反相电路、驱动方法、阵列基板、检测方法及显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种反相电路、驱动方法、阵列基板、检测方法及显示装置，可以仅通过一个开关晶体管与一个电阻的相互配合，即可通过简单的结构使反相电路的输出端的信号的电平与其输入端的信号的电平相反，从而可以降低占用面积，降低生产成本。

【技术实现步骤摘要】
反相电路、驱动方法、阵列基板、检测方法及显示装置
本专利技术涉及信号控制电路
，特别涉及一种反相电路、驱动方法、阵列基板、检测方法及显示装置。
技术介绍
反相电路是可以将输入信号的电平进行反相并输出的电路。反相电路主要应用在模拟电路中，比如音频放大电路，时钟振荡器电路等。在显示面板的线路设计中，也经常需要使用反相电路。目前，在半导体薄膜晶体管(ThinFilmTransistor，TFT)的线路设计中，反相电路一般是由多个N型TFT和P型TFT构成的，导致反相电路的结构复杂以及占用面积较多。并且，N型TFT和P型TFT的制备方法也不尽相同，从而导致反相电路的制备方法也较复杂，不利于降低成本。
技术实现思路
本专利技术实施例提供一种反相电路、驱动方法、阵列基板、检测方法及显示装置，用以解决现有技术中反相电路结构复杂，不利于降低占用面积与成本的问题。本专利技术实施例提供了一种反相电路，包括：开关晶体管与分压电阻；所述开关晶体管的控制极与所述反相电路的输入端电连接，所述开关晶体管的第一极与第一参考信号端电连接，所述开关晶体管的第二极分别与分压电阻的第一端以及所述反相电路的输出端电连接；所述分压电阻的第二端与第二参考信号端电连接。可选地，在本专利技术实施例提供的上述阵列基板中，所述开关晶体管的开态电阻值rm1与所述分压电阻的电阻值r0满足公式：和/或，所述开关晶体管的关态电阻值rm2与所述分压电阻的电阻值r0满足公式：相应地，本专利技术实施例还提供了一种本专利技术实施例提供的上述任一种反相电路的驱动方法，包括：第一阶段，向所述反相电路的输入端输入第一电平信号以控制所述开关晶体管导通，使所述反相电路的输出端输出第二电平信号；第二阶段，向所述反相电路的输入端输入所述第二电平信号以控制所述开关晶体管截止，使所述反相电路的输出端输出所述第一电平信号。相应地，本专利技术实施例还提供了一种阵列基板，包括：栅极驱动电路，以及与所述栅极驱动电路电连接的多条信号线；将用于输入电平相反的信号的两条信号线划分为一个信号线组；所述阵列基板还包括：与至少一个信号线组一一对应连接的反相电路；所述反相电路的输入端与对应的信号线组中的一条信号线电连接，输出端与对应的所述信号线组中的另一条信号线电连接；其中，所述反相电路为本专利技术实施例提供的任一种反相电路。可选地，在本专利技术实施例提供的上述阵列基板中，每一个所述信号线组对应一个反相电路。可选地，在本专利技术实施例提供的上述阵列基板中，所述信号线包括：时钟信号线。可选地，在本专利技术实施例提供的上述阵列基板中，所述时钟信号线包括至少六条时钟信号线。可选地，在本专利技术实施例提供的上述阵列基板中，所述信号线包括：第一参考电压信号线与第二参考电压信号线；其中，所述第一参考电压信号线的信号的电平与所述第二参考电压信号线的电平相反。可选地，在本专利技术实施例提供的上述阵列基板中，所述反相电路设置于所述阵列基板的预切割区域。相应地，本专利技术实施例还提供了一种显示装置，包括本专利技术实施例提供的上述任一种阵列基板。可选地，在本专利技术实施例提供的上述显示装置中，所述显示装置中的阵列基板为切除预切割区域后的面板区域。相应地，本专利技术实施例还提供了一种本专利技术实施例提供的上述任一种阵列基板的检测方法，包括：将外部治具探针与信号线对应导通，向对应导通的所述信号线输入测试信号；其中，在信号线与反相电路电连接时，所述外部治具探针仅与所述反相电路的输入端电连接的信号线对应导通。可选地，在本专利技术实施例提供的上述检测方法中，每一个所述信号线组对应一个反相电路；所述将外部治具探针与信号线对应导通，具体包括：将所述外部治具探针分别与各所述反相电路的输入端电连接的信号线对应导通。可选地，在本专利技术实施例提供的上述检测方法中，所述信号线包括时钟信号线；所述向对应导通的所述信号线输入测试信号，具体包括：向对应导通的所述信号线输入测试时钟信号。可选地，在本专利技术实施例提供的上述检测方法中，所述信号线包括第一参考电压信号线与第二参考电压信号线；所述向对应导通的所述信号线输入测试信号，具体包括：向对应导通的所述信号线输入测试参考电压信号。本专利技术有益效果如下：本专利技术实施例提供的反相电路、驱动方法、阵列基板、检测方法及显示装置，可以仅通过一个开关晶体管与一个电阻的相互配合，即可通过简单的结构使反相电路的输出端的信号的电平与其输入端的信号的电平相反，从而可以降低占用面积，降低生产成本。附图说明图1为本专利技术实施例提供的反相电路的结构示意图；图2为本专利技术实施例提供的反相电路的电路时序图；图3为本专利技术实施例提供的驱动方法的流程图；图4为本专利技术实施例提供的阵列基板的结构示意图；图5为向本专利技术实施例提供的阵列基板输入的信号的示意图。具体实施方式为了使本专利技术的目的，技术方案和优点更加清楚，下面结合附图，对本专利技术实施例提供的反相电路、驱动方法、阵列基板、检测方法及显示装置的具体实施方式进行详细地说明。应当理解，下面所描述的优选实施例仅用于说明和解释本专利技术，并不用于限定本专利技术。并且在不冲突的情况下，本申请中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。本专利技术实施例提供的反相电路，如图1所示，可以包括：开关晶体管M0与分压电阻R0；其中，开关晶体管M0的控制极g与反相电路的输入端IN电连接，开关晶体管M0的第一极s与第一参考信号端VREF1电连接，开关晶体管M0的第二极d分别与分压电阻R0的第一端以及反相电路的输出端OUT电连接；分压电阻R0的第二端与第二参考信号端VREF2电连接。本专利技术实施例提供的上述反相电路可以仅通过一个开关晶体管与一个电阻的相互配合，即可通过简单的结构使反相电路的输出端的信号的电平与其输入端的信号的电平相反，从而可以降低占用面积，降低生产成本。在具体实施时，在本专利技术实施例提供的上述反相电路中，开关晶体管M0在其控制极g与其第一极s之间的电压差Vgs大于开关晶体管M0的阈值电压Vth，即Vgs>Vth时导通，以使开关晶体管M0为开态，此时开关晶体管M0具有开态电阻值rm1。开关晶体管M0在其控制极g与其第一极s之间的电压差Vgs小于开关晶体管M0的阈值电压Vth，即Vgs<Vth时截止，以使开关晶体管M0为关态，此时开关晶体管M0具有关态电阻值rm2。在具体实施时，在本专利技术实施例提供的上述反相电路中，开关晶体管的开态电阻值rm1与分压电阻的电阻值r0可以满足公式：在具体实施时，在本专利技术实施例提供的上述反相电路中，开关晶体管的关态电阻值rm2与分压电阻的电阻值r0满足公式：应用于平板显示的薄膜晶体管的有源层的材料可以为硅，例如包括非晶硅、多晶硅、微晶硅等；或者也可以为金属氧化物半导体材料，例如包括氧化铟镓锌(IGZO)、氧化铟锌(IZO)等，在此不作限定。由于非晶硅可以淀积在各种大面积的衬底上，所以生产成本低廉，得到了广泛的应用。在具体实施时，本专利技术实施例提供的开关晶体管的有源层的材料可以为非晶硅。当然，开关晶体管的有源层的材料也可以为其他半导体材料，在此不作限定。在具体实施时，开关晶体管的开态电阻值rm1为开关晶体管在有源层的沟道为单位宽长比时的开态电阻。开关晶体管的关态电阻值rm2为开关晶体管在有源层的沟道为单位宽长比时的关态电阻。可选地，在具体实施时，可以使分压电本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种反相电路，其特征在于，包括：开关晶体管与分压电阻；所述开关晶体管的控制极与所述反相电路的输入端电连接，所述开关晶体管的第一极与第一参考信号端电连接，所述开关晶体管的第二极分别与分压电阻的第一端以及所述反相电路的输出端电连接；所述分压电阻的第二端与第二参考信号端电连接。

