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本发明公开了一种集成温度感应器的SiC MOSFET器件，所述SiC MOSFET器件的有源区选择一个区域a作为栅电极的压块区，选择另外一个区域b作为嵌入的横向肖特基二极管区；源电极的压块在所述有源区除所述区域a、区域b以外区域的原胞上面，...
该专利属于北京世纪金光半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过北京世纪金光半导体有限公司授权不得商用。

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