干扰。
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术提供了一种提高NOR型FLASH稳定性的方法及装置，提高NOR型FLASH的稳定性。第一方面，本专利技术实施例提供了一种提高NOR型FLASH稳定性的方法，该方法包括：获取故障存储单元的地址；确定选中存储单元；判断所述选中存储单元和所述故障存储单元的位置；若所述故障存储单元和所述选中存储单元位于同列位线上；对所述故障存储单元进行编程。可选地，所述存储单元为字线行和位线列的交叉点。可选地，对所述故障存储单元进行编程包括，将所述故障存储单元的字线电压加至8V～10V，位线电压加至3V～5V。可选地，对所述故障存储单元进行编程包括：实时读取所述故障存储单元编写后的阈值电压；当所述故障存储单元的阈值电压大于等于非选中存储单元的字线电压时，停止对所述故障存储单元进行编程操作。第二方面，本专利技术实施例提供了一种提高NOR型FLASH稳定性的装置，该装置包括：字线和位线，用于形成存储单元阵列；故障存储单元记录模块，用于获取故障存储单元的单元地址；字线选通模块，用于选通选中存储单元对应的字线；位线选通模块用于选通选中存储单元对应的位线；存储单元位置判定模块，用于判断所述选中存储单元和所述故障存储单元的位置，与所述故障存储单元记录模块相连；编程模块，与所述故障存储记录模块相连，用于当所述故障存储单元和所述选中存储单元位于同列位线上对所述故障存储单元进行编程。可选地，所述存储单元为字线与位线的交叉点，所述字线通过所述字线选通模块与所述存储单元相连；所述位线通过所述位线选通模块与所述存储单元相连。可选地，所述字线选通模块，用于选通被选中存储单元对应的字线，在所述故障存储都单元的所述字线电压加8V～10V；所述位线选通模块，用于选通被选中存储单元对应的位线，在所述故障存储都单元的所述位线电压加3V～5V。可选地，该装置还包括：灵敏放大器，与所述位线选通模块相连，用于根据接收到的电信号，实时读取所述故障存储单元编写后的阈值电压；停止编程模块，用于当所述故障存储单元的阈值电压大于等于非选中存储单元的字线电压，停止对所述故障存储单元进行编程。本专利技术提供了一种提高NOR型FLASH稳定性的方法及装置，通过获取故障存储单元的地址，确定选中存储单元，判断所述选中存储单元和所述故障存储单元的位置，若所述故障存储单元和所述选中存储单元位于同列位线上，对所述故障存储单元进行编程。避免故障存储单元对于选中存储单元的干扰，提高NOR型FLASH的稳定性。附图说明通过阅读参照以下附图说明所作的对非限制性实施例所作的详细描述，本专利技术的其它特征、目的和优点将变得更明显。图1为本专利技术实施例一提供的一种提高NOR型FLASH稳定性的方法流程图；图2为本专利技术实施例一提供的一种提高NOR型FLASH的单个SA对应的存储单元阵列结构示意图；图3为本专利技术实施例二提供的一种提高NOR型FLASH稳定性的方法流程图；图4本专利技术实施例二提供的一种提高NOR型FLASH稳定性的方法的高斯分布曲线；图5本专利技术实施例三提供的一种提高NOR型FLASH稳定性的装置结构示意图；图6本专利技术实施例四提供的一种提高NOR型FLASH稳定性的装置结构示意图。具体实施方式下面结合附图并通过具体实施方式来进一步说明本专利技术的技术方案。可以理解的是，此处所描述的具体实施例仅仅用于解释本专利技术，而非对本专利技术的限定。另外还需要说明的是，为了便于描述，附图中仅示出了与本专利技术相关的部分而非全部结构。实施例一图1为本专利技术实施例一提供的一种提高NOR型FLASH稳定性的方法流程图。图2为本专利技术实施例一提供的一种提高NOR型FLASH的单个SA对应的阵列结构示意图。图1为本专利技术实施例一提供的提高NOR型FLASH稳定性的方法流程图。本专利技术提供了一种提高NOR型FLASH稳定性的方法，该方法步骤参见图1如下步骤：步骤110、获取故障存储单元的地址。本实施例提到的故障存储单元是指，由于存储单元在生产工艺制备过程中的原因或者长期进行编程、擦除操作，导致阈值电压过低的存储单元。在本实施例中，相关技术人员通过检测手段，将故障存储单元及其地址已经提前记录下来。步骤120、确定选中存储单元。通过字线和位线来唯一确定选中存储单元。步骤130、判断所述选中存储单元和所述故障存储单元的位置。判断选中存储单元和故障存储单元的位置关系。可选地，所述存储单元为字线行和位线列的交叉点。因此，通过判定存储单元的所在的字线行和位线列即可确定存储单元的位置。步骤140、若所述故障存储单元和所述选中存储单元位于同列位线上。当故障存储单元和选中存储单元位于同列位线上的时候，进行下述步骤。步骤150、对所述故障存储单元进行编程。示例性地，参见图2，图2是NOR型FLASH的单个灵敏放大器(SenseAmplifier，SA)对应的阵列结构示意图，其中SBL和SA相连，并通过选通信号YA<1:0>选到全局位线(Globalbitline，GBL)<1:0>上，GBL<1:0>通过高压选通开关(YDIV)<3:0>和字线(bitline，BL)<7:4>本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种提高NOR型FLASH稳定性的方法，其特征在于，包括：获取故障存储单元的地址；确定选中存储单元；判断所述选中存储单元和所述故障存储单元的位置；若所述故障存储单元和所述选中存储单元位于同列位线上；对所述故障存储单元进行编程。

【技术特征摘要】
1.一种提高NOR型FLASH稳定性的方法，其特征在于，包括：获取故障存储单元的地址；确定选中存储单元；判断所述选中存储单元和所述故障存储单元的位置；若所述故障存储单元和所述选中存储单元位于同列位线上；对所述故障存储单元进行编程。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：所述存储单元为字线行和位线列的交叉点。3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，对所述故障存储单元进行编程包括，将所述故障存储单元的字线电压加至8V～10V，位线电压加至3V～5V。4.根据权利要求1所述的方法，对所述故障存储单元进行编程包括：实时读取所述故障存储单元编写后的阈值电压；当所述故障存储单元的阈值电压大于等于非选中存储单元的字线电压时，停止对所述故障存储单元进行编程操作。5.一种提高NOR型FLASH稳定性的装置，其特征在于，包括：字线和位线，用于形成存储单元阵列；故障存储单元记录模块，用于获取故障存储单元的单元地址；字线选通模块，用于选通选中存储单元对应的字线；位线选通模块用于选通选中存储单元对应的位线；存储...

【专利技术属性】
技术研发人员：张建军，胡洪，舒清明，
申请(专利权)人：北京兆易创新科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：北京,11