The invention discloses a preparation method of a CuSe2 compound rotating target, including ingredients, pulverizing, and selecting a non magnetic pipe with a suitable diameter as the substrate, and using the supersonic cold spraying technology to spray the CuSe2 powder on the outer surface of the pre treated substrate, the thickness of the deposition layer is not more than 20mm, and then the cold isostatic pressure technology is further extracted. High density and high temperature sintering obtain the rough target of the corresponding target structure, and the rotating target blank is machined to get the target. The CuSe2 rotary target material prepared by the invention has uniform internal density, which is favorable for the formation of good coating, and reduces the defective rate of solar products.
【技术实现步骤摘要】
CuSe2化合物旋转靶材的制备方法
本专利技术涉及一种光电材料技术，具体说，涉及一种CuSe2化合物旋转靶材的制备方法。
技术介绍
太阳能电池经过近20年的发展，已由硅晶系向化合物薄膜方向发展。硅晶系光转换效率目前已达17％以上，但其制造成本高。整个产业在前期由于制备多晶硅、单晶硅消耗了大量的能源，给环境带来了较大的影响。为了更好的利用太阳能，开发了制造成本较低、耗能相对较少、可批量生产的Cu-In-Ga-Se化合物薄膜太阳能电池。在Cu-In-Ga-Se化合物薄膜太阳能电池制备工艺过程中，使用了CuSe2化合物作为磁控溅射镀膜用靶材之一，使太阳能电池的生产更简单，投资成本更低，生产成本更小，最终产品成本更低。目前，制备CuSe2靶材的方法成本高，密度相对不够均匀，材料利用率不超过40％。
技术实现思路
本专利技术所解决的技术问题是提供一种CuSe2化合物旋转靶材的制备方法，制备的CuSe2旋转靶材的内部密度均匀，有利于良好镀膜的形成，减少太阳能产品的次品率。技术方案如下：一种CuSe2化合物旋转靶材的制备方法，包括：配料、制粉，选择合适直径的无磁管件作为基体；利用超...
【技术保护点】
一种CuSe2化合物旋转靶材的制备方法，包括：配料、制粉，选择合适直径的无磁管件作为基体；利用超音速冷喷涂技术将CuSe2粉体在预处理后的基体外表面喷涂，沉积层厚度不超过20mm，再利用冷等静压技术进一步提高密度；通过高温烧结获取相应组织结构的旋转靶材毛坯，旋转靶材毛坯经机加工后得到旋转靶材。
【技术特征摘要】
1.一种CuSe2化合物旋转靶材的制备方法，包括：配料、制粉，选择合适直径的无磁管件作为基体；利用超音速冷喷涂技术将CuSe2粉体在预处理后的基体外表面喷涂，沉积层厚度不超过20mm，再利用冷等静压技术进一步提高密度；通过高温烧结获取相应组织结构的旋转靶材毛坯，旋转靶材毛坯经机加工后得到旋转靶材。2.如权利要求1所述CuSe2化合物旋转靶材的制备方法，其特征在于：CuSe2粉体的平均粒度为1～5μm，CuSe2粉体按照CuSe:Se摩尔比1:1混料制得。3.如权利要求1所述CuSe2化合物旋转靶材的制备方法，其特征在于：无磁管件选用无磁不锈钢管、金属铜管、金属钛管、镍铬管或镍铝管，两端按要求加工连接用螺扣，并对无磁管件的表面进行喷砂、清洗、烘干的预处理。4.如权利要求1所述CuSe2化合物旋转靶材的制备方法，其特征在于：在氦气或氮气保护气氛下，送粉装置将CuSe2粉体送到超音速冷喷涂技术枪，...
【专利技术属性】
技术研发人员：刘树峰，孙良成，李静雅，李慧，鲁飞，刘小鱼，白洋，娄树普，温永清，
申请(专利权)人：包头稀土研究院，瑞科稀土冶金及功能材料国家工程研究中心有限公司，
类型：发明
国别省市：内蒙古,15
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