通过有源层挖掘工艺而具有隔离的周边接触部的三维存储器器件制造技术

描述了一种具有阵列区域和周边区域的三维存储器器件。所述阵列区域具有存储单元的三维堆叠体。所述周边区域具有从所述存储单元的三维堆叠体上方延伸到所述存储单元的三维堆叠体下方的接触部。所述周边区域大体上没有所述存储单元的三维堆叠体的导电和/或半导电层。

Three dimensional memory device with isolated peripheral contacts through active layer mining process

A three dimensional memory device with array area and surrounding area is described. The array area has a three-dimensional stack of storage units. The peripheral area has a contact part extending from the three-dimensional stack of the storage unit to the three-dimensional stacking body of the storage unit. The peripheral region generally has no conductive and / or semiconducting layers of the three-dimensional stack of the storage unit.

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】通过有源层挖掘工艺而具有隔离的周边接触部的三维存储器器件
本专利技术的领域总体上涉及半导体技术，并且更具体而言，涉及通过有源层挖掘工艺而具有隔离的周边接触部的三维存储器器件。
技术介绍
移动设备的出现使得非易失性半导体存储器制造商对他们的器件的密度产生了浓厚兴趣。通常，移动设备不利用有利于基于半导体的非易失性存储器件的磁盘驱动。然而，从历史上看，半导体存储器件不具有与磁盘驱动相同的存储密度。为了使半导体存储器的存储密度更接近或超过磁盘驱动，非易失性存储器器件制造商正在开发三维存储器技术。就三维存储器技术而言，在存储器件内，个体存储单元被垂直地堆叠在另一个存储单元顶上。因此，三维存储器器件可以以更小的封装、成本和功耗包络为移动设备提供类似磁盘驱动的存储密度。然而，三维存储器器件的制造提出了新的制造技术挑战。附图说明结合以下附图，根据以下具体实施方式可以获得对本专利技术的更好的理解，在附图中：图1示出了三维存储器电路；图2a至图2j示出了用于制造三维存储器电路的第一实施例；图3a至图3g示出了用于制造三维存储器电路的第二实施例；图4示出了用于制造三维存储器器件的方法；图5示出了计算系统的本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种装置，包括：三维存储器器件，所述三维存储器器件包括阵列区域和周边区域，所述阵列区域包括存储单元的三维堆叠体，所述周边区域包括从所述存储单元的三维堆叠体上方延伸到所述存储单元的三维堆叠体下方的接触部，所述周边区域大体上没有所述存储单元的三维堆叠体的导电和/或半导电层，所述周边区域由第一电介质组成，具有填充有第二电介质的开口。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2015.09.14 US 14/853,7831.一种装置，包括：三维存储器器件，所述三维存储器器件包括阵列区域和周边区域，所述阵列区域包括存储单元的三维堆叠体，所述周边区域包括从所述存储单元的三维堆叠体上方延伸到所述存储单元的三维堆叠体下方的接触部，所述周边区域大体上没有所述存储单元的三维堆叠体的导电和/或半导电层，所述周边区域由第一电介质组成，具有填充有第二电介质的开口。2.根据权利要求1所述的装置，其中，所述存储单元的三维堆叠体还包括FLASH晶体管的三维堆叠体。3.根据权利要求2所述的装置，其中，所述接触部中的至少一个接触部从I/O结构延伸到选择栅极源极晶体管层。4.根据权利要求2所述的装置，其中，所述接触部中的至少一个接触部从I/O结构延伸到源极线层。5.根据权利要求2所述的装置，其中，所述接触部中的至少一个接触部从I/O结构延伸到存在于源极线层下面的电路。6.根据权利要求1所述的装置，其中，所述接触部中的至少一个接触部从I/O结构延伸到晶体管层。7.根据权利要求1所述的装置，其中，所述存储单元的三维堆叠体的导电和/或半导电层包括多晶硅。8.根据权利要求1所述的装置，其中，在所述周边区域内围绕所述接触部的绝缘区域包括气隙。9.根据权利要求1所述的装置，其中，所述存储单元的三维堆叠体还包括堆叠存储单元的第一层叠结构和堆叠存储单元的第二层叠结构。10.一种形成存储器器件的方法，包括：形成存储单元的三维堆叠体，所述存储单元的三维堆叠体包括导电和/或半导电材料层；从存在于与所述存储器器件的存储区域相邻处的周边区域挖掘所述导电和/或半导电材料层，并且在所述周边区域内形成从所述存储单元的三维堆叠体上方延伸到所述存储单元的三维堆叠体...

【专利技术属性】
技术研发人员：S·S·S·维古纳塔，G·达马尔拉，J·周，
申请(专利权)人：英特尔公司，
类型：发明
国别省市：美国,US