一种CMP抛光液及其在GaAs晶片抛光中的应用制造技术

本发明专利技术涉及一种CMP抛光液及其在GaAs晶片抛光中的应用，每100重量份的抛光液中，包括磨料0.1～50份、表面活性剂0.001～0.4份、成膜剂0.001～0.6份、pH值调节剂0.05～10份、抛光促进剂0.01～4份、余量为去离子水；抛光液pH值范围为9.5～12.5。采用本发明专利技术的抛光液对GaAs晶片进行抛光，可以使抛光去除速率、抛光后的晶片表面粗糙度和平整度等各项性能指标都能达到更为满意的要求，且易于清洗，不会腐蚀设备，不会引入有害金属离子。本发明专利技术的抛光液可以长时间连续循环使用6～10小时。在循环期间，抛光液的抛光去除速率、抛光后的晶片表面粗糙度和平整度等各项性能指标均保持稳定，极大地节约了资源，降低了抛光液的使用成本。

A CMP polishing solution and its application in GaAs wafer polishing

The invention relates to a CMP polishing solution and its application in the polishing of GaAs wafers. In the polishing solution for every 100 weight parts, it includes 0.1 to 50 portions of abrasive, 0.001 to 0.4 parts of surfactants, 0.001 to 0.6 filming agents, 0.05 to 10 parts of pH regulator, 0.01 to 4 phr polishing accelerators, and the residue of the deionized water; the pH value range of the polishing liquid is 9.5. To 12.5. The polishing solution of the invention can make the polishing removal rate, the surface roughness and the whole degree of the wafer polishing after polishing, and can achieve more satisfactory requirements, and easy to clean, do not corrode the equipment, and do not introduce harmful metal off the son. The polishing liquid of the invention can be recycled for 6~10 hours for a long time. During the cycle, the polishing removal rate, the wafer surface roughness and the whole degree of the polishing are stable, which greatly saves the resources and reduces the use cost of the polishing liquid.

【技术实现步骤摘要】
一种CMP抛光液及其在GaAs晶片抛光中的应用
本专利技术属于半导体加工的
，具体涉及一种CMP抛光液及其在GaAs晶片抛光中的应用。
技术介绍
砷化镓(GaAs)是一种极其重要的第二代半导体材料，具有电子迁移率高、宽禁带、直接带隙、功率消耗低等特性，在微电子和光电子产业，尤其是国防和卫星通讯领域发挥着非常重要的作用。用GaAs制成的半导体器件具有高频、高温、低温性能好及噪声小、抗辐射能力强等优点。虽然GaAs具有优越的性能，但其高温分解，使得生产理想化学配比的高纯单晶材料的技术难度较高。GaAs是目前生产量最大、应用最广的化合物半导体材料，是重要性仅次于硅的半导体材料。由于GaAs材料的优异特性，我国及世界各主要国家正大力支持其相关行业的蓬勃发展。随着智能手机进入4G时代，以至于后面的5G及物联网的崛起，多模多频的GaAs微波功率器件需求量将大幅提升。未来几年，随着我国光电通信及其它新行业(如太阳能薄膜)的快速发展，GaAs材料的市场需求将会更大。预计到2022年，我国GaAs市场销售额将会达到100亿元。GaAs电路和器件均是以GaAs抛光晶片为衬底，抛光晶片的表面质量直接本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种CMP抛光液，其特征在于，每100重量份的抛光液中，包括磨料0.1～50份、表面活性剂0.001～0.4份、成膜剂0.001～0.6份、pH值调节剂0.05～10份、抛光促进剂0.01～4份、余量为去离子水；抛光液pH值范围为9.5～12.5。

【技术特征摘要】
1.一种CMP抛光液，其特征在于，每100重量份的抛光液中，包括磨料0.1～50份、表面活性剂0.001～0.4份、成膜剂0.001～0.6份、pH值调节剂0.05～10份、抛光促进剂0.01～4份、余量为去离子水；抛光液pH值范围为9.5～12.5。2.根据权利要求1所述的抛光液，其特征在于，每100重量份的抛光液中，包括磨料1～45份、表面活性剂0.005～0.2份、成膜剂0.02～0.4份、pH值调节剂0.1～8份、抛光促进剂0.05～2份、余量为去离子水，抛光液pH值范围为10～12。3.根据权利要求1或2所述的抛光液，其特征在于，所述磨料为硅溶胶、铝溶胶、锆溶胶、铈溶胶和钛溶胶中的一种或几种组合。4.根据权利要求3所述的抛光液，其特征在于，所述溶胶中磨料的粒径范围为5nm～150nm，所述溶胶的pH值为8～10；优选的，所述溶胶中磨料的粒径范围为10nm～100nm。5.根据权利要求1或4所述的抛光液，其特征在于，所述表面活性剂为烷基酚聚氧乙烯醚、脂肪醇聚氧乙烯醚、脂肪酸聚氧乙烯酯、聚丙二醇的环氧乙烷加成物、失水山梨醇酯、吐温或烷基醇酰胺中的一种或几种组合；...

【专利技术属性】
技术研发人员：王乐军，宋士佳，李琳琳，刘桂勇，姜宏，彭东阳，
申请(专利权)人：北京创昱科技有限公司，
类型：发明
国别省市：北京,11