一种聚碳酸酯基高温介电复合材料及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种聚碳酸酯基高温介电复合材料及其制备方法，包括以下重量份原材料制备而成：10‑30份的聚碳酸酯，5‑15份的丙烯醇，5‑15份的聚四氟乙烯，2‑5份的柠檬酸，0.1‑0.5份的纳米氮化镁，0.5‑2份的纳米硫酸钡，0.5‑1份的纳米氧化铜，1‑3份的偶联剂，1‑5份的交联剂；本发明专利技术利用高分子的交联和有机‑无机杂化原理，使其具有介电常数大，工作温度高的优点，促进了介电材料在高温环境中工作的电子器件上的应用。

【技术实现步骤摘要】
一种聚碳酸酯基高温介电复合材料及其制备方法
本专利技术涉及电子材料领域，具体涉及一种聚碳酸酯基高温介电复合材料及其制备方法。
技术介绍
介电材料（dielectricmaterial）又称电介质，是可用于控制存储电荷及电能的电的绝缘材料，在现代电子及电力系统中具有重要的战略地位。介电材料主要包括电容器介电材料和微波介电材料两大体系。其中用作电容器介质的介电材料，要求材料的电阻率高，介电常量大，在整个介电材料中占有很大比重。介电材料也可分为有机和无机两大类，种类繁多。人们对介电材料的研究最初是从无机压电陶瓷材料开始的，无机压电陶瓷材料具有高介电常数和高热电稳定性，但其脆性大、加工温度较高。随着信息和微电子工业的飞速发展对半导体器件微型化、集成化、智能化、高频化和平面化的应用需求增加，越来越多的电子元件，如介质基板、介质天线、嵌入式薄膜电容等，既要介电材料具备优异的介电性能，又要其具备良好的力学性能和加工性能，因此，单一的无机介电材料已经不能满足上述要求。而具有高介电性能的复合功能电介质材料可用于制备高储能密度介质，在脉冲率及电子封装技术等军民用领域有着引人瞩目的实用前景。近年来，人们通过以聚合物为基体，引入高介电常数或易极化的纳米尺度的无机颗粒或者其它无机物形成聚合物基复合介电材料。然而，通过简单的混合而成的聚合物基复合介电材料在电化学性能上虽然有了一定的提高，也克服了部分缺陷，但仍然难以满足电子行业对电子材料越来越高的性能要求，因此，深入研发更高性能的聚合物基复合介电材料依然是今后电子材料发展的方向。
技术实现思路
本专利技术的目的在于克服现有聚合物基复合介电材料存在的介电系数低、工作温度低的缺陷，提供一种聚碳酸酯基高温介电复合材料及其制备方法；本专利技术利用高分子的交联和有机-无机杂化原理，使其具有介电常数大，工作温度高的优点，促进了介电材料在高温环境中工作的电子器件上的应用。为了实现上述专利技术目的，本专利技术提供了一种聚碳酸酯基高温介电复合材料，包括以下重量份原材料制备而成：10-30份的聚碳酸酯，5-15份的丙烯醇，5-15份的聚四氟乙烯，2-5份的柠檬酸，0.1-0.5份的纳米氮化镁，0.5-2份的纳米硫酸钡，0.5-1份的纳米氧化铜，1-3份的偶联剂，1-5份的交联剂。一种聚碳酸酯基高温介电复合材料，利用多种有机物的相互交联聚合，形成结构稳定，耐高温的高分子三维网络结构，同时在三维网络结构中杂化不同纳米氧化物，氮化镁-硫酸钡-氧化铜三者形成一个独立循环体，对电场的屏蔽作用增强，介电常数增大；同时，三维网络结构使聚合物熔点增加，其工作温度更高；该复合介电材料使用范围更大，有利于电子行业的发展。优选的，其中所述的聚碳酸酯聚合度为50-200，聚合度太大，分子链太长，形成的三维网络结构稳定差，复合材料熔点降低；聚合度太小，分子链太短，不利于纳米材料的杂化和嵌入，纳米材料分散不规则，可能产生团聚现象，产品性能降低。优选的，其中所述的聚四氟乙烯聚合度为40-80，聚合度太大，分子链太长，形成的三维网络结构稳定差，复合材料熔点降低；聚合度太小，分子链太短，不利于纳米材料的杂化和嵌入，纳米材料分散不规则，可能产生团聚现象，产品性能降低。优选的，其中所述的纳米氮化镁的粒径为20-60纳米，粒径太大，不利于纳米材料的在三维网络结构中的杂化和嵌入，纳米材料分散不规则，可能产生团聚现象，产品性能降低，粒径太小，分散困难，容易团聚。优选的，其中所述的纳米硫酸钡的粒径为20-60纳米，粒径太大，不利于纳米材料的在三维网络结构中的杂化和嵌入，纳米材料分散不规则，可能产生团聚现象，产品性能降低，粒径太小，分散困难，容易团聚。优选的，其中所述的纳米氧化铜的粒径为20-50纳米，粒径太大，不利于纳米材料的在三维网络结构中的杂化和嵌入，纳米材料分散不规则，可能产生团聚现象，产品性能降低，粒径太小，分散困难，容易团聚。优选的，其中所述的偶联剂为硅烷偶联剂，硅烷偶联剂对纳米材料的偶联效果最好。