【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及。
技术介绍
集成电路由芯片、引线框架和塑封三部分组成,引线框架作为IC组成整体结构的外壳,具有支撑芯片、发散工作热量及连接外部电路的功能,是集成电路的关键部件,引线框架要求具有高强度、高导电性、高导热性、良好的焊接性、耐腐蚀性、塑封性、抗氧化性和冲制成型性等性能。目前的引线框架普遍采用含铁、磷的铜合金,有些还可含有锌。由于铁的熔点为1534℃显著高于铜的熔点1089℃,因此向熔融的铜液中加入铁元素比较困难,若直接加入纯铁,容易导致铁熔融不充分,造成严重的偏析,偏析问题直接导致热轧过程中产品更容易开裂及表面氧化问题更加严重。现在已知的加入铁元素的方法是以铜铁中间合金的形式加入,由于铜铁中间合金的含铁量最高仅为14%左右,且价格极为昂贵,当产品要求的铁含量较高时,需要的中间合金的比例较大,极大地增加了生产成本;另外现有的热轧工艺不能解决集成电路用引线框架铜合金带材在轧制中的容易开裂和表面氧化造成的表面质量问题。
技术实现思路
本专利技术的目的是提供一种。本专利技术的,包括以下步骤1.熔铸将适量的铁皮打入紫铜包头中与电解铜一起加入炉中,待所有炉料全部溶融后 ...
【技术保护点】
集成电路用引线框架铜合金带材的制造方法,其特征在于:包括以下步骤:(1)熔铸:将适量的铁皮打入紫铜包头中与电解铜一起加入炉中,待所有炉料全部溶融后,加入铜-磷中间合金,搅拌,扒渣后保温静置半小时后浇铸;(2)热轧:加热上述铸 坯,热轧温度为980-1060℃,终轧温度为600℃,分6-11道次进行热轧,热轧后用高压水喉喷淋坯料,热轧后的带坯进行铣面处理;(3)冷轧及退火处理:铣面后的带坯进行粗轧、预精轧及精轧;粗轧后进行时效处理,退火温度为520-560 ℃退火时间共3-6h,或双级时效退火处理,退火温度为520-560℃和400 ...
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员:陈小祝,刘贵可,刘斌,蔡曾清,王海龙,钟秋生,梁志文,钟东贵,柳瑞清,崔玉致,程荣华,黄鑫,王晓彬,李润根,
申请(专利权)人:广州铜材厂有限公司,
类型:发明
国别省市:81[中国|广州]
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