基板处理方法及基板处理装置制造方法及图纸
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】基板处理方法及基板处理装置
本专利技术涉及一种使用处理液处理基板的上表面的基板处理方法及基板处理装置。作为处理对象的基板的例，包括半导体晶片、液晶显示装置用基板、等离子显示用基板、FED(FieldEmissionDisplay，场致发射显示器)用基板、光盘用基板、磁盘用基板、光磁盘用基板、光掩模用基板、陶瓷基板、太阳电池用基板等。
技术介绍
在半导体装置的制造工序中，向半导体晶片等基板的表面供给处理液，使用处理液处理该基板的表面。例如，逐张地处理基板的单张式的基板处理装置具备：旋转夹具，一边将基板保持为大致水平，一边使该基板旋转；以及，喷嘴，用于向利用该旋转夹具旋转的基板的上表面供给处理液。例如，向保持于旋转夹具的基板供给药液，然后供给冲洗液，从而将基板上的药液置换成冲洗液。然后，进行用于从基板的上表面上将冲洗液排除的干燥处理。作为干燥处理，为了抑制水印的产生，已知如下方法：将沸点比水更低的异丙醇(isopropylalcohol：IPA)的蒸气，供给至处于旋转状态的基板的表面。例如，旋转(Rotagoni)干燥(参照专利文献1)是该方法的其中一例。现有技术文献...
【技术保护点】
一种基板处理方法，其中，包括：基板保持工序，将基板保持为水平；液膜形成工序，向所述基板的上表面供给处理液，来形成用于覆盖该基板的上表面的处理液的液膜；蒸气环境气体充满工序，使所述处理液的液膜的周围被蒸气环境气体充满，所述蒸气环境气体包含具有比该处理液更低的表面张力的低表面张力液的蒸气；干燥区域形成工序，与所述蒸气环境气体充满工序并行地执行，向所述处理液的液膜吹送包含所述低表面张力液的蒸气的气体，来将处理液的局部排除，从而在该处理液的液膜形成干燥区域；以及，干燥区域扩大工序，与所述蒸气环境气体充满工序并行地执行，一边使所述基板旋转，一边使所述干燥区域朝向所述基板的外周扩大。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2015.08.18 JP 2015-1613251.一种基板处理方法，其中，包括：基板保持工序，将基板保持为水平；液膜形成工序，向所述基板的上表面供给处理液，来形成用于覆盖该基板的上表面的处理液的液膜；蒸气环境气体充满工序，使所述处理液的液膜的周围被蒸气环境气体充满，所述蒸气环境气体包含具有比该处理液更低的表面张力的低表面张力液的蒸气；干燥区域形成工序，与所述蒸气环境气体充满工序并行地执行，向所述处理液的液膜吹送包含所述低表面张力液的蒸气的气体，来将处理液的局部排除，从而在该处理液的液膜形成干燥区域；以及，干燥区域扩大工序，与所述蒸气环境气体充满工序并行地执行，一边使所述基板旋转，一边使所述干燥区域朝向所述基板的外周扩大。2.如权利要求1所述的基板处理方法，其中，还包括隔断工序，在所述隔断工序中，使包括所述基板的上方空间的空间成为与外部隔断的隔断状态；在执行所述隔断工序之后，向所述空间供给所述气体，来执行所述蒸气环境气体充满工序。3.如权利要求1或2所述的基板处理方法，其中，包括开放高速旋转工序，所述开放高速旋转工序在所述干燥区域扩大工序之后执行，在所述开放高速旋转工序中，一边使所述空间向所述外部开放，一边使所述基板以规定的高旋转速度旋转。4.如权利要求1或2所述的基板处理方法，其中，还包括浸液工序，所述浸液工序与所述液膜形成工序并行地执行，在所述浸液工序中，使所述基板成为静止状态，或使所述基板以所述旋转轴线为中心以浸液速度旋转。5.如权利要求1或2所述的基板处理方法，其中，所述干燥区域扩大工序包括高速旋转工序，在所述高速旋转工序中，使所述基板以比所述液膜形成工序时更大的速度旋转。6.如权利要求1或2所述的基板处理方法，其中，所述处理液包括水，所述低表面张力液包括有机溶剂。7.一种基板处理装置，其中，包括：基板保持单元，将基板保持为水平，处理液供给单元，用于向所述基板的上表面供给处理液，第一气体供给单元，向所述基板的上表面的周围供给气体，所述气体包含具有比该处理液更低的表面张力的低表面张力液的蒸气，气体喷出喷嘴，用于朝向所述基板的上表面喷出气体，第二气体供给单元，向所述气体喷出喷嘴供给包含所...
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