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描述了一种具有阵列区域和周边区域的三维存储器器件。所述阵列区域具有存储单元的三维堆叠体。所述周边区域具有从所述存储单元的三维堆叠体上方延伸到所述存储单元的三维堆叠体下方的接触部。所述周边区域大体上没有所述存储单元的三维堆叠体的导电和/或半导...
该专利属于英特尔公司所有，仅供学习研究参考，未经过英特尔公司授权不得商用。

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