通过硅来分配功率的两侧上的金属制造技术

一种设备，包括电路结构，其包括装置层；以及接触部，其耦合到供应线并布线通过所述装置层，并且在第一侧上耦合到至少一个装置。一种方法，包括：将供应从封装衬底提供到电路结构的装置层中的至少一个晶体管；以及使用装置层的下侧上的供应线将供应分配到所述至少一个晶体管，并且通过将接触部从供应线布线通过装置层来接触装置侧上的所述至少一个晶体管。一种系统，包括封装衬底和管芯，所述管芯包括部署在装置层的下侧上并布线通过装置层并且耦合到装置侧上的多个晶体管装置中的至少一个的至少一个供应线。

Metal on both sides of the power by silicon

A device, including a circuit structure, which includes a device layer, and a contact part, coupled to a supply line and wiring through the device layer, and coupled to at least one device on the first side. A method, including: at least one transistor in the device layer supplied from the package substrate to the circuit structure, and the supply line on the lower side of the device layer to allocate the supply to the at least one transistor, and at least to contact the device side by placing the contact part from the supply line through the mounting layer. A transistor. A system, including a package substrate and a tube core, which includes at least one supply line deployed on the lower side of the device layer and wiring through the device layer and at least one of the plurality of transistor devices coupled to the device side.

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】通过硅来分配功率的两侧上的金属
包括装置（包括来自装置的背侧的电连接）的半导体装置。
技术介绍
对于过去的几十年，集成电路中特征的缩放已经是不断增长的半导体工业背后的驱动力。缩放成越来越小的特征能够实现半导体芯片的有限基本面（realestate）上功能单元的增加的密度。例如，缩小晶体管尺寸允许在芯片上结合增加的数量的存储器装置，引起具有增加的容量的产品的制作。然而，对于不断更多的容量的驱动并非没有问题。对于优化每个装置的性能的必要性变得愈加显著。未来电路装置（诸如中央处理单元装置）将期望集成在单个管芯或芯片中的高性能装置和低电容、低功率装置两者。附图说明图1示出了包括连接到封装衬底的集成电路芯片或管芯的组合件的一个实施例的横截面示意性侧视图。图2示出了通过线A-A'的管芯的一部分的横截面侧视图。图3示出了根据第二实施例的通过线A-A'的管芯的一部分的横截面侧视图。图4示出了根据第三实施例的通过线A-A'的管芯的一部分的横截面侧视图。图5示出了根据第四实施例的通过线A-A'的管芯的一部分的横截面侧视图，其中，通过使用较大面积的传导接触部（contact）或通孔以连接装置侧互连并且连接本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种设备，包括：包括装置层的电路结构，所述装置层包括多个晶体管装置，各自包括第一侧和相对的第二侧；供应线，部署在所述装置层的所述第二侧上；以及接触部，耦合到所述供应线并布线通过所述装置层，并且在所述第一侧上耦合到所述多个晶体管装置中的至少一个。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种设备，包括：包括装置层的电路结构，所述装置层包括多个晶体管装置，各自包括第一侧和相对的第二侧；供应线，部署在所述装置层的所述第二侧上；以及接触部，耦合到所述供应线并布线通过所述装置层，并且在所述第一侧上耦合到所述多个晶体管装置中的至少一个。2.根据权利要求1所述的设备，其中所述多个晶体管装置被布置在执行功能并包括邻近晶体管装置的绝缘区域的单元中，并且所述接触部布线通过所述绝缘区域。3.根据权利要求2所述的设备，其中所述绝缘区域包括开口栅极电极区域。4.根据权利要求2所述的设备，其中所述接触部在所述单元的端。5.根据权利要求1所述的设备，其中所述供应线包括正供应线，并且所述接触部是正供应接触部，所述设备还包括部署在所述结构的所述第二侧上的第二供应线和耦合到所述第二供应线并布线通过所述装置层并且在所述第一侧上耦合到所述多个晶体管装置中的至少一个的第二供应接触部。6.根据权利要求1所述的设备，其中所述装置层被部署在衬底上，并且所述衬底被部署在所述装置层与所述供应线之间。7.根据权利要求5所述的设备，其中所述接触部布线通过所述衬底。8.根据权利要求5所述的设备，其中所述接触部包括布线通过所述衬底的第一部分和从所述衬底布线通过所述装置层的第二部分，其中所述第一部分包括比所述第二部分的体积更大的体积。9.根据权利要求1所述的设备，其中所述多个晶体管装置被布置在执行功能的单元中，并且所述接触部布线到邻近所述单元的所述第一侧上的分配线。10.根据权利要求1所述的设备，其中所述多个晶体管装置被布置在执行功能的单元中，并且所述接触部以槽的形式布线到邻近所述单元的所述第一侧。11.一种方法，包括：将供应从封装衬底提供到电路结构的装置层中的至少一个晶体管，所述至少一个晶体管具有装置侧和下侧；以及使用在所述装置层的所述下侧上的供应线将所述供应分配到所述至少一个晶体管，并且通过将接触部从所述供应线布线通过所述装置层来接触所述装置侧上的所述至少一个晶体管。12.根据权利要求11所述的方法，其中所述多个晶体管装置被布置在执行功能并包括邻近晶体管装置的绝缘区域的单元中，并且将所述接触部布线通过所述装置层包括将所述接触部布线通过所述绝缘区域。13.根据权利要求12所述的方法，其中所述绝缘区域包括开口...

【专利技术属性】
技术研发人员：DW纳尔逊，MT博尔，P莫罗，
申请(专利权)人：英特尔公司，
类型：发明
国别省市：美国,US