The invention provides a method for manufacturing an electronic device and a manufacturing device thereof. The present invention enables a substrate with a plurality of device chips to contact a first roll including a selective area with adhesive properties, the first roll is rotated, at the same time, at the same time, at the same time, at least part of the device chip on the above substrate is selectively stripped and bonded to the selective bonding area of the first roller to be removed from the first roll, and then the first roll is made on the first roll. The device chip is contacted with the substrate and rotates the first roll to the substrate. In addition, after the device chip on the first roll is moved to the second roll, the second roll is moved to the product base plate, which can reverse the surface and the back of the electronic device. By using the invention, the device chip can be loaded from the substrate to a large area of the product substrate with a low cost, a good configuration precision and a selective substrate.
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】使用器件芯片的电子器件的制造方法及其制造装置
本专利技术涉及使用器件芯片的电子器件的制造方法,尤其涉及配置多个与电子器件相比起来微细的器件芯片从而制造电子器件的方法及其制造装置。
技术介绍
在使用发光元件LED的显示装置中,在显示画面用基板上配置有多个构成各像素的三色(RGB)的LED,各像素基于图像信号发光,显示图像作为显示画面的整体。各像素决定显示画面的分辨率,分辨率越大(像素越微细),越能再现光滑的图像。在大画面的显示装置中,像素的元件越大,则显示的分辨率越小,即成为粗糙的图像。在显示画面用基板上直接制造LED,由于其大小以及伴随其制造工艺上存在技术问题而较为困难,因此例如将在化合物半导体基板上另行制造的LED,移载到与各像素对应的显示画面用基板上,来制造显示装置。专利文献1中公开了如下制造液晶显示装置的方法,即在大画面的有源矩阵式的液晶显示装置中,在基板上制成多个TFT元件,选择性地将TFT元件转印(原样移载)到液晶显示装置用的基板上,在与配置有对置的彩色滤色器的基板之间封住液晶材料,从而制造液晶显示装置。在专利文献1中还公开了如下技术:将在基板上制成的T ...
【技术保护点】
一种电子器件的制造方法,其特征在于,包括:准备第一基板和第二基板的工序,所述第一基板具有第一粘接层且在所述第一粘接层上粘接有多个器件芯片,所述第二基板具有第二粘接层;第一取出工序,一边使具有包括选择性粘接区域的第三粘接层的第一辊旋转,一边使所述第一基板上的所述器件芯片的至少一部分接触并粘接到所述选择性粘接区域的至少一部分上,将所述器件芯片的至少一部分从所述第一基板剥离;以及第一移载工序,一边使所述第一辊旋转,一边使所述选择性粘接区域的所述器件芯片接触并粘接到所述第二基板的粘接层,从所述选择性粘接区域剥离所述器件芯片。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2016.03.25 JP 2016-0626271.一种电子器件的制造方法,其特征在于,包括:准备第一基板和第二基板的工序,所述第一基板具有第一粘接层且在所述第一粘接层上粘接有多个器件芯片,所述第二基板具有第二粘接层;第一取出工序,一边使具有包括选择性粘接区域的第三粘接层的第一辊旋转,一边使所述第一基板上的所述器件芯片的至少一部分接触并粘接到所述选择性粘接区域的至少一部分上,将所述器件芯片的至少一部分从所述第一基板剥离;以及第一移载工序,一边使所述第一辊旋转,一边使所述选择性粘接区域的所述器件芯片接触并粘接到所述第二基板的粘接层,从所述选择性粘接区域剥离所述器件芯片。2.根据权利要求1所述的电子器件的制造方法,其特征在于,所述第一粘接层和所述器件芯片的粘接力比所述选择性粘接区域和所述器件芯片的粘接力弱;所述选择性粘接区域和所述器件芯片的粘接力比所述第二粘接层和所述器件芯片的粘接力弱。3.一种电子器件的制造方法,其特征在于,包括:准备第一基板和第二基板的工序,所述第一基板具有第一粘接层且在所述第一粘接层上粘接有多个器件芯片,所述第二基板具有第二粘接层;第一取出工序,一边使具有包括选择性粘接区域的第三粘接层的第一辊旋转,一边使所述第一基板上的所述器件芯片的至少一部分接触并粘接到所述选择性粘接区域的至少一部分上,将所述器件芯片的至少一部分从所述第一基板剥离;反转工序,使第四粘接层的第二辊与所述第一辊的所述选择性粘接区域上的所述器件芯片相接触并粘接,使第二辊和所述第一辊在彼此相反的方向上旋转,由此将所述器件芯片从所述选择性粘接区域剥离;以及第二移载工序,一边使所述第二辊旋转,一边使所述器件芯片接触并粘接到所述第二基板的粘接层上,从所述第二辊剥离所述器件芯片。4.根据权利要求3所述的电子器件的制造方法,其特征在于,所述第一粘接层和所述器件芯片的粘接力比所述选择性粘接区域和所述器件芯片的粘接力弱;所述选择性粘接区域和所述器件芯片的粘接力比所述器件芯片和所述第四粘接层的粘接力弱;所述第...
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