弹性连接一大面积靶的方法技术

本发明专利技术的实施例大体上涉及用于半导体制造的溅镀靶，特别是涉及将该溅镀靶连接至在一淀积腔中用以支撑该溅镀靶的背板。在一实施例中，一种将至少一溅镀靶砖连接至一背板的方法，包括在至少一溅镀靶砖与该背板之间设置一弹性粘着层，及在该弹性粘着层内设置至少一金属网，其中该至少一金属网中的至少部分与该至少一溅镀靶砖及该背板接触，及该至少一金属网中的至少部分是以直径大于０．５ｍｍ的金属丝制成。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及用于电子装置制造中的溅镀靶，特别是涉及将该溅镀靶连接至一背板(backing plate)的方法，在淀积腔中由该背板支撑该溅镀靶。
技术介绍
物理气相淀积(PVD)是电子装置制造中最常用的制程之一。PVD是在一个真空腔中进行的等离子制程，在该真空腔中，负偏压的靶曝露在包含具有较重原子(例如，氩气)的惰性气体的等离子中，或曝露在包含这类惰性气体的混合气体中。通过惰性气体对靶的轰击(或溅镀)会造成靶材料的原子的发射。射出的原子会在真空腔内的基板上累积为一层淀积膜，该基板位于真空腔内的靶下方所淀积的基板晶片座上。平板显示器溅镀与已知晶片溅镀技术的主要差异在于平板显示器溅镀使用大面积基板及其矩形形状。图1(现有技术)显示一种典型DC磁电管PVD反应器10，其包括一接地真空腔12，一靶14通过一电隔离器16而真空密封于该接地真空腔12。一个DC电源供应器18使该靶14相对于该真空腔12而成负偏压，以使一氩气溅镀工作气体激发成为一等离子。然而，应注意，射频磁控溅镀法(RFsputting)也属于已知技术。带正电的氩气离子为该偏压的靶14所吸引，及由该靶14将材料溅镀至一基板20上，该基板20由一晶片座支撑而位于该靶14的对面。一位于该靶背面的磁电管24给予一平行于该靶14前表面的磁场，以拦截电子，以增加等离子密度及增进溅镀速率。在现代的溅镀反应器中，该磁电管会比较小，而且可在该靶14背面附近扫描。为了增进侵蚀及淀积的均匀度，即使是一大型的磁电管也可进行扫描。铝、钛及铜靶典型地是以一溅镀层形式被溅镀涂布或连接至一靶背板上，该靶背板是由较不昂贵和更易于接受机器加工的材料所形成。溅镀反应器过去主要开发为用于在实质上为圆形的硅晶片上进行溅镀。这几年来，硅晶片的尺寸已由直径50mm增加到300mm。需要溅镀靶多少大于晶片尺寸，以在晶片上产生较均匀的淀积。典型地，对某些材料而言，晶片溅镀靶会以单一圆型构件形成，如，铝及铜，而对难度较高的材料而言，单一连续溅镀层则形成于一背板上。在九十年代早期，溅镀反应器的开发是针对用在大型显示器(如，作为计算机屏幕或电视屏幕的液晶显示器(LCD))而形成于玻璃面板上的薄膜晶体管(TFT)电路。这项技术稍晚应用在其它类型的显示器，如，等离子显示器，及太阳能面板，及应用在其它的面板零件，如，塑料制品及聚合物。某些早期的反应器设计为用在大小约为400mm×600mm的面板。因为制成的平面显示器尺寸的增加，及当在单一玻璃面板上制成多显示器及稍后进行分割时大规模量产的实现，面板的尺寸已呈连续增加。平坦面板的制造设备可在商业用途上，用于在最小为1.8m的大小的面板上进行溅镀，而且该设备的设计预期为用在尺寸不小于2m×2m的面板。由于面板尺寸的增加，常规的通过铟连结而将溅镀靶连结到背板的方式，随着溅镀靶尺寸渐增，也变得非常昂贵。因此，需要更经济和耐用的方法，以将溅镀靶连结至用于大面积基板处理系统的背板。
技术实现思路
本专利技术实施例提供一种将溅镀靶砖连接至背板的方法。本专利技术实施例会再提供一溅镀靶组件，其在一溅镀靶砖与一背板之间，包括一弹性粘着层。在一实施例中，将至少一溅镀靶砖连接至一背板的方法，包括在至少一溅镀靶砖与该背板之间，设置一弹性粘着层，及在该弹性粘着层内设置至少一金属网，其中该至少一金属网中至少部分，会与该至少一溅镀靶砖及与该背板两者接触，及该至少一金属网中至少部分是以直径大于0.5mm的金属丝制成。在另一实施例中，一种将至少一溅镀靶砖连接至一背板的方法，包括在至少一溅镀靶砖与该背板之间设置至少一弹性粘着层，及在至少一弹性粘着层内设置至少一金属网，其中该至少一金属网中至少部分，会与至少一溅镀靶砖及与该背板两者接触，及该至少一金属网的开口总表面积是该至少一个溅镀靶砖的总连接表面积的40％至70％。