本发明专利技术公开了一种氧化硅或硅酸锌纳米线组装的微米级块状硅基复合体及其制备方法。复合体为硅基底上生成有嵌入硅基底内的微米级空心块状物，该微米级空心块状物的内壁上生成有氧化硅或硅酸锌纳米线阵列；方法为将硅基底和表面覆有锌粉的碳酸锌粉置于流动的氩气气氛中，其中，硅基底位于表面覆有锌粉的碳酸锌粉的下游，在９００～１１００℃下反应１０～２０ｍｉｎ或５０～７０ｍｉｎ，制得氧化硅或硅酸锌纳米线组装的微米级块状硅基复合体，所述的锌粉的纯度为≥９９．９９ｗｔ％，细度为１５０～２５０目，所述的碳酸锌粉的纯度为≥９９．９ｗｔ％，细度为１５０～２５０目，所述的流动的氩气气氛为５０～７０ｓｃｃｍ的氩气。它可广泛用于集成光学器件、光波导、近场光学探针以及发光载体、等离子体显示屏、阴极射线管和荧光灯等领域。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种微米级块状硅基复合体及制法，尤其是一种 。
技术介绍
随着传统的硅基材料的微型化，硅半导体材料面临的一个长 期的问题就是如何将纳米结构自组装在硅片衬底上以形成某种功能器件。在 这些纳米器件中，准一维纳米材料，包括纳米线、纳米棒、纳米带和纳米管 等，因具有小的尺寸和维度而具有特殊的物理和化学性能，在许多的领域具 有广泛的应用。例如，作为一种重要的发光材料，氧化硅纳米线可以应用于 集成光学器件、光波导、近场光学探针等。三元硅酸锌纳米线，特别是过渡 族或者稀土族金属掺杂的硅酸锌纳米线，是一种重要的绿光发光材料，可以 广泛应用于发光载体、等离子体显示屏、阴极射线管和荧光灯。因此，将这 些准一维纳米材料作为基本的组成元件，在硅片衬底上自组装形成复合结构，有着非常广泛的应用前景。为此，人们作了不懈的努力，如在2003年出版的 《化学物理快报》第367卷的第339 - 343页中的"大面积合成直的氧化硅纳 米线阵歹U" ( A simple large—scale synthesis of very long aligned silica na雨ires. Chem. Phys. Lett. 2003， 367, 339 ~ 343.) 一文就介绍了一种 在硅片上生长氧化硅纳米线阵列的方法。它是以硅片为原料和生长的衬底， 在对放置有多只硅片的管式炉抽真空后，于向管式炉中通入纯度为99.99%的 氩气的同时，先以lOC/min的加热速率升温至80(TC后保温30分钟，然后 再以相同的加热速率升温至1300°C,并在该温度下保温5个小时，最终降至 室温；其制成品为氧化硅纳米线簇生在硅片上。但是，这种生长方法存在着 不足之处，首先，不能在硅基底上生长出由氧化硅纳米线或硅酸锌纳米线构 成的嵌入硅基底中的微米级空心块状物；其次，生长的工艺繁杂，耗能、费 时，既要对管式炉抽真空，又需向其中通入髙纯度的氩气，所需加热的温度 还高，升温和保温的时间又长
技术实现思路
本专利技术要解决的技术问题为克服现有技术中的不足之处，提供一种在硅基底上生成的、嵌入其内的、由氧化硅纳米线或硅酸锌纳米线构成的微米级空心块状物的氧化硅或硅酸锌纳米线组装的微米级块状硅基复合 体。本专利技术要解决的另一个技术问题为提供一种氧化硅或硅酸锌纳米线组装 的微米级块状硅基复合体的制备方法。为解决本专利技术的技术问题，所采用的技术方案为氧化硅或硅酸锌纳米 线组装的微米级块状硅基复合体包括硅基底和其上的纳米线阵列，特别是所 说硅基底上生成有嵌入硅基底内的微米级空心块状物，所说微米级空心块状 物的内壁上生成有纳米线阵列，所说纳米线阵列为氧化硅或硅酸锌纳米线阵 列。作为氧化硅或硅酸锌纳米线组装的微米级块状硅基复合体的进一步改 进，所述的微米级空心块状物的三维尺寸均分别为100 - 200 jam;所述的氧 化硅或硅酸锌纳米线的长度为2~8pm、直径为10~100nm。为解决本专利技术的另一个技术问题，所采用的另一个技术方案为氧化硅 或硅酸锌纳米线组装的微米级块状硅基复合体的制备方法包括化学气相沉积 法，特别是它是按以下步骤完成的将硅基底和表面覆有锌粉的碳酸锌粉置 于流动的氩气气氛中，其中，硅基底位于表面覆有锌粉的碳酸锌粉的下游， 在900 ~ IIOO'C下反应10 ~ 20min或50 ~ 70min，制得氧化硅或硅酸锌纳米线组装的微米级块状硅基复合体。作为氧化硅或硅酸锌纳米线组装的微米级块状硅基复合体的制备方法的 进一步改进，所述的锌粉的纯度为》99.99wt。