一种降低砷化镓双抛片整体平整度的粗抛工艺制造技术

本发明专利技术公开了一种降低砷化镓双抛片整体平整度的粗抛工艺。步骤如下：配制粗抛液后，将环氧树脂游星轮均匀放置在抛光盘面上，然后将厚度偏差3µm内的砷化镓双抛片正面向上放置在环氧树脂游星轮孔洞中，执行自查程序，查看环氧树脂游星轮和砷化镓双抛片自旋状况；自查程序执行结束后，降下上抛光盘，完成第一次执行粗抛程序；第一次粗抛程序结束后，将砷化镓双抛片翻转，背面向上执行自查程序，然后第二次执行粗抛程序；重复十次操作后，从环氧树脂游星轮中取出砷化镓双抛片，放入白花篮中清洗甩干。通过本发明专利技术的实施，有效地提高了砷化镓双抛片的整体平整度。

【技术实现步骤摘要】
一种降低砷化镓双抛片整体平整度的粗抛工艺
本专利技术涉及一种降低砷化镓双抛片整体平整度的粗抛工艺，属于半导体材料制备
，适用于砷化镓双抛片制备工艺中所使用的双面粗抛方法。
技术介绍
随着半导体集成电路的发展，砷化镓双抛片的直径逐渐增大。虽然小直径砷化镓双抛片仍然采用单面抛光加工，但为追求较好的抛光质量，双面抛光已逐渐成为大直径砷化镓双抛片的主要加工工艺。而电子特征线宽的减小和集成度的提高，对砷化镓双抛片的片内去除均匀性提出了更高的要求。目前，运行成本低且比较成熟的双面抛光方法是化学机械抛光（chemicalmechanicalpolishing,CMP），其基本原理是将砷化镓双抛片在抛光液（如含有SiO2胶体悬浮颗粒的氯系溶液）的存在下相对于抛光布旋转，并施加一定的压力，依靠机械磨削和化学腐蚀的交替作用完成抛光，以去除砷化镓双抛片研磨过加工过程中的表面损伤层，同时获得高表面质量的砷化镓双抛片。由于化学机械抛光方式需要化学作用与机械作用相匹配，因此涉及8种主要参数，分别为抛光液配比、抛光液流量、SiO2胶体粒径、抛光布型号、抛光盘转速、内外齿圈转速、抛光压力、抛光时间。不同于单面本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种降低砷化镓双抛片整体平整度的粗抛工艺，其特征在于：按如下步骤进行：第一步，砷化镓双抛片（7）厚度分选，分选厚度700±5µm，数片一组，厚度差小于等于3µm；第二歩，配制粗抛液，用5L量杯称量15L去离子水倒入干净的粗抛液桶中，使用1000ml量杯称量600mlNaClO溶液倒入15L去离子水中，玻璃棒顺时针搅拌10圈，再用1000ml量杯称量800ml含粒径85µmSiO2颗粒溶液倒入之前配制的溶液中，玻璃棒顺时针搅拌10圈；第三步，将数个环氧树脂游星轮（6）均匀放置在双面9B双面抛光机的下抛光盘（3）面上，在每个环氧树脂游星轮（6）孔洞中分别放置分选好的砷化镓双抛片（7），砷化镓双抛片...

【技术特征摘要】
1.一种降低砷化镓双抛片整体平整度的粗抛工艺，其特征在于：按如下步骤进行：第一步，砷化镓双抛片（7）厚度分选，分选厚度700±5µm，数片一组，厚度差小于等于3µm；第二歩，配制粗抛液，用5L量杯称量15L去离子水倒入干净的粗抛液桶中，使用1000ml量杯称量600mlNaClO溶液倒入15L去离子水中，玻璃棒顺时针搅拌10圈，再用1000ml量杯称量800ml含粒径85µmSiO2颗粒溶液倒入之前配制的溶液中，玻璃棒顺时针搅拌10圈；第三步，将数个环氧树脂游星轮（6）均匀放置在双面9B双面抛光机的下抛光盘（3）面上，在每个环氧树脂游星轮（6）孔洞中分别放置分选好的砷化镓双抛片（7），砷化镓双抛片（7）的正面向上；第四步，执行自查程序，启动双面9B双面抛光机，时长90s，内齿圈（5）转速15rpm，外齿圈（4）转速10rpm，下抛光盘（3）转速10rpm，查看环氧树脂游星轮（6）和砷化镓双抛片（7）自旋状况；第五步，自查程序执行结束后，降下上抛光盘（1），第一次执行粗抛程序，粗抛时长990s，分4段进行，具体过程如下：1）、加压，时长8s，压力10kg，加压时间8s，施液管（2）送粗抛液流量5.5ml/s；2）、粗抛，时长970s，施液管（2）送粗抛液流量5.5ml/s，粗抛分为四段执行，第一段粗抛时长30s，压力20kg，加压时间30s，内齿圈（5）转速4rpm，外齿圈（4）转速8rpm，下抛光盘（3）转速8rpm；第二段粗抛时长30s，压力30kg，加压时间30s，内齿圈（5）转速8rpm，外齿圈（4）转速12rpm，下抛光盘（3）转速12rpm；第三段粗抛时长900s，压力50kg，加...

【专利技术属性】
技术研发人员：李穆朗，郭明，孙强，
申请(专利权)人：中国电子科技集团公司第四十六研究所，
类型：发明
国别省市：天津,12