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本发明提供了一种半导体功率器件的制作方法，所述半导体功率器件的制作方法包括：在N型衬底形成N型外延层，并在所述N型外延层表面依次形成栅氧化层和多晶硅层；对所述多晶硅层进行不完全刻蚀，以在未刻蚀区域保留多晶硅层，并在刻蚀区域形成多晶硅薄层；通...
该专利属于深圳迈辽技术转移中心有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过深圳迈辽技术转移中心有限公司授权不得商用。

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