【技术特征摘要】
1.一种反相电路，其特征在于，包括：开关晶体管与分压电阻；所述开关晶体管的控制极与所述反相电路的输入端电连接，所述开关晶体管的第一极与第一参考信号端电连接，所述开关晶体管的第二极分别与分压电阻的第一端以及所述反相电路的输出端电连接；所述分压电阻的第二端与第二参考信号端电连接。2.如权利要求1所述的反相电路，其特征在于，所述开关晶体管的开态电阻值rm1与所述分压电阻的电阻值r0满足公式：和/或，所述开关晶体管的关态电阻值rm2与所述分压电阻的电阻值r0满足公式：3.一种如权利要求1或2所述的反相电路的驱动方法，其特征在于，包括：第一阶段，向所述反相电路的输入端输入第一电平信号以控制所述开关晶体管导通，使所述反相电路的输出端输出第二电平信号；第二阶段，向所述反相电路的输入端输入所述第二电平信号以控制所述开关晶体管截止，使所述反相电路的输出端输出所述第一电平信号。4.一种阵列基板，包括：栅极驱动电路，以及与所述栅极驱动电路电连接的多条信号线；其特征在于，将用于输入电平相反的信号的两条信号线划分为一个信号线组；所述阵列基板还包括：与至少一个信号线组一一对应连接的反相电路；所述反相电路的输入端与对应的信号线组中的一条信号线电连接，输出端与对应的所述信号线组中的另一条信号线电连接；其中，所述反相电路为如权利要求1或2所述的反相电路。5.如权利要求4所述的阵列基板，其特征在于，每一个所述信号线组对应一个反相电路。6.如权利要求4所述的阵列基板，其特征在于，所述信号线包括：时钟信号线。7.如权利要求6...

【专利技术属性】
技术研发人员：芮洲，杨海鹏，戴珂，尹傛俊，司秀丽，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，合肥鑫晟光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：北京,11