在另一实施例中，一溅镀靶组件包括至少一溅镀靶砖，一用于该至少一溅镀靶砖的背板，一弹性粘着层位于该至少一溅镀靶砖与该背板之间，其中该弹性粘着层将该至少一溅镀靶与该背板连接在一起，及至少一金属网位于该弹性粘着层之内，其中该至少一金属网中至少部分会与该至少一溅镀靶砖与该背板两者接触，及该至少一金属网中至少部分是以直径大于0.5mm的金属丝制成。在另一实施例中，一种溅镀靶组件包括至少一溅镀靶砖，一用于该至少一溅镀靶砖的背板，至少一弹性粘着层位于该至少一溅镀靶砖与该背板之间，其中该至少一弹性粘着层将该至少一溅镀靶与该背板连接在一起，及至少一金属网位于该至少一弹性粘着层之内，其中该至少一金属网中至少部分会与该至少一溅镀靶砖及与该背板两者接触，及该至少一金属网的开口总表面积是该至少一溅镀靶砖的总连接表面积的40％至70％。在另一实施例中，一溅镀靶组件包括至少一溅镀靶砖，一用于该至少一溅镀靶砖的背板，一弹性粘着层位于该至少一溅镀靶砖与该背板之间，其中该弹性粘着层将该至少一溅镀靶及与该背板连接在一起，及该弹性粘着层包括金属粉末，其重量范围为约0％至约80％，以增加热传导性，及至少一金属网位于该弹性粘着层之内，其中该至少一金属网中至少部分会与该至少一溅镀靶砖与该背板两者接触，及该至少一金属网中至少部分是以直径大于0.5mm的金属丝制成。附图说明为更详细说明本专利技术的上述特征，在此通过参考实施例和附图进行进一步的说明。其中部分实施例结合附图说明。然而，应注意的是，附图仅表示本专利技术的典型实施例，因此不应认为是对本专利技术范围的限制，因为本专利技术也可允许其它等效实施例。图1(现有技术)是已知的等离子溅镀反应器的剖面示意图。图2是靶砖的二维阵列所形成的矩形靶平面图。图3A是连接至一背板的靶砖常规构成的剖面图，该背板包括冷却通道。图3B是四个靶砖之间的角落区域平面图。图4(现有技术)表示将靶砖连接至一背板的常规方法的示意图。图5是本专利技术的连接至背板的溅镀靶实施例的剖面图。图6是本专利技术所用的金属网的实施例的透视图。图7显示使用图6的金属网，而将一溅镀靶连接至一背板的流程图。图8A显示靶砖的3×2阵列所形成的矩形靶的平面图。图8B显示连接至图8A的背板的靶砖830C，830E的剖面图。图8C显示靶砖的3×1阵列所形成的矩形靶的平面图。图8D显示由一片靶所形成的矩形靶的平面图。附图标记说明10DC磁电管或PVD反应器12真空腔14靶 16电隔离器18DC电源供应器 20基板22基板 24磁电管30矩形靶 32矩形靶砖34靶背板 36角38延长物 40矩形轮廓42金属平板 44金属平板46线状冷却通道 48沟隙60加热台 62加热台64粘着涂层 66铟涂层70角区域 72间隙110 背板 120 弹性粘接剂120A 弹性层 120B 弹性层125 金属网 126 开口130 靶 810 背板820 连接层 825 金属网830A 砖 830B 砖830C 砖 830D 砖830E 砖 830F 砖 830G 砖 830H 砖830I 砖 830J 单片靶850 最宽空隙具体实施方式对于大型溅镀靶而言，二维的靶砖配置(如，图2所示)有时候是必要的。矩形的靶砖32会排列于矩形阵列中，而且连接至一靶背板34。如图2的平面图中所示，通常，矩形靶30包本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种将至少一溅镀靶砖连接至一背板的方法，其至少包括：在至少一溅镀靶砖与所述背板之间，设置一弹性粘着层；及在所述弹性粘着层内设置至少一金属网；其特征在于，所述至少一金属网的至少一部分，既与所述至少一溅镀靶砖又于所述背板接触，及所述至少一金属网的所述至少一部分是以直径大于０．５ｍｍ的金属丝制成。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：希恩明H礼，细川昭博，
申请(专利权)人：应用材料股份有限公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]