一种L-半胱氨酸修饰纳米金孔膜电极的制备方法技术

技术编号:17835732 阅读:119 留言:0更新日期:2018-05-03 18:05
本发明专利技术涉及分析化学材料制备技术领域,具体涉及L‑半胱氨酸修饰纳米金孔膜电极的制备方法。一种L‑半胱氨酸修饰纳米金孔膜电极的制备方法,将ITO导电玻璃划成4.0cm×0.5cm的长方形,依次用稀氨水、无水乙醇、亚沸水各超声清洗10 min;采用循环伏安法沉积金银合金纳米膜。将制得的金银合金纳米膜电极浸泡在HClO4溶液中,12h后取出,并在烘箱中放置1 h,制得纳米多孔金膜电极。将纳米多孔金膜电极浸泡在lmmol/L L‑半胱氨酸水溶液中,在4℃冰箱中保存约2h后取出,冲洗干净并用高纯氮气吹干,即制得L‑半胱氨酸修饰纳米金孔膜电极。本发明专利技术采用电化学沉积金银合金及去合金化法在ITO电极表面制备了纳米孔金膜,电极制备方法简单,孔膜结构及表面积可由电沉积条件调控。

Preparation of L- cysteine modified gold nanoporous membrane electrode

The invention relates to the technical field of analytical chemical material preparation, in particular to the preparation method of L - cysteine modified nano gold pore membrane electrode. A method for the preparation of L cysteine modified nanoscale gold pore membrane electrode was made. The ITO conductive glass was divided into 4.0cm x 0.5cm rectangle, and each ultrasonic min was cleaned with diluted ammonia water, anhydrous ethanol and subboiling water respectively. The gold and silver alloy nanomimeters were deposited by cyclic voltammetry. The gold and silver alloy nanomaterials were immersed in HClO4 solution, then removed after 12h and placed 1 h in the oven, and the nanoporous gold film electrode was prepared. The nano porous gold membrane electrode was soaked in the lmmol/L L cysteine solution, and stored at about 2h in the refrigerator at 4 degrees centigrade. It was washed and dried with high purity nitrogen. The nano gold membrane electrode modified with L cysteine was prepared. The nano porous gold film was prepared on the surface of ITO electrode by electrochemical deposition of gold and silver alloy and de alloying. The preparation method of the electrode is simple, and the pore membrane structure and surface area can be controlled by the electrodeposition conditions.

【技术实现步骤摘要】
一种L-半胱氨酸修饰纳米金孔膜电极的制备方法
本专利技术涉及分析化学材料制备
,具体涉及L-半胱氨酸修饰纳米金孔膜电极的制备方法。
技术介绍
近年来,由于纳米孔金膜具有大的比表面积及良好的化学稳定性,在催化、传感器和燃料电池等方面引起了人们的广泛兴趣。通常采用去合金法制备,首先制备含金的双金属合金,如Au-Ag,Au-zn等,然后利用化学或电化学的方法将较活泼的金属选择性去除,即可得到纳米孔金。在催化及电化学应用中,纳米孔金需要固定于固体基底,如金电极、玻碳电极和硅的基底表面,制备的主要方法有:金基底腐蚀法、直接粘结法和沉积合金/去合金法等。目前尚未见在ITO基底上制备纳米孔金膜的报道。
技术实现思路
本专利技术旨在提出一种L-半胱氨酸修饰纳米金孔膜电极的制备方法。本专利技术的技术方案在于:一种L-半胱氨酸修饰纳米金孔膜电极的制备方法,采用如下步骤:步骤1:纳米金银合金膜电极的制备:将ITO导电玻璃划成4.0cm×0.5cm的长方形,随后依次用稀氨水、无水乙醇、亚沸水各超声清洗10min;后采用循环伏安法沉积金银合金纳米膜;步骤2:纳米孔金膜电极的制备:将制得的金银合金纳米膜电极浸泡在HClO4溶液中,12h后取出,并在烘箱中放置1h,即制得纳米多孔金膜电极;步骤3:L-半胱氨酸修饰纳米金孔膜电极的制备:将制得的纳米多孔金膜电极浸泡在lmmol/LL-半胱氨酸水溶液中,在4℃冰箱中保存约2h后取出,冲洗干净并用高纯氮气吹干,即制得L-半胱氨酸修饰纳米金孔膜电极。优选地,所述的超声清洗的电解液的组成为:0.2mmol/LHAuCl4,0.2mmol/LAgNO3,0.02mol/L氨水和0.05mol/L磷酸盐缓冲溶液。更优选地,所述的采用循环伏安法沉积金银合金纳米膜是需要N2保护。或者更优选地,所述的制备纳米金银合金膜电极的条件为:电位范围0~-1.4V,扫速0.05V/s,圈数40圈,温度30℃。本专利技术的技术效果在于:本专利技术采用电化学沉积金银合金及去合金化法在ITO电极表面制备了纳米孔金膜,电极制备方法简单,孔膜结构及表面积可由电沉积条件调控。具体实施方式一种L-半胱氨酸修饰纳米金孔膜电极的制备方法,采用如下步骤:步骤1:纳米金银合金膜电极的制备:将ITO导电玻璃划成4.0cm×0.5cm的长方形,随后依次用稀氨水、无水乙醇、亚沸水各超声清洗10min;后采用循环伏安法沉积金银合金纳米膜;步骤2:纳米孔金膜电极的制备:将制得的金银合金纳米膜电极浸泡在HClO4溶液中,12h后取出,并在烘箱中放置1h,即制得纳米多孔金膜电极;步骤3:L-半胱氨酸修饰纳米金孔膜电极的制备:将制得的纳米多孔金膜电极浸泡在lmmol/LL-半胱氨酸水溶液中,在4℃冰箱中保存约2h后取出,冲洗干净并用高纯氮气吹干,即制得L-半胱氨酸修饰纳米金孔膜电极。其中,超声清洗的电解液的组成为:0.2mmol/LHAuCl4,0.2mmol/LAgNO3,0.02mol/L氨水和0.05mol/L磷酸盐缓冲溶液。采用循环伏安法沉积金银合金纳米膜是需要N2保护。制备纳米金银合金膜电极的条件为:电位范围0~-1.4V,扫速0.05V/s,圈数40圈,温度30℃。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种

【技术特征摘要】
1.一种L-半胱氨酸修饰纳米金孔膜电极的制备方法,其特征在于:采用如下步骤:步骤1:纳米金银合金膜电极的制备:将ITO导电玻璃划成4.0cm×0.5cm的长方形,随后依次用稀氨水、无水乙醇、亚沸水各超声清洗10min;后采用循环伏安法沉积金银合金纳米膜;步骤2:纳米孔金膜电极的制备:将制得的金银合金纳米膜电极浸泡在HClO4溶液中,12h后取出,并在烘箱中放置1h,即制得纳米多孔金膜电极;步骤3:L-半胱氨酸修饰纳米金孔膜电极的制备:将制得的纳米多孔金膜电极浸泡在lmmol/LL-半胱氨酸水溶液中,在4℃冰箱中保存约2h后取出,冲洗干净并用高纯氮气吹干,即制得...

【专利技术属性】
技术研发人员:王耀斌
申请(专利权)人:陕西盛迈石油有限公司
类型:发明
国别省市:陕西,61

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