VNAND拉伸厚TEOS氧化物制造技术

本公开的实施例一般涉及一种用于形成介电膜堆栈的改进方法，该介电膜堆栈用于3D NAND结构中的层间电介质(ILD)层。在一个实施例中，该方法包括提供具有栅堆栈沉积于其上的基板，使用第一RF功率及第一处理气体在该栅堆栈的暴露表面上形成第一氧化层，第一处理气体包含TEOS气体与第一含氧气体，及使用第二RF功率与第二处理气体在该第一氧化层上形成第二氧化层，第二处理气体包含硅烷气体与第二含氧气体。

VNAND tensile thick TEOS oxide

An embodiment of the present disclosure generally deals with an improved method for forming a dielectric stack stack for interlayer dielectric (ILD) layers in the 3D NAND structure. In one embodiment, the method includes providing a substrate with a gate stack deposited on it, using the first RF power and the first processing gas to form a first oxide layer on the exposed surface of the gate stack, the first processing gas including the TEOS gas and the first oxygen gas, and the second RF power and the second processing gas in the first. The second oxide layer is formed on the oxide layer, and the second treatment gas contains silane gas and second oxygen containing gas.

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】VNAND拉伸厚TEOS氧化物
本公开的实施例一般涉及用于沉积介电膜堆栈的改进方法和用作层间电介质(ILD)层的介电膜堆栈。
技术介绍
随着制造越加致密的器件的持续压力，半导体器件工业正转换到三维(3D)存储器结构的使用。例如，NAND闪存已经从平面配置移动到垂直配置(VNAND)。这种垂直配置允许以显著更大的位密度来形成存储器器件。在制造3D半导体芯片的堆栈时，通常使用阶梯状(stair-like)结构以允许多个互连结构设置于其上，而形成高密度的垂直晶体管器件。层间电介质(ILD)可设置在互连层之间的阶梯状结构之上，以绝缘(isolate)设置在互连层中的导体层。然而，由于层间电介质与互连层之间的热膨胀差异可能导致的层间电介质中的物理应力，裂纹或缺陷常被引入半导体芯片中，而影响器件的整体性能。因此，在本领域中，提供抑制在半导体芯片中裂纹和缺陷发生的改进方法是有所需求的。
技术实现思路
本公开的实施例一般涉及一种用于形成介电膜堆栈的改进方法，该介电膜堆栈用于3DNAND结构中的层间电介质(ILD)层。在一个实施例中，该方法包括提供具有栅堆栈沉积于其上的基板，使用第一RF功率及第一处理气体本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于处理基板的方法，包括以下步骤：提供具有栅堆栈的基板，所述栅堆栈沉积在所述基板上；使用第一RF功率及第一处理气体在所述栅堆栈的暴露表面上形成第一氧化层，所述第一处理气体包含TEOS气体与第一含氧气体；及使用第二RF功率及第二处理气体在所述第一氧化层上形成第二氧化层，所述第二处理气体包含硅烷气体与第二含氧气体。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2015.08.27 US 62/210,8081.一种用于处理基板的方法，包括以下步骤：提供具有栅堆栈的基板，所述栅堆栈沉积在所述基板上；使用第一RF功率及第一处理气体在所述栅堆栈的暴露表面上形成第一氧化层，所述第一处理气体包含TEOS气体与第一含氧气体；及使用第二RF功率及第二处理气体在所述第一氧化层上形成第二氧化层，所述第二处理气体包含硅烷气体与第二含氧气体。2.如权利要求1所述的方法，其中所述第一含氧气体和所述第二含氧气体包括O2或N2O。3.如权利要求1所述的方法，其中所述栅堆栈具有阶梯状截面。4.如权利要求1所述的方法，其中所述第一含氧气体和所述TEOS气体以第一含氧气体:TEOS气体为约2:1至约6:1的比例提供。5.如权利要求1所述的方法，其中以约150W至约850W并且在13.56MHz的高频来提供所述第一RF功率。6.如权利要求1所述的方法，进一步包括以下步骤：在所述第一氧化层达到了预定厚度之后，斜线上升增加所述第一RF功率以在所述第一氧化层上形成初始层。7.如权利要求1所述的方法，进一步包括以下步骤：在所述第一氧化层达到了预定厚度之后，斜线上升增加所述TEOS气体以在所述第一氧化层上形成初始层。8.如权利要求1所述的方法，其中所述第一RF功率是以约100瓦以350kHz运行的低频RF功率与以约300瓦在13.56MHz运行的高频RF功率的组合。9.如权利要求1所述的方法，其中以约150W至约850W并且在13.56MHz的频率来提供所述第二RF功率。10.如权利要求1所述的方法，其中所述第一氧化层具有约10000埃至约30000埃的厚度，而所述第二氧化层具有约8000埃至约15000埃的厚度。11.如权利要求1所述的方法，进一步包括以下步骤：在形成所述第二氧化层后，所述基板在约700℃至约850℃的温度下的富含氮的环境中经受热退火处理。12.一种用于处理基板的方法，包括以下步骤：在基板上形成具有阶梯状截面的层堆栈；以第一氧化层覆盖所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：M·W·蒋，P·P·杰哈，韩新海，金柏涵，金相赫，朱明勋，朴亨珍，金伦宽，孙镇哲，S·格纳纳威路，M·G·库尔卡尼，S·巴录佳，M·K·莎莱扎，J·K·福斯特，
申请(专利权)人：应用材料公司，
类型：发明
国别省市：美国,US