阵列基板、显示面板及阵列基板的制备方法技术

本发明专利技术涉及一种阵列基板、显示面板及阵列基板的制备方法，阵列基板包括：基板；形成于基板上的栅极；形成于栅极上的绝缘层；形成于绝缘层上的有源层，其中，有源层为铟镓锌氧化物；形成于有源层上的复合金属层，复合金属层包括与有源层连接的氧化铟锡膜层以及与氧化铟锡膜层连接的金属膜层，其中，金属膜层于显示区内开设有通口，氧化铟锡膜层与显示区对应的部分为像素层。以铟镓锌氧化物制备有源层，使得有源层与含有氧化铟锡膜层的源/漏极更好地接触，有效减小了接触势垒，使得阵列基板的电子迁移率得到提高；另一方面，将复合金属层中的氧化铟锡膜层作为像素层，能够减少工序，进而有效提高生产效率，降低生产成本。

【技术实现步骤摘要】
阵列基板、显示面板及阵列基板的制备方法
本专利技术涉及阵列基板制造
，特别是涉及阵列基板、显示面板及阵列基板的制备方法。
技术介绍
TFT(ThinFilmTransistor)是指阵列基板，由其制作而成的液晶显示器被称为TFTLCD(LiquidCrystalDisplay，液晶显示器)，TFTLCD是目前显示行业内比较主流的显示器件之一，它的特点是每个液晶像素点都是由集成在像素点后面的TFT阵列基板来驱动，由于是直接的驱动，所以TFTLCD可以做到比较高的反应速度、亮度以及对比度，是目前最好的LCD彩色显示设备之一。传统的A-Si(非晶硅)TFT工艺流程一般是要经过栅极层、有源层、源/漏极层、保护层以及像素层5道工序的制备，采用上述传统工艺制备的A-SiTFT工序较多，成本居高不下，导致TFTLCD的价格较高。
技术实现思路
基于此，有必要提供一种阵列基板、显示面板及阵列基板的制备方法。一种阵列基板，包括：基板；形成于所述基板上的栅极；形成于所述栅极上的绝缘层；形成于所述绝缘层上的有源层，其中，所述有源层为铟镓锌氧化物；形成于所述有源层上的复合金属层，所述复合金属层包括与所述有源层连接的氧化铟锡膜层以及与所述氧化铟锡膜层连接的金属膜层，其中，所述金属膜层于显示区内开设有通口，所述氧化铟锡膜层与所述显示区对应的部分为像素层。在其中一个实施例中，还包括保护层，所述保护层形成于所述复合金属层上。在其中一个实施例中，所述金属膜层为银膜层。在其中一个实施例中，所述绝缘层开设有通孔。一种显示面板，包括上述任一实施例中所述的阵列基板。一种阵列基板的制备方法，包括：在基板上形成栅极；在所述栅极上形成绝缘层；在所述绝缘层上制备铟镓锌氧化物的有源层；对所述有源层进行刻蚀；在所述有源层上制备复合金属层，所述复合金属层包括氧化铟锡膜层和金属膜层，所述氧化铟锡层与所述有源层连接，所述金属膜层与所述氧化铟锡层连接；将显示区对应的部分所述金属膜层刻蚀掉，将所述显示区外的所述复合金属层设置为源/漏极，将所述显示区内对应的部分所述氧化铟锡膜层设置为像素层。在其中一个实施例中，所述对所述有源层进行刻蚀步骤为：对所述有源层进行曝光、显影和刻蚀，将所述显示区内的部分所述有源层刻蚀掉。在其中一个实施例中，所述将显示区对应的部分所述金属膜层刻蚀掉的步骤为：对所述显示区对应的部分所述金属膜层曝光、显影和刻蚀，将显示区对应的部分所述金属膜层刻蚀掉。在其中一个实施例中，在所述将显示区对应的部分所述金属膜层刻蚀掉的步骤之后还包括：在所述复合金属层上制备保护层。在其中一个实施例中，所述金属膜层为银膜层。上述阵列基板、显示面板及阵列基板的制备方法，一方面，以铟镓锌氧化物制备有源层，使得有源层与含有氧化铟锡膜层的源/漏极更好地接触，有效减小了接触势垒，使得阵列基板的电子迁移率得到提高；另一方面，将复合金属层中的氧化铟锡膜层作为像素层，能够减少工序，进而有效提高生产效率，降低生产成本。附图说明图1为一个实施例的阵列基板的局部剖面结构示意图；图2A为一个实施例的阵列基板在制备过程的结构示意图；图2B为一个实施例的阵列基板在制备过程的结构示意图；图2C为一个实施例的阵列基板在制备过程的结构示意图；图2D为一个实施例的阵列基板在制备过程的结构示意图；图2E为一个实施例的阵列基板在制备过程的结构示意图；图2F为一个实施例的阵列基板在制备过程的结构示意图；图3为一个实施例的阵列基板的制备方法的流程示意图。具体实施方式为了便于理解本专利技术，下面将参照相关附图对本专利技术进行更全面的描述。附图中给出了本专利技术的较佳实施方式。但是，本专利技术可以以许多不同的形式来实现，并不限于本文所描述的实施方式。相反地，提供这些实施方式的目的是使对本专利技术的公开内容理解的更加透彻全面。除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本专利技术的
