半压电路、半压电路的保护方法及装置制造方法及图纸

本发明专利技术实施例公开了一种半压电路、半压电路的保护方法及装置，以解决现有技术中无法在半压电路工作时对电路进行保护的问题，该半压电路包括：输入端、多个并联的电容、由第一NMOS管和第三NMOS管组成的第一NMOS开关对、由第二NMOS管和第四NMOS管组成的第二NMOS开关对及输出端；其中，第一NMOS管的源极与第二NMOS管的漏极连接，第二NMOS管的源极与第三NMOS管的漏极连接，第三NMOS管的源极和第四NMOS管的漏极连接；多个并联的电容的一端连接至第一NMOS开关管的源极，另一端连接至第三NMOS管的源极；以及电阻，电阻的一端与电容串联、另一端连接至地。该技术方案能够实现保护半压电路的效果，有效规避电容失效时继续工作导致的风险。

【技术实现步骤摘要】
半压电路、半压电路的保护方法及装置
本专利技术涉及电子
，尤其涉及一种半压电路、半压电路的保护方法及装置。
技术介绍
目前，移动终端采用一种新的电路结构——半压电路实现高压快充。由于半压电路结构结合了传统高压充电方案中提高充电通路电压、减小线路上电流及功率损耗的优点、以及低压直充方案中手机端和充电器双向通信提高充电安全度的优点，因此可以高效率地实现大电流充电。且还具有设计难度低、温升低、易于实现等优点。但是，由于目前的充电方案中对半压电路的应用尚不成熟，因此还存在一些问题有待研究确决。图1所示为最基础的半压电路原理框图，在半压电路中，半压器件内部的单个模块采用4个NMOS管做开关，其中，每两个NMOS管为一对开关。如图1所示，Q1和Q3这两个NMOS管为一对开关，Q2和Q4这两个NMOS管为一对开关。输入端电压为Vi，输出端电压为Vo，电容Cfly(由C1、C2、C3、C4组成)两端的电压为Vcfly。该半压电路的具体工作过程如下：半压电路通过控制每一对开关的占空比分别为50％，以实现Vo＝Vi/2。具体的，在前半个工作周期内，控制Q1和Q3这两个NMOS管处于导通状态，同时控本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半压电路，其特征在于，包括：输入端、多个并联的电容、由第一NMOS管和第三NMOS管组成的第一NMOS开关对、由第二NMOS管和第四NMOS管组成的第二NMOS开关对及输出端；其中，所述第一NMOS管的源极与所述第二NMOS管的漏极连接，所述第二NMOS管的源极与所述第三NMOS管的漏极连接，所述第三NMOS管的源极和所述第四NMOS管的漏极连接；所述多个并联的电容的一端连接至所述第一NMOS管的源极，另一端连接至所述第三NMOS管的源极；以及，电阻，所述电阻的一端与所述电容串联、另一端连接至地。

【技术特征摘要】
1.一种半压电路，其特征在于，包括：输入端、多个并联的电容、由第一NMOS管和第三NMOS管组成的第一NMOS开关对、由第二NMOS管和第四NMOS管组成的第二NMOS开关对及输出端；其中，所述第一NMOS管的源极与所述第二NMOS管的漏极连接，所述第二NMOS管的源极与所述第三NMOS管的漏极连接，所述第三NMOS管的源极和所述第四NMOS管的漏极连接；所述多个并联的电容的一端连接至所述第一NMOS管的源极，另一端连接至所述第三NMOS管的源极；以及，电阻，所述电阻的一端与所述电容串联、另一端连接至地。2.根据权利要求1所述的半压电路，其特征在于，还包括：电子开关，串联于所述电阻与所述电容之间。3.一种半压电路的保护方法，应用于权利要求1或2所述的半压电路，其特征在于，包括：当检测到所述半压电路进入充电状态时，控制所述输入端的电源为所述电容充电，同时对充电时间进行计时；当计时时长达到预设时长时，获取所述电阻两端的电压值，所述预设时长小于或等于所述第一NMOS开关对的导通时长；若所述电压值超过预设电压阈值，则控制所述电源停止为所述电容充电。4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述预设电压阈值与所述预设时长之间满足由所述电容和所述电阻组成的微分电路的微分方程。5.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述半压电路还包括串联于所述电阻与所述电容之间的电子开关，所述对充电时间进行计时之前，所述方法还包括：控制所述电子开关闭合。6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：若所述电压值未超过所...

【专利技术属性】
技术研发人员：廖佑平，
申请(专利权)人：维沃移动通信有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44