一种集成温度感应器的SiCMOSFET器件制造技术

本发明专利技术公开了一种集成温度感应器的SiC MOSFET器件，所述SiC MOSFET器件的有源区选择一个区域a作为栅电极的压块区，选择另外一个区域b作为嵌入的横向肖特基二极管区；源电极的压块在所述有源区除所述区域a、区域b以外区域的原胞上面，通过层间介质与栅极隔离；源电极、栅电极与嵌入的用于检测SiC MOSFET器件温度的所述横向肖特基二极管区都互相隔离；其中嵌入的横向肖特基二极管作为芯片的温度传感器，通过外接电路的连接，实时检测芯片结温。本申请采用在表面嵌入横向肖特基二极管的方法，根据肖特基电流随温度的变化规律，得到实时温度监控值。SiC肖特基二极管的耐温可以达到300℃以上，因此满足高温SiC器件的应用。同时，本发明专利技术工艺兼容SiC MOSFET工艺，工艺简单。

An integrated temperature sensor SiCMOSFET device

The invention discloses a SiC MOSFET device integrated with a temperature sensor, the active region of the SiC MOSFET device selects a region a as the block area of the gate electrode, and selects another region B as the embedded transverse Schottky diode area; the source electrode block is in the active region except the region a, region B other than the area described in the active region. In the primary cell, the interlayer medium is isolated from the grid, and the source electrodes, gate electrodes and the embedded Schottky diode areas used to detect the temperature of the SiC MOSFET device are isolated from each other; the embedded transverse Schottky diode is used as the temperature sensor of the chip, and the chip junction temperature is detected in real time through the connection of the external circuit. . This application adopts the method of embedding transverse Schottky diode on the surface. According to the variation rule of Schottky current with temperature, the real-time temperature monitoring value is obtained. The temperature of SiC Schottky diode can reach above 300 degree, so it can meet the application of high temperature SiC devices. Meanwhile, the process of the invention is compatible with the SiC MOSFET process, and the process is simple.

【技术实现步骤摘要】
一种集成温度感应器的SiCMOSFET器件
本专利技术属于半导体领域，具体涉及一种集成温度感应器的SiCMOSFET器件。
技术介绍
SiCMOSFET、JFET、BJT、IGBT等晶体管器件经过多年的研究，已经有一些厂商率先推出了商业化产品，并且已经在工业上进行了广泛的应用。一般情况下，半导体器件的规格书中都严格规定了器件工作的最高结温，超过规定的最高结温将导致器件的可靠性和寿命的急剧下降。在器件的实际应用中，都会严格控制结温，使器件在低于规定的最高结温下工作，从而保证器件和系统的稳定和可靠运行。因此，实时监控器件在工作过程中的结温非常必要。如果有方法可以实时监控器件的结温，那么在实际应用过程中可以即时响应，如可以通过调节功率来影响结温，确保器件在最高结温以下的温度下工作。
技术实现思路
针对现有技术中存在的问题，本专利技术的目的在于提供一种集成温度感应器的SiCMOSFET器件，其采用在表面嵌入横向肖特基二极管的方法，根据肖特基电流随温度的变化规律，得到实时温度监控值。为实现上述目的，本专利技术采用以下技术方案：一种集成温度感应器的SiCMOSFET器件，所述SiCMOSFET器件的本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种集成温度感应器的SiC MOSFET器件，其特征在于，所述SiC MOSFET器件的有源区选择一个区域a作为栅电极的压块区，选择另外一个区域b作为嵌入的横向肖特基二极管区；源电极的压块在所述有源区除所述区域a、区域b以外区域的原胞上面，通过层间介质与栅极隔离；源电极、栅电极与嵌入的用于检测SiC MOSFET器件温度的所述横向肖特基二极管区都互相隔离；其中嵌入的横向肖特基二极管作为芯片的温度传感器，通过外接电路的连接，实时检测芯片结温。

【技术特征摘要】
1.一种集成温度感应器的SiCMOSFET器件，其特征在于，所述SiCMOSFET器件的有源区选择一个区域a作为栅电极的压块区，选择另外一个区域b作为嵌入的横向肖特基二极管区；源电极的压块在所述有源区除所述区域a、区域b以外区域的原胞上面，通过层间介质与栅极隔离；源电极、栅电极与嵌入的用于检测SiCMOSFET器件温度的所述横向肖特基二极管区都互相隔离；其中嵌入的横向肖特基二极管作为芯片的温度传感器，通过外接电路的连接，实时检测芯片结温。2.根据权利要求1所述的集成温度感应器的SiCMOSFET器件，其特征在于，在n沟道MOSFET器件上，温度传感器为嵌入的p型肖特基二极管；在p沟道MOSFET器件上，温度传感器为嵌入的n型肖特基二极管。3.根据权利要求1所述的集成温度感应器的SiCMOSFET器件，其特征在于，所述横向肖特基...

【专利技术属性】
技术研发人员：倪炜江，李百泉，
申请(专利权)人：北京世纪金光半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：北京,11