阵列基板及OLED显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种阵列基板，包括虚拟像素单元；虚拟像素单元包括：第一多晶硅层、制备于第一多晶硅层表面的第一栅绝缘层，制备于第一栅绝缘层表面的第一栅极金属；覆盖第一栅绝缘层与第一栅极金属的第一间绝缘层；以及制备于第一间绝缘层表面的第一源/漏极金属；其中，第一源/漏极金属与第一多晶硅层通过第一金属通孔连接；有益效果为：本发明专利技术提供的阵列基板，将虚拟像素单元的间绝缘层增加通孔将，将虚拟像素单元的多晶硅层与源漏极金属连接，将生产过程中的制程ESD经过一行扫描线首尾端的虚拟像素的间绝缘层通孔进入而释放，避免这种类型的制程ESD炸伤AA区的Pixel，从而提高AA区Pixel的抗制程ESD能力。

【技术实现步骤摘要】
阵列基板及OLED显示装置
本专利技术涉及显示
，尤其涉及阵列基板及具有所述阵列基板的OLED显示装置。
技术介绍
DummyPixel(虚拟像素单元)是现行的面板设计方案中的一个重要结构，其可以起到保证AA区Pixel(有效显示区域像素单元)的制程精度的目的。通常DummyPixel(虚拟像素单元)设计都是将AA区Pixel中的ILD(间绝缘层)孔去掉并将TITO(像素电极)层与BITO(公共电极)层短路来防止像素电极Floating(浮置)。但是，实际发现生产过程中制程ESD通常经过一行Gate(扫描线)首尾段的ILD孔进入导致ESD(制程静电)炸伤，一旦发生这种类型的制程ESD时，由于现行的设计方案中去除了DummyPixel中Poly(多晶硅)层与SD(源/漏极金属)层连接的ILD孔，导致制程ESD会经过AA中一行Gate首尾段的ILD孔进入，导致AA区的Pixel出现炸伤，最终造成AA区一行或一列的Pixel失效。综上所述，现有技术的阵列基板，DummyPixel设计方案不能起到抵抗制程ESD的目的，在制程中，显示像素单元易被制程静电炸伤，进而影响显示产品生产过程的良率。
技术实现思路
本专利技术提供一种阵列基板，可通过改进虚拟像素单元的膜层结构进而将制程ESD释放，避免制程ESD进入显示像素单元内炸伤金属线路；以解决现有技术的阵列基板，DummyPixel设计方案不能起到抵抗制程ESD的目的，在制程中，显示像素单元易被制程静电炸伤，进而影响显示产品生产过程的良率的技术问题。为解决上述问题，本专利技术提供的技术方案如下：本专利技术提供一种阵列基板，包括显示区域，以及位于所述显示区域边缘的非显示区域；所述显示区域内阵列设置有显示像素单元，所述非显示区域内设置有虚拟像素单元；所述虚拟像素单元包括：第一基板；第一多晶硅层，制备于所述第一基板表面；第一栅绝缘层，制备于所述第一多晶硅层表面；第一栅极金属，制备于所述第一栅绝缘层表面；第一间绝缘层，覆盖所述第一栅绝缘层与所述第一栅极金属；第一源/漏极金属，制备于所述第一间绝缘层表面；其中，所述第一源/漏极金属与所述第一多晶硅层通过第一金属通孔连接。根据本专利技术一优选实施例，所述虚拟像素单元还包括：第一平坦化层，覆盖所述第一间绝缘层以及所述第一源/漏极金属；第一介质层，制备于所述第一平坦化层表面；第一公共电极块，制备于所述第一介质层表面；第一钝化层，制备于所述第一公共电极块表面；所述第一钝化层开设有第二金属通孔；以及，第一像素电极块，制备于所述第一钝化层表面；所述第一像素电极块与所述第一公共电极块通过所述第二金属通孔连接。根据本专利技术一优选实施例，所述阵列基板还包括连接所述第一栅极金属的扫描线，以及连接所述第一源/漏极金属的数据线，所述扫描线与所述数据线相互垂直；所述第一公共电极块包括与所述扫描线相平行的第一边缘和第二边缘，所述第一边缘靠近所述扫描线，所述第二边缘相对远离所述扫描线；其中，所述第一边缘朝向所述扫描线延伸形成一子公共电极块；所述第二边缘朝向所述扫描线内凹形成一缺口，所述缺口的形状与所述子公共电极块的形状相适配。