蒸发源部件及使用该部件的真空沉积装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供了一种蒸发源部件和一种使用该部件的真空沉积装置，该真空沉积装置包括真空室、坩锅、加热器和位于坩锅内部的多层内板，其中，多层内板中的各层具有至少一个孔，从而蒸发材料可从坩锅底部穿过多层内板排到真空室中。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种用在电致发光显示设备中的真空沉积装置。具体地讲，本专利技术涉及一种能够使溅射最小化并基本上减少金属氧化物颗粒在基底上的沉积的蒸发源部件(machine)以及一种使用该部件的真空沉积装置。
技术介绍
通常，电致发光(EL)显示设备是一种可在发光层上采用电压以使电子和空穴复合而形成图像的平板显示设备。EL显示设备与其它显示设备相比具有优良的特性，例如可见度好、重量轻、视角宽、色纯度高且功耗较低。EL显示设备可包括基底、具有两个电极(即阳极和阴极)的发光二极管及置于这两个电极之间的至少一个发光层。因此，由阳极提供的空穴和由阴极提供的电子可在发光层中复合而形成激子，即空穴-电子对，从而在从激发态跃迁到基态的同时发光。通常可通过真空沉积法形成发光层和阴极。真空沉积装置可包括真空室，内压为大约10-6至大约10-7托(torr)；蒸发源，包括加热器和用于在其内容纳薄膜材料的坩锅。具体地讲，薄膜材料会从坩锅蒸发，涂敷到基底上，并通过吸附、沉积、再蒸发等而固化。然而，在蒸发的薄膜材料涂敷到基底的传统过程中，经常会发生溅射，从而产生不均匀的膜，即薄膜上具有暗斑。此外，当薄膜材料为金属材料例如镁时，其上层会发生氧化反应而在金属材料的上表面上形成金属氧化物层。随后，金属氧化物材料会与蒸发的金属材料一起被排放到基底上。然而，由于金属氧化物的蒸发温度会基本高于金属的蒸发温度，例如，氧化镁可在大约2500℃左右蒸发，而镁可在大约500℃左右蒸发，所以金属氧化物颗粒会以固态形式沉积到基底上，从而增大了阴极的电阻，并由于金属氧化物颗粒群集，即形成额外的暗点，而导致在阳极和阴极之间发生短路。因此，存在改进真空沉积装置的结构的需求，以使蒸发的材料的溅射最小化并减少金属氧化物颗粒在基底上的沉积。
技术实现思路
因此，本专利技术的目的在于提供一种蒸发源部件和具有该部件的真空沉积装置，本专利技术基本上克服了相关领域中的一个或多个缺点。本专利技术实施例的特点在于提供一种蒸发源部件，它能够使蒸发的材料涂敷到基底时的溅射最小化。因此，本专利技术实施例的另一特点在于提供一种真空沉积装置，它能够过滤金属氧化物颗粒并使金属氧化物颗粒在基底上的沉积最小化。本专利技术实施例的又一特点在于提供一种真空沉积装置，它具有能够提供改进的涂敷到基底的薄膜的蒸发源部件。本专利技术的上述和其它特点及优点可通过提供一种蒸发源部件来实现，该部件包括坩锅、加热器和位于坩锅内部的多层内板，多层内板的各层具有至少一个孔。优选地，多层内板可包括二至五个层。此外，多层内板中的任何两个相邻层之间的最小距离可以为大约2.0mm，多层内板中的任何两个相邻层之间的最大距离可以为大约10.0mm。各层中的所述至少一个孔可具有独特的位置。可选地，各层中所述至少一个孔可具有独特的大小。多层内板可具有等于坩锅的内周长的外周长。另外，多层内板可由铜、金或银形成。本专利技术的蒸发源部件的坩锅可由石墨、热解氮化硼(PBN)或金属形成。此外，蒸发源部件还可包括具有出口的盖。在本专利技术的另一方面，提供了一种真空沉积装置，其包括真空室；坩锅，位于真空室的下部；加热器，围绕坩锅；多层内板，位于坩锅的内部，多层内板的各层具有至少一个孔。多层内板中的任何两个相邻层之间的最小距离可以为大约2.0mm，多层内板中的任何两个相邻层之间的最大距离可以为大约10.0mm。另外，多层内板可具有等于坩锅的内周长的外周长。各层中的所述至少一个孔可具有独特的位置。可选地，各层中的所述至少一个孔可具有独特的大小。坩锅可包括具有出口的盖。另外，坩锅可由石墨、热解氮化硼(PBN)或金属形成。多层内板可由铜、金或银形成。