/。，细度为150 ~ 250目；所述的 碳酸锌粉的纯度为》99.9wty。，细度为150~ 250目；所述的流动的氩气气氛 为50~70Sccm的氩气；所述的硅基底与表面覆有锌粉的碳酸锌粉的间距为 3~5cm;所述的升温至900 ~ IIO(TC的升温速率为25 ~ 35C/min，反应结東 后，自然降温至室温；所述的硅基底为n型(100)方向的硅片。相对于现有技术的有益效果是，其一，将于900 - 110(TC下反应5min的 中间样品置于场发射扫描电子显微镜下进行表征，从得到的扫描电镜照片可 知，硅基底的表面已被刻蚀出了大量的方形凹坑，该方形凹坑的四壁均凸出 于硅基底的表面，其内壁相对于硅基底呈现出疏松状；其二，将于900 ~ IIO(TC下分别反应10-20min和50~70min的氧化硅纳米线组装的微米级块状硅基复合体和硅酸锌纳米线组装的微米级块状硅基复合体，即两种产物分别使用场发射扫描电子显微镜和x射线能谱仪来进行表征，从得到的扫描电 镜照片和x射线能谱图可知，硅基底上生成有大量的嵌入硅基底内的微米级 空心块状物，这些微米级空心块状物的三维尺寸均分别为100~ 200 pm，微 米级空心块状物的内壁上生成有纳米线阵列，纳米线的长度为2~8jim、直 径为10 100nm。纳米线阵列由氧化硅或硅酸锌构成；其三，将于900~1100°C 下分别反应10 ~ 20min和50 ~ 70min的两种产物分别使用透射电子显微镜和 荧光光谱仪来进行表征，从得到的透射电镜照片和对应的选区电子衍射照片、 以及荧光谱图可知，氧化硅纳米线均为非晶的，但硅酸锌纳米线结晶状况良 好，无缺陷存在。由内壁上生成有氧化硅纳米线的嵌入硅基底的微米级空心 块状物的光致发光荧光光谱图显示，该图具有两个蓝光发光带，峰位分别位 于408nm和492nm,由内壁上生成有硅酸锌纳米线的嵌入硅基底内的微米级 空心块状物的光致发光荧光光谱图显示，该图只有一个峰位位于520nm的绿 光发光峰，这与大块硅酸锌的发光是相一致的；其四，制备的工艺简单，反 应时所需的温度低，生产的周期短，整个制备过程只需约l小时，具有节能、 省时，成本低，易于工业化生产的特点。作为有益效果的进一步体现， 一是锌粉的纯度优选为》99.99wtX，细度 优选为150 ~ 250目，碳酸锌粉的纯度优选为》99.9wty。，细度优选为150 ~ 250目，即可较易于和较好地制备出两种产物；二是流动的氩气气氛优选为 50 70sccm的氩气，就能满足制备两种产物时的氩气氛的需要；三是硅基底 与表面覆有锌粉的碳酸锌粉的间距优选为3~5cm，即可制得质量稳定的两种 产物；四是升温至900 110(TC的升温速率优选为25~35°C/min，反应结束 后，自然降温至室温，除能在较短的时间内将温度升至所需的反应温度之外， 还能确保两种产物的质量；五是硅基底优选为n型(100)方向的硅片，既较 易生成，又使两种产物的质量有保证。附图说明下面结合附图对本专利技术的优选方式作进一步详细的描述。 图l是对在1000iC下反应5min所获得的中间样品使用Sirion 200型场发 射扫描电子显微镜(SEM)进行观测后摄得的SEM照片，其中，左上部为凹坑 之一的高倍放大SEM照片。从SEM照片中可以看到硅基底的表面已被刻蚀出了大量的方形凹坑，这些方形凹坑的四壁均凸出于硅基底的表面，方形凹坑的内壁相对于硅基底呈现出疏松状；图2是对在900 1100"C下反应10 20min多次制得的氧化硅纳米线组装 的微米级块状硅基复合体使用Sirion 200型场发射扫描电子显微镜(SEM)进 行观测后摄得的本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种氧化硅或硅酸锌纳米线组装的微米级块状硅基复合体，包括硅基底和其上的纳米线阵列，其特征在于：所说硅基底上生成有嵌入硅基底内的微米级空心块状物，所说微米级空心块状物的内壁上生成有纳米线阵列，所说纳米线阵列为氧化硅或硅酸锌纳米线阵列。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：魏青，孟国文，安小红，
申请(专利权)人：中国科学院合肥物质科学研究院，
类型：发明
国别省市：34[中国|安徽]
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