The utility model discloses an integrated power module and an intelligent power module for motor drive. The success rate module includes a lead frame with a plurality of core pads and a plurality of pins, and a plurality of high side transistors and a plurality of low side transistors fixed on the plurality of core pads, the first gate drive chip, the second gate drive chip, and the first auxiliary module; the first gate drive is used. The chip is used for providing gate driven signals for the plurality of high side transistors. The second gate drive chip is used to provide gate driven signals for the plurality of low side transistors. The first auxiliary module is used for bridging the second gate drive chip and at least one transistor in the plurality of low side crystal tubes. The lead line. The success rate module uses an auxiliary module to improve the chip layout and walking line in the module, thus improving the reliability of the integrated power module and improving the production rate and efficiency.
【技术实现步骤摘要】
用于电机驱动的集成功率模块和智能功率模块
本技术涉及集成半导体
,更具体地,涉及一种用于电机驱动的集成功率模块及智能功率模块。
技术介绍
在电机驱动应用中,可以采用电机驱动电路从直流电源产生三相的驱动电压,用于向三相电机供电。现有的电机驱动电路包括控制芯片、多个栅极驱动芯片、以及由多个晶体管组成的全桥电路。随着人们对于芯片高集成、小型化的需求,已经将电机驱动电路形成集成功率模块,以实现电机控制和功率驱动一体化。图1和2分别示出根据现有技术的集成功率模块的示意性电路图和内部透视图。如图1所示,现有的电机驱动电路包括电机控制专用芯片A1、第一至第三栅极驱动芯片U1至U3、以及第一至第三高侧晶体管Q11、Q21和Q31、第一至第三低侧晶体管Q12、Q22和Q32。电机控制专用芯片A1用于产生预定相位差的逻辑控制信号。第一栅极驱动芯片U1用于产生控制信号,用于控制串联连接的第一高侧晶体管Q11和第一低侧晶体管Q12的导通状态,在二者的中间节点U产生随时间周期性变化的U相输出信号。类似地,在第二高侧晶体管Q21和第二低侧晶体管Q22的中间节点V产生V相输出信号,以及在 ...
【技术保护点】
一种用于电机驱动的集成功率模块,其特征在于,包括:引线框架,所述引线框架具有多个管芯垫和多个管脚;以及固定在所述多个管芯垫上的多个高侧晶体管和多个低侧晶体管、第一栅极驱动芯片、第二栅极驱动芯片和第一辅助模块;其中,所述第一栅极驱动芯片用于为所述多个高侧晶体管提供栅极驱动信号,所述第二栅极驱动芯片用于为所述多个低侧晶体管提供栅极驱动信号,所述第一辅助模块用于桥接所述第二栅极驱动芯片和所述多个低侧晶体管中的至少一个晶体管之间的引线。
【技术特征摘要】
1.一种用于电机驱动的集成功率模块,其特征在于,包括:引线框架,所述引线框架具有多个管芯垫和多个管脚;以及固定在所述多个管芯垫上的多个高侧晶体管和多个低侧晶体管、第一栅极驱动芯片、第二栅极驱动芯片和第一辅助模块;其中,所述第一栅极驱动芯片用于为所述多个高侧晶体管提供栅极驱动信号,所述第二栅极驱动芯片用于为所述多个低侧晶体管提供栅极驱动信号,所述第一辅助模块用于桥接所述第二栅极驱动芯片和所述多个低侧晶体管中的至少一个晶体管之间的引线。2.根据权利要求1所述的集成功率模块,其特征在于,所述多个高侧晶体管固定在公共的管芯垫上,所述多个低侧晶体管分别固定在各自的管芯垫上。3.根据权利要求2所述的集成功率模块,其特征在于,还包括高压带,所述高压带接收高侧驱动供电电压,并且围绕所述多个高侧晶体管。4.根据权利要求3所述的集成功率模块,其特征在于,所述高压带将所述多个高侧晶体管与所述多个低侧晶体管、所述第一栅极驱动芯片、所述第二栅极驱动芯片和所述第一辅助模块彼此隔开。5.根据权利要求1所述的集成功率模块,其特征在于,所述多个高侧晶体管包括第一至第三高侧晶体管,所述多个低侧晶体管包括第一至第三低侧晶体管,所述第一高侧晶体管与所述第一低侧晶体管经由管脚串联连接,且在中间节点提供U相输出电压,所述第二高侧晶体管与所述第二低侧晶体管经由管脚串联连接,且在中间节点提供V相输出电压,所述第三高侧晶体管与所述第三低侧晶体管经由引线串联连接,且在中间节点提供W相输出电压,所述第一辅助模块位于所述第二栅极驱动芯片和所述第一低侧晶体管之间,并且用于桥接二者之间的引线,用于提供栅极控制信号。6.根据权利要求5所述的集成功率模块,其特征在于,所述多个管芯垫包括第一至第六管芯垫,其中,所述第一至第三高侧晶体管固定在公共的第一管芯垫上,所述第一至第三低侧晶体管分别固定在第二至第四管芯垫上,所述第一栅极驱动芯片和所述第二栅极驱动芯片固定在公共的第五管芯上,所述第一辅助模块固定在第六管芯垫上。7.根据权利要求5所述的集成功率模块,其特征在于,还包括第一至第三自举二极管,所述第一至第三自举二极管的阴极分别连接至所述第一栅极驱动芯片的第一至第三高侧驱动供电电压管脚,所述引线框架还包括第七管芯垫,所述第一至第三自举二极管的阳极共同连接至所述第七管芯垫。8.根据权利要求7所述的集成功率模块,其特征在于,所述第一至第三自举二极管的阳极形成在同一个P型衬底上。9.根据权利要求5所述的集成功率模块,其特征在于,所述第二栅极驱动芯片包括电机控制专用模块和低压栅极驱动模块,所述第二栅极驱动芯片包括第一至第三组管脚,第一组管脚用于提供低侧栅极驱动信号,第二组管脚用于提供高侧栅极控制信号、模拟信号和I/O信号,第三组管脚用于接收霍尔信号。10.根据权利要求9所述的集成功率模块,其特征在于,所述电机控制专用模块及经由所述第二组管脚和所述第二栅极驱动芯片外部的引线向所述第一栅极驱动芯片提供高侧栅极控制信号,经由所述第三组管脚和所述第二栅极驱动芯片外部的引线从所述集成功率模块的外部获取霍尔信号,以及经由所述第二栅极驱动芯片内部的布线向所述低压栅极驱动模块提供低...
【专利技术属性】
技术研发人员:吴美飞,程宇,徐晖,李祥,
申请(专利权)人:杭州士兰微电子股份有限公司,
类型:新型
国别省市:浙江,33
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