根据本专利技术一优选实施例，所述子公共电极块的形状为等腰梯形，所述缺口的形状同为等腰梯形。根据本专利技术一优选实施例，所述显示像素单元包括：第二基板；第二多晶硅层，制备于所述第二基板表面；第二栅绝缘层，制备于所述第二多晶硅层表面；第二栅极金属，制备于所述第二栅绝缘层表面；第二间绝缘层，覆盖所述第二栅绝缘层与所述第二栅极金属；第二源/漏极金属，制备于所述第二间绝缘层表面；所述第二源/漏极金属与所述第二多晶硅层通过第三金属通孔连接；第二平坦化层，覆盖所述第二间绝缘层以及所述第二源/漏极金属；第二介质层，制备于所述第二平坦化层表面；第二公共电极块，制备于所述第二介质层表面；第二钝化层，制备于所述第二公共电极块表面；以及，第二像素电极块，制备于所述第二钝化层表面；所述第二像素电极块与所述第二源/漏极金属通过第四金属通孔连接。根据本专利技术一优选实施例，在垂直于所述扫描线的方向上，相邻两所述第二公共电极块之间具有缝隙，所述缝隙位于相邻两所述显示像素单元之间；在平行于所述扫描线的方向上，相邻两所述第二公共电极块相连接。根据本专利技术一优选实施例，位于所述显示区域边缘的所述第二公共电极块，与位于所述非显示区内的所述第一公共电极块相连接。依据本专利技术的上述目的，提出一种OLED显示面板，包括阵列基板、设置于所述阵列基板表面的发光层、以及设置于所述发光层外表面的封装部；所述阵列基板包括显示区域，以及位于所述显示区域边缘的非显示区域；所述显示区域内阵列设置有显示像素单元，所述非显示区域内设置有虚拟像素单元；所述虚拟像素单元包括：第一基板；第一多晶硅层，制备于所述第一基板表面；第一栅绝缘层，制备于所述第一多晶硅层表面；第一栅极金属，制备于所述第一栅绝缘层表面；第一间绝缘层，覆盖所述第一栅绝缘层与所述第一栅极金属；第一源/漏极金属，制备于所述第一间绝缘层表面；其中，所述第一源/漏极金属与所述第一多晶硅层通过第一金属通孔连接。根据本专利技术一优选实施例，所述虚拟像素单元还包括：第一平坦化层，覆盖所述第一间绝缘层以及所述第一源/漏极金属；第一介质层，制备于所述第一平坦化层表面；第一公共电极块，制备于所述第一介质层表面；第一钝化层，制备于所述第一公共电极块表面；所述第一钝化层开设有第二金属通孔；以及，第一像素电极块，制备于所述第一钝化层表面；所述第一像素电极块与所述第一公共电极块通过所述第二金属通孔连接。根据本专利技术一优选实施例，所述阵列基板还包括连接所述第一栅极金属的扫描线，以及连接所述第一源/漏极金属的数据线，所述扫描线与所述数据线相互垂直；所述第一公共电极块包括与所述扫描线相平行的第一边缘和第二边缘，所述第一边缘靠近所述扫描线，所述第二边缘相对远离所述扫描线；其中，所述第一边缘朝向所述扫描线延伸形成一子公共电极块；所述第二边缘朝向所述扫描线内凹形成一缺口，所述缺口的形状与所述子公共电极块的形状相适配。本专利技术的有益效果为：本专利技术提供的阵列基板，将虚拟像素单元的间绝缘层增加通孔将，将虚拟像素单元的多晶硅层与源漏极金属连接，将生产过程中的制程ESD经过一行扫描线首尾端的虚拟像素的间绝缘层通孔进入而释放，避免这种类型的制程ESD炸伤AA区的Pixel，从而提高AA区Pixel的抗制程ESD能力。附图说明为了更清楚地说明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1为本专利技术阵列基板一结构示意图；图2为本专利技术阵列基板的虚拟像素单元膜层结构示意图；图3、图4为本专利技术阵列基板的虚拟像素单元正视结构示意图；图5为本专利技术阵列基板的显示像素单元膜层结构示意图；图6为本专利技术阵列基板的像素单元正视结构示意图。