钒掺杂二氧化钛薄膜的制备方法技术
Preparation of titanium dioxide thin films doped with vanadium
The invention discloses a method for the preparation of a vanadium doped titanium dioxide film. The preparation method includes: S1, providing a substrate, S2, a Ti target as the Ti source, and placing vanadium slices above the Ti target. In the atmosphere of He and N2, a vanadium doped TiN thin film is grown on the substrate by magnetron sputtering; S3, the vanadium doped TiN film is in O2 gas. The vanadium doped titania thin films were annealed in the atmosphere. The vanadium doped titanium dioxide film in the invention has good stability and can effectively improve the service life of the film. In addition, the vanadium doped titanium dioxide film has high light transmittance, better photocatalytic performance and can effectively improve the utilization of solar light.
【技术实现步骤摘要】
钒掺杂二氧化钛薄膜的制备方法
本专利技术涉及半导体薄膜
，特别是涉及一种钒掺杂二氧化钛薄膜的制备方法。
技术介绍
随着经济的发展，水污染情况越发严重，光催化技术是近年来发展起来的废水处理技术。光催化剂是光照射下引起催化反应的物质，通过光催化反应，产生具有强氧化能力的羟基自由基和超级氧离子，来降解分解有机污染物质。二氧化钛(TiO2)是一种最广泛和深入的半导体光催化剂，广泛用于光催化领域。但TiO2带隙较宽，只能在波长小于378nm的紫外区显示光化学活性，同时其光电子和空穴容易发生复合，从而降低光催化效率。锐钛矿二氧化钛(3.2eV)具有稳定性高、安全无毒、价格低廉、光氧化性强等优势，被广泛应用于治理环境污染、太阳能电池、传感器等诸多领域。但是载流子复合几率高，太阳能利用率低制约着二氧化钛光催化领域的发展，因此大量的工作研究如何提高二氧化钛的太阳光利用率。因此，针对上述问题，有必要提出一种钒掺杂二氧化钛薄膜的制备方法。
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术提供了一种钒掺杂二氧化钛薄膜的制备方法。为了实现上述专利技术目的，本专利技术提供一种钒掺杂二氧化钛薄膜的制备方法...
【技术保护点】
一种钒掺杂二氧化钛薄膜的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：S1、提供一基材；S2、以Ti靶为Ti源，将钒片放置于Ti靶上方，在He和N2气氛中，采用磁控溅射法在基材上生长钒掺杂的TiN薄膜；S3、将钒掺杂的TiN薄膜在O2气氛中进行退火，得到钒掺杂的二氧化钛薄膜。
【技术特征摘要】
1.一种钒掺杂二氧化钛薄膜的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：S1、提供一基材；S2、以Ti靶为Ti源，将钒片放置于Ti靶上方，在He和N2气氛中，采用磁控溅射法在基材上生长钒掺杂的TiN薄膜；S3、将钒掺杂的TiN薄膜在O2气氛中进行退火，得到钒掺杂的二氧化钛薄膜。2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述基材为玻璃或陶瓷。3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述步骤S2中的磁控溅射法为射频...
【专利技术属性】
技术研发人员：陈品良，常玲，
申请(专利权)人：江苏今道投资发展有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏,32
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。