附图说明通过参照附图对本专利技术示例性实施例的详细描述，对于本领域的普通技术人员，本专利技术的上述和其它特点及优点将变得更加清楚，附图中图1示出了根据本专利技术实施例的真空沉积装置的透视图；图2示出了图1中示出的真空沉积装置的蒸发源部件的分解透视图；图3A示出了图1中示出的真空沉积装置的蒸发源部件的剖视图；图3B示出了图2和图3A中示出的多层内板的各层的俯视图。具体实施例方式现在，将在下文中参照附图来更充分地描述本专利技术，附图中示出了本专利技术的示例性实施例。然而，本专利技术可以以不同的形式实施，且不应被解释为局限于这里阐述的实施例。当然，提供这些实施例使得本公开彻底且完全，并且这些实施例将本专利技术的范围充分地传达给本领域的技术人员。在附图中，为了举例说明的清晰，会夸大元件和区域的尺寸。还应该理解，当元件被称作在另一元件或基底“上”时，该元件可直接在另一元件或基底上，或者也可存在中间元件。此外，应该理解，当元件被称作在另一元件“下”时，该元件可直接在另一元件下，或者也可存在一个或多个中间元件。除此之外，还应该理解，当元件被称作在两个元件“之间”时，该元件可以是这两个元件之间唯一的元件，或者也可存在一个或多个中间元件。相同的标号始终表示相同的元件。下面，将参照图1至图3B来更充分地描述具有根据本专利技术的蒸发源部件的真空沉积装置的示例性实施例。如图1中所示，真空沉积装置可包括真空室110和蒸发源部件130。真空沉积装置的真空室110可以是由本领域的普通技术人员之一确定的任何合适的压力控制容器，它可以与真空排气系统(未示出)连接，以使真空室110的内部保持在真空态。真空室110还可包括支撑架(未示出)，位于真空室110的上部，用来支撑基底；传感器(未示出)，附于真空室110的内壁，用来测定在其内被处理的基底上形成的膜层的厚度。真空沉积装置的蒸发源部件130可提供将被涂覆到基底上的蒸发材料。因此，蒸发源部件130可位于真空室110的下部，如图1中所示，它可包括坩锅140、加热器150、多层内板160和挡板(未示出)，如图2中所示，其中，挡板用来控制蒸发的薄膜材料的释放。此外，蒸发源部件130可以以这样一种方式设置其开口，即用于排出蒸发的材料的出口，可面向在真空沉积装置中将被处理的基底。蒸发源部件130的坩锅140可以是具有足够容积容纳薄膜材料的任何形状(例如圆柱形)的适合的加热容器。此外，坩锅140可以由导热性高的材料形成，例如由石墨、热解氮化硼(PBN)、金属或类似的材料形成。坩锅140可包括开口141和具有出口175的盖170，如图2所示。开口141可以以任何便利的形状形成在坩锅140的上部，以便于将蒸发的材料从坩锅140排出。例如，开口141可以在坩锅140的上表面上，即在坩锅140的与底部平行设置的上面板上，如图2中所示。盖170可以以与开口141的形状相同的形状形成，以便于适当的密封坩锅140。出口175可以穿过盖170以任何形式且在任何位置形成，以便于将蒸发的材料从坩锅140排出。具体地讲，盖170可以以这样一种方式形成，即蒸发的材料可仅通过出口175从坩锅140排出。并不旨在被理论所限制，应该相信，因为出口175可以控制排出的蒸发的材料的流动，所以用具有出口175的盖170密封坩锅140是有利的，从而提高了在基底上形成的薄膜的厚度均匀性。蒸发源部件130的加热器150可以以本领域公知的任何一种方式形成，用于围绕坩锅140的外表面并提供足够的热来蒸发置于其内的材料。例如，加热器150可以形成为能够电加热坩锅140的线圈，如图2中所示。蒸发源部件130的多层本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种蒸发源部件，包括：　　　　坩锅；　　　　加热器；　　　　多层内板，位于所述坩锅内部，所述多层内板的各层具有至少一个孔。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：李政烈，崔镕中，马成乐，闵卿旭，
申请(专利权)人：三星SDI株式会社，
类型：发明
国别省市：KR[韩国]