半导体功率器件的制作方法技术

本发明专利技术提供了一种半导体功率器件的制作方法，所述半导体功率器件的制作方法包括：在N型衬底形成N型外延层，并在所述N型外延层表面依次形成栅氧化层和多晶硅层；对所述多晶硅层进行不完全刻蚀，以在未刻蚀区域保留多晶硅层，并在刻蚀区域形成多晶硅薄层；通过所述多晶硅薄层对所述N型外延层进行P‑注入，来在所述N型外延层表面形成P‑体区；通过所述多晶硅薄层对所述P‑体区进行N+型注入，来在所述P‑体区形成N+源区；对所述多晶硅层进行氧化处理，其中所述多晶硅薄层被完全氧化成氧化层，并通过所述氧化层对所述P‑体区进行P+注入，以在所述N+源区周围形成P+区。

【技术实现步骤摘要】
半导体功率器件的制作方法
本专利技术涉及半导体芯片制造
，特别地，涉及一种半导体功率器件的制作方法。
技术介绍
垂直双扩散场效应晶体管(VDMOS)是一种常见的半导体功率器件，在平面型VDMOS的制作工艺中，在多晶硅的刻蚀时，经常会遇到离子损伤问题。具体而言，在对多晶硅膜层进行干法刻蚀过程中，可能会存在大量的离子积累在多晶硅膜层里面，随着多晶硅膜层的刻蚀过程的进行，离子越积累越多，最后可能会造成部分区域的栅极氧化层发生击穿现象。并且，上述栅极氧化层的击穿现象，跟多晶硅刻蚀的区域大小有关。有鉴于此，有必要提供一种半导体功率器件的制作方法，以解决现有技术存在的上述问题。
技术实现思路
本专利技术的其中一个目的在于为解决上述问题而提供一种半导体功率器件的制作方法。本专利技术提供的半导体功率器件的制作方法，包括：在N型衬底形成N型外延层，并在所述N型外延层表面依次形成栅氧化层和多晶硅层；对所述多晶硅层进行不完全刻蚀，以在未刻蚀区域保留多晶硅层，并在刻蚀区域形成多晶硅薄层；通过所述多晶硅薄层对所述N型外延层进行P-注入，来在所述N型外延层表面形成P-体区；通过所述多晶硅薄层对所述本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体功率器件的制作方法，其特征在于，包括：在N型衬底形成N型外延层，并在所述N型外延层表面依次形成栅氧化层和多晶硅层；对所述多晶硅层进行不完全刻蚀，以在未刻蚀区域保留多晶硅层，并在刻蚀区域形成多晶硅薄层；通过所述多晶硅薄层对所述N型外延层进行P‑注入，来在所述N型外延层表面形成P‑体区；通过所述多晶硅薄层对所述P‑体区进行N+型注入，来在所述P‑体区形成N+源区；对所述多晶硅层进行氧化处理，其中所述多晶硅薄层被完全氧化成氧化层，并通过所述氧化层对所述P‑体区进行P+注入，以在所述N+源区周围形成P+区。

【技术特征摘要】
1.一种半导体功率器件的制作方法，其特征在于，包括：在N型衬底形成N型外延层，并在所述N型外延层表面依次形成栅氧化层和多晶硅层；对所述多晶硅层进行不完全刻蚀，以在未刻蚀区域保留多晶硅层，并在刻蚀区域形成多晶硅薄层；通过所述多晶硅薄层对所述N型外延层进行P-注入，来在所述N型外延层表面形成P-体区；通过所述多晶硅薄层对所述P-体区进行N+型注入，来在所述P-体区形成N+源区；对所述多晶硅层进行氧化处理，其中所述多晶硅薄层被完全氧化成氧化层，并通过所述氧化层对所述P-体区进行P+注入，以在所述N+源区周围形成P+区。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述栅氧化层在900～1100℃的温度条件下对所述N型外延层进行氧化处理得到，且其厚度为0.05～0.20um；所述多晶硅层在500～900℃的温度条件下在所述栅氧化层制作而成，且其厚度为0.3～1.0um。3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述多晶硅层进行不完全刻蚀的步骤包括：选择性地对预定的刻蚀区域的多晶硅层进行不完全刻蚀处理，其中所述刻蚀区域的多晶硅层保留一部分多晶硅材料而形成多晶硅薄层，其中，所述多晶硅薄层的厚度为0.01～0.10um。4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，通过所述多晶硅薄层进行P-注入的离子为硼离子，所述硼离子的注入剂量为1.014～1.015个/cm，且其注入能量为100KEV～300KEV。5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述硼离子注入到所述N型外延层之后通过驱入处理使得所述硼离子在所述N型外延层进行扩展而形成所述P-体区，其中所述驱入处理的驱...

【专利技术属性】
技术研发人员：不公告发明人，
申请(专利权)人：深圳迈辽技术转移中心有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44