具体实施方式以下各实施例的说明是参考附加的图示，用以例示本专利技术可用以实施的特定实施例。本专利技术所提到的方向用语，例如[上]、[下]、[前]、[后]、[左]、[右]、[内]、[外]、[侧面]等，仅是参考附加图式的方向。因此，使用本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种阵列基板，其特征在于，包括显示区域，以及位于所述显示区域边缘的非显示区域；所述显示区域内阵列设置有显示像素单元，所述非显示区域内设置有虚拟像素单元；所述虚拟像素单元包括：第一基板；第一多晶硅层，制备于所述第一基板表面；第一栅绝缘层，制备于所述第一多晶硅层表面；第一栅极金属，制备于所述第一栅绝缘层表面；第一间绝缘层，覆盖所述第一栅绝缘层与所述第一栅极金属；第一源/漏极金属，制备于所述第一间绝缘层表面；其中，所述第一源/漏极金属与所述第一多晶硅层通过第一金属通孔连接。

【技术特征摘要】
1.一种阵列基板，其特征在于，包括显示区域，以及位于所述显示区域边缘的非显示区域；所述显示区域内阵列设置有显示像素单元，所述非显示区域内设置有虚拟像素单元；所述虚拟像素单元包括：第一基板；第一多晶硅层，制备于所述第一基板表面；第一栅绝缘层，制备于所述第一多晶硅层表面；第一栅极金属，制备于所述第一栅绝缘层表面；第一间绝缘层，覆盖所述第一栅绝缘层与所述第一栅极金属；第一源/漏极金属，制备于所述第一间绝缘层表面；其中，所述第一源/漏极金属与所述第一多晶硅层通过第一金属通孔连接。2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述虚拟像素单元还包括：第一平坦化层，覆盖所述第一间绝缘层以及所述第一源/漏极金属；第一介质层，制备于所述第一平坦化层表面；第一公共电极块，制备于所述第一介质层表面；第一钝化层，制备于所述第一公共电极块表面；所述第一钝化层开设有第二金属通孔；以及，第一像素电极块，制备于所述第一钝化层表面；所述第一像素电极块与所述第一公共电极块通过所述第二金属通孔连接。3.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括连接所述第一栅极金属的扫描线，以及连接所述第一源/漏极金属的数据线，所述扫描线与所述数据线相互垂直；所述第一公共电极块包括与所述扫描线相平行的第一边缘和第二边缘，所述第一边缘靠近所述扫描线，所述第二边缘相对远离所述扫描线；其中，所述第一边缘朝向所述扫描线延伸形成一子公共电极块；所述第二边缘朝向所述扫描线内凹形成一缺口，所述缺口的形状与所述子公共电极块的形状相适配。4.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述子公共电极块的形状为等腰梯形，所述缺口的形状同为等腰梯形。5.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述显示像素单元包括：第二基板；第二多晶硅层，制备于所述第二基板表面；第二栅绝缘层，制备于所述第二多晶硅层表面；第二栅极金属，制备于所述第二栅绝缘层表面；第二间绝缘层，覆盖所述第二栅绝缘层与所述第二栅极金属；第二源/漏极金属，制备于所述第二间绝缘层表面；所述第二源/漏极金属与所述第二多晶硅层通过第三金属通孔连接；第二平坦化层，覆盖所述第二间绝缘层以及所述第二源/漏极金属；第二介质层，制备于所述第二平坦化层表面；第二公共电极块，制备于所述第二介质层表面；第二...

【专利技术属性】
技术研发人员：洪光辉，
申请(专利权)人：武汉华星光电技术有限公司，
类型：发明
国别省市：湖北,42