优选的，所述一种聚碳酸酯基高温介电复合材料，包括以下重量份原材料制备而成：15-20份的聚碳酸酯，5-10份的丙烯醇，10-15份的聚四氟乙烯，2-3份的柠檬酸，0.1-0.3份的纳米氮化镁，0.5-1份的纳米硫酸钡，0.8-1份的纳米氧化铜，1-2份的偶联剂、2-3份的交联剂。为了实现上述专利技术目的，进一步的，本专利技术提供了一种聚碳酸酯基高温介电复合材料的制备方法，包括以下步骤：（1）将纳米氮化镁、纳米硫酸钡、纳米氧化铜分散在丙烯醇中形成悬浮液；（2）将步骤1得到的悬浮液与柠檬酸、偶联剂进行酯化、偶联反应，得柠檬酸丙烯醇酯杂化混合物；（3）将步骤2得到的柠檬酸丙烯醇酯杂化混合物与聚碳酸酯，聚四氟乙烯，交联剂混合后进行交联反应，得聚碳酸酯基高温介电复合材料。一种聚碳酸酯基高温介电复合材料的制备方法，先将纳米材料通过丙烯醇均匀分散开，再利用酯化反应和偶联剂将合成的酯与纳米材料偶联，形成柠檬酸丙烯醇酯杂化混合物，从而使纳米材料均匀规则的排列分散在三维网络结构中，不会团聚，并形成氮化镁-硫酸钡-氧化铜独立循环体，对电场的屏蔽作用增强，介电常数增大；最后通过与其它高分子材料的交联，形成了具有三维网络结构的聚碳酸酯基高温介电复合材料，使聚合物熔点增加，其工作温度更高；该聚碳酸酯基高温介电复合材料的制备方法简单、稳定、可靠，适合聚碳酸酯基高温介电复合材料的大规模、工业化生产。优选的，所述酯化反应温度为120-150℃，反应温度过高，反应剧烈，控制困难，反应温度过低，反应速度慢，生产周期长。优选的，所述酯化反应时间为2-5h，反应时间过长，生产周期长，效率低，反应时间过短，反应不完全，产品性能降低。优选的，所述交联反应温度为180-250℃，交联温度过高，交联过渡，形成的三维网络结构不规则，产品性能降低，交联温度过低，反应时间太长，生产周期长。优选的，所述交联反应的时间为1-3h，反应时间过长，生产周期长，效率低，反应时间过短，反应不完全，产品性能降低。与现有技术相比，本专利技术的有益效果：1、本专利技术聚碳酸酯基高温介电复合材料含有三维网络结构和氮化镁-硫酸钡-氧化铜独立循环体，具有更高的熔点和对电场更好的屏蔽作用，具有高工作温度和高介电常数。2、本专利技术聚碳酸酯基高温介电复合材料的制备方法先通过酯化和杂化，再利用交联，将纳米材料均分散在三维网络结构体系中，并行成氮化镁-硫酸钡-氧化铜独立循环体系结构，从而增加了复合材料的熔点和介电常数。3、本专利技术聚碳酸酯基高温介电复合材料的制备方法简单、稳定、可靠，适合聚碳酸酯基高温介电复合材料的大规模、工业化生产。具体实施方式下面结合试验例及具体实施方式对本专利技术作进一步的详细描述。但不应将此理解为本专利技术上述主题的范围仅限于以下的实施例，凡基于本
技术实现思路
所实现的技术均属于本专利技术的范围。实施例1（1）将0.3重量份的纳米氮化镁、1重量份的纳米硫酸钡、0.8重量份的纳米氧化铜分散在10重量份的丙烯醇中形成溶液；（2）将步骤1得到的溶液与3重量份的柠檬酸、2重量份的硅烷偶联剂在120℃的条件下进行酯化、偶联反应5h，得柠檬酸丙烯醇酯杂化混合物；（3）将步骤2得到的柠檬酸丙烯醇酯杂化混合物与20重量份的聚合度为50的聚碳酸酯，10重量份的聚合度为4本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种介电复合材料，其特征在于，包括以下重量份原材料制备而成：10‑30份的聚碳酸酯，5‑15份的丙烯醇，5‑15份的聚四氟乙烯，2‑5份的柠檬酸，0.1‑0.5份的纳米氮化镁，0.5‑2份的纳米硫酸钡，0.5‑1份的纳米氧化铜，1‑3份的偶联剂，1‑5份的交联剂。

【技术特征摘要】
1.一种介电复合材料，其特征在于，包括以下重量份原材料制备而成：10-30份的聚碳酸酯，5-15份的丙烯醇，5-15份的聚四氟乙烯，2-5份的柠檬酸，0.1-0.5份的纳米氮化镁，0.5-2份的纳米硫酸钡，0.5-1份的纳米氧化铜，1-3份的偶联剂，1-5份的交联剂。2.根据权利要求1所述的介电复合材料，其特征在于，所述聚碳酸酯聚合度为50-200。3.根据权利要求1所述的介电复合材料，其特征在于，所述聚四氟乙烯聚合度为40-80。4.根据权利要求1所述的介电复合材料，其特征在于，所述纳米氮化镁的粒径为20-60nm。5.根据权利要求1所述的介电复合材料，其特征在于，所述纳米硫酸钡的粒径为20-60nm。6.根据权利要求1所述的介电复合材料，其特征在于，所述氧化铜的粒径为20-50nm。7.根据权利要求1所述的介电复合材料，其特征在于，包括以下重量份原材料制备...

【专利技术属性】
技术研发人员：高启新，
申请(专利权)人：成都市创斯德机电设备有限公司，
类型：发明
国别省市：四川,51