The invention discloses a new hydrophobic modification method for microfluidic chips in microfluidic chips. The method uses nano coating technology to realize the hydrophobic modification of microfluidic chips in microfluidic chips. Before the nano coating, the surface structure of the micro channel inside the chip is first activated to increase the coating firmness of the subsequent nano coating. In addition, the method uses low temperature and low pressure plasma through repeated high or low switching of vacuum degree, and can solve the problem of reagent pollution introduced by the existing chemical reagents to handle the internal channel of microfluidic chip, and eliminate the influence of the third substances on the application research in the biological field; for the whole chip, the whole chip can be eliminated. The internal microfluidic structure is more fully processed, more friendly to the environment and operators, and improves the preparation efficiency and reduces the chip manufacturing cost.
【技术实现步骤摘要】
一种微流控芯片内部微流道的疏水性改性方法
本专利技术涉及微流控芯片
,具体涉及一种微流控芯片内部微流道的疏水性改性方法。
技术介绍
微流控芯片技术(Microfluidics)是把生物、化学、医学等学科领域分析过程的样品制备、反应、分离、检测等基本操作单元集成到一块微米尺度的芯片上,自动完成分析全过程。由于它在生物、化学、医学等领域的巨大潜力,已经发展成为一个生物、化学、医学、流体、电子、材料、机械等学科交叉的崭新研究领域。为了匹配适应在微流控芯片上进行分离、分析等各种操作的物质的种类,提高分析物的处理效率,扩展微流控芯片的应用范围,通常会对微流控芯片内部微流道表面进行适当的修饰及改性,以有效控制电渗流(EOF)的大小,改善微流控芯片微流道表面的疏水性能,减小目标分子在微流控芯片微流道表面的非特异性吸附,从而获得更准确的分析物处理结果。目前的微流控芯片的疏水改性技术大多采用化学试剂的方式进行,一方面是在芯片键合前通过化学试剂处理芯片并且烘干后再进行键合,然而这种方式通常会影响后续的键合强度;另一方面是将键合完成后的芯片再通过化学试剂处理来实现,通常是将活性剂等化学试剂注入到键合后的芯片微流道内,让试剂与微流道内部表面充分接触,并可以通过加热等工艺处理一段时间后将试剂泵出,然后烘干微流道。但是,采用化学试剂来处理芯片都会存在这样的问题,即通过化学试剂处理通常无法将整个芯片内部的微流道结构处理充分,对于芯片内部几个微米等极其微小的结构区域,由于化学试剂液体张力等原因,经常会出现处理不到的情况。并且如此操作非常繁琐,由于液体封闭在芯片内部的微流道内,所以烘 ...
【技术保护点】
一种微流控芯片内部微流道的疏水性改性方法,其特征在于,所述方法包括,对热键合完成的微流控芯片通过低温低压等离子体处理来对内部微流道表面施加疏水性纳米镀膜,其中所述低温低压等离子体处理采用真空度反复高低切换的方式进行。
【技术特征摘要】
1.一种微流控芯片内部微流道的疏水性改性方法,其特征在于,所述方法包括,对热键合完成的微流控芯片通过低温低压等离子体处理来对内部微流道表面施加疏水性纳米镀膜,其中所述低温低压等离子体处理采用真空度反复高低切换的方式进行。2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述真空度反复高低切换在20-60mTorr之间进行。3.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述疏水性纳米镀膜通过含氟单体的等离子体处理获得,所述含氟单体包括1,1,1,2,2,3,3,4,4,5,5,6,6-十三氟-8-碘辛烷。4.根据权利要求1-3中任一项所述的方法,其特征在于,在施加疏水性纳米镀膜之前,对芯片内部微流道的表面结构进行活化处理,所述活化处理通过使用O2的低温低压等离子体处理来进行,且所述低温低压等离子体处理采用真空度反复高低切换的方式进行。5.根据权利要求4所述的方法,其特征在于,所述使用O2的低温低压等离子体处理的真空度反复高低切换在60-150mTorr之间进行。6.一种微流控芯片内部微流道的疏水性改性方法,其特征在于,所述方法包括以下工艺步骤:(1)将热键合完成的微流控芯片放入等离子舱室中,关闭舱门,将舱室内的真空度抽到14-16mTorr;(2)采用O2作为工艺气体,O2流量为90-110sccm,CH4流量为6-8sccm;设置等离子功率为100W;并将O2的气体出口压力控制在0.8-1.1Bar;(3)使O2气体进入等离子舱室中,将舱室内的真空度稳定在85-95mTorr,持续50-65s;(4)进行放电产生等离子体;(5)产生等离子体后,使舱室内的真空度经过6s匀速下降至60mTorr并稳定2s,然后...
【专利技术属性】
技术研发人员:冯昌喜,张文杰,
申请(专利权)人:北京百奥芯科技有限公司,
类型:发明
国别省市:北京,11
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