的技术人员通常理解的含义相同。本文中所使用的术语只是为了描述具体的实施方式的目的，不是旨在于限制本专利技术。本文所使用的术语“及/或”包括一个或多个相关的所列项目的任意的和所有的组合。例如，一种阵列基板，包括：基板；形成于所述基板上的栅极；形成于所述栅极上的绝缘层；形成于所述绝缘层上的有源层，其中，所述有源层为铟镓锌氧化物；形成于所述有源层上的复合金属层，所述复合金属层包括与所述有源层连接的氧化铟锡膜层以及与所述氧化铟锡膜层连接的金属膜层，其中，所述金属膜层于显示区内开设有通口，所述氧化铟锡膜层与所述显示区对应的部分为像素层。例如，一种显示面板，包括上述实施例中所述的阵列基板。例如，一种阵列基板的制备方法，包括：在基板上形成栅极；在所述栅极上形成绝缘层；在所述绝缘层上制备铟镓锌氧化物的有源层；对所述有源层进行刻蚀；在所述有源层上制备复合金属层，所述复合金属层包括氧化铟锡膜层和金属膜层，所述氧化铟锡层与所述有源层连接，所述金属膜层与所述氧化铟锡层连接；将显示区对应的部分所述金属膜层刻蚀掉，将所述显示区外的所述复合金属层设置为源/漏极，将所述显示区内对应的部分所述氧化铟锡膜层设置为像素层。上述实施例中，一方面，以铟镓锌氧化物制备有源层，使得有源层与含有氧化铟锡膜层的源/漏极更好地接触，有效减小了接触势垒，使得阵列基板的电子迁移率得到提高；另一方面，将复合金属层中的氧化铟锡膜层作为像素层，能够减少工序，进而有效提高生产效率，降低生产成本。在一个实施例中，如图1所示，提供一种阵列基板10，包括：基板100；形成于所述基板100上的栅极210和存储电容电极(图中省略存储电容电极，未示)；形成于所述栅极210上的绝缘层220；形成于所述绝缘层220上的有源层230，其中，所述有源层230为铟镓锌氧化物；形成于所述有源层230上的复合金属层240，所述复合金属层240包括与所述有源层230连接的氧化铟锡膜层241以及与所述氧化铟锡膜层241连接的金属膜层242，其中，所述金属膜层242于所述显示区251内开设有通口，所述氧化铟锡膜层241与所述显示区251对应的部分为像素层。具体地，阵列基板具有显示区，该显示区为透明区域，用于透光进而显示像素。例如，该基板还具有开关区252，该开关区252内形成有薄膜晶体管，该薄膜晶体管包括栅极210、绝缘层220、有源层230和源/漏极，即该金属复合层240在显示区251外的部分为源/漏极。例如，所述氧化铟锡膜层241与所述通口对应的部分设置为像素层，例如，与所述金属膜层242连接的部分所述氧化铟锡膜层241以及所述金属膜层242设置为源/漏极(Source&Drain)，即金属复合层未被刻蚀的部分为源/漏极，金属复合层中与通口对齐的部分氧化铟锡膜层241为像素层(Pixel层)，该像素层也可称为像素电极，例如，该源/漏极包括源极和漏极。由于源/漏极和像素层分别为氧化铟锡膜层241的一部分，这样，使得源/漏极和像素层连接。具体地，该基板100为玻璃基板，该基板100为透明的玻璃基板，例如，该栅极210(Gate)为金属栅极210，该栅极210通过绝缘层220与复合金属层240隔离，该栅极210作为阵列基板10的扫描线，用于控制显示器的画面的更新，并且用于控制有源层230的开关的开启与关闭。该绝缘层220用于绝缘隔离本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种阵列基板，其特征在于，包括：基板；形成于所述基板上的栅极；形成于所述栅极上的绝缘层；形成于所述绝缘层上的有源层，其中，所述有源层为铟镓锌氧化物；形成于所述有源层上的复合金属层，所述复合金属层包括与所述有源层连接的氧化铟锡膜层以及与所述氧化铟锡膜层连接的金属膜层，其中，所述金属膜层于显示区内开设有通口，所述氧化铟锡膜层与所述显示区对应的部分为像素层。

【技术特征摘要】
1.一种阵列基板，其特征在于，包括：基板；形成于所述基板上的栅极；形成于所述栅极上的绝缘层；形成于所述绝缘层上的有源层，其中，所述有源层为铟镓锌氧化物；形成于所述有源层上的复合金属层，所述复合金属层包括与所述有源层连接的氧化铟锡膜层以及与所述氧化铟锡膜层连接的金属膜层，其中，所述金属膜层于显示区内开设有通口，所述氧化铟锡膜层与所述显示区对应的部分为像素层。2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，还包括保护层，所述保护层形成于所述复合金属层上。3.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述金属膜层为银膜层。4.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述绝缘层开设有通孔。5.一种显示面板，其特征在于，包括权利要求1至4中任一项所述的阵列基板。6.一种阵列基板的制备方法，其特征在于，包括：在基板上形成栅极；在所述栅极上形成绝缘层；在所述绝缘层上制备铟镓锌氧化物的有源层；对所述有源层进行刻蚀；在所述有源层上制备复合金...

【专利技术属性】
技术研发人员：王学雷，朱景河，黄伟东，李建华，
申请(专利权)人：信利惠州智能显示有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44