一种光刻板、芯片模组及光刻板的制备方法技术

本发明专利技术公开了一种光刻板、芯片模组及光刻板的制备方法，该光刻板的制备方法包括：提供一基板，基板包括遮光区域和全透光区域，遮光区域与全透光区域相邻设置；在位于预设区域内的全透光区域上设置滤波膜，以将位于预设区域内的全透光区域设置为部分透光区域；其中，部分透光区域用于过滤至少一个波段的紫外线。通过上述方式，本发明专利技术能够有效解决光刻胶曝光不充分或过分曝光的问题，并提高芯片的性能及成品率。

【技术实现步骤摘要】
一种光刻板、芯片模组及光刻板的制备方法
本专利技术涉及半导体芯片制造
，特别是涉及一种光刻板、芯片模组及光刻板的制备方法。
技术介绍
随着技术的发展以及应用领域的不断扩展，半导体元件的电子器件在现代电子技术中占据着越来越重要的地位。半导体元件的电子器件的制造工艺包括曝光步骤。在曝光步骤中，需要采用光刻胶涂敷半导体芯片，通过光刻板将紫外线或受激准分子激光照射到半导体芯片上。现有技术中，曝光步骤中所使用的光刻板为一整体，光刻板上透光区域的透光性能完全一致。本专利技术的专利技术人在长期的研发过程中，发现半导体芯片作业完数十道工序后表面凹凸不平，半导体芯片上光刻胶涂敷厚度不均匀，但现有光刻板无法根据光刻胶的不同厚度选择对应的曝光强度，导致光刻胶曝光不充分或过分曝光，影响半导体芯片的性能，导致半导体芯片成品率恶化。
技术实现思路
本专利技术主要解决的技术问题是提供一种光刻板、芯片模组及光刻板的制备方法，能够有效解决光刻胶曝光不充分或过分曝光的问题，并提高芯片的性能及成品率。为解决上述技术问题，本专利技术采用的一个技术方案是：提供一种光刻板的制备方法，该制备方法包括：提供一基板，基板包括遮光区域和全透光区域，遮光区域与全透光区域相邻设置；在位于预设区域内的全透光区域上设置滤波膜，以将位于预设区域内的全透光区域设置为部分透光区域；其中，部分透光区域用于过滤至少一个波段的紫外线。其中，在位于预设区域内的全透光区域上设置滤波膜包括：在基板上依次设置滤波膜和光刻胶层；利用掩膜板对位于预设区域外的光刻胶层进行曝光，掩膜板包括第一遮光区域和第一透光区域，第一遮光区域与预设区域对应设置；对曝光后的光刻胶层进行显影，得到裸露的位于预设区域外的滤波膜；去除裸露的滤波膜；去除位于预设区域内的光刻胶层。其中，利用掩膜板对位于预设区域外的光刻胶层进行曝光包括：预先计算光刻胶层的曝光能量，根据光刻胶层的曝光能量制作掩膜板。其中，去除裸露的滤波膜包括：利用刻蚀剂去除裸露的滤波膜。其中，去除位于预设区域内的光刻胶层包括：利用剥离液去除位于预设区域内的光刻胶层。其中，在位于预设区域内的全透光区域上设置滤波膜包括：在位于预设区域内的全透光区域上设置多层滤波膜，每层滤波膜用于过滤至少一个波段的紫外线。为解决上述技术问题，本专利技术采用的另一个技术方案是：提供一种光刻板，该光刻板包括基板，基板包括遮光区域和全透光区域，遮光区域与全透光区域相邻设置；位于预设区域内的全透光区域上设有滤波膜，以将位于预设区域内的全透光区域设置为部分透光区域；其中，部分透光区域用于过滤至少一个波段的紫外线。其中，位于预设区域内的全透光区域上设有滤波膜包括：位于预设区域内的全透光区域上设有多层滤波膜，每层滤波膜用于过滤至少一个波段的紫外线。为解决上述技术问题，本专利技术采用的又一个技术方案是：提供一种芯片模组，该芯片模组包括芯片和设置于芯片上的厚度不均匀的光刻胶层；光刻胶层采用上述的光刻板进行曝光，该光刻板包括遮光区域、部分透光区域及全透光区域。其中，部分透光区域对应的光刻胶层厚度大于遮光区域对应的光刻胶层厚度、并小于全透光区域对应的光刻胶层厚度。本专利技术的有益效果是：区别于现有技术的情况，本专利技术提供一种光刻板的制备方法，该制备方法包括：提供一基板，基板包括遮光区域和全透光区域，遮光区域与全透光区域相邻设置；在位于预设区域内的全透光区域上设置滤波膜，以将位于预设区域内的全透光区域设置为部分透光区域；其中，部分透光区域用于过滤至少一个波段的紫外线。通过上述方式，本专利技术能够根据光刻胶层不同区域的曝光需要，在基板上的预设区域设置滤波膜以在部分透光区域处过滤至少一个波段的紫外线，从而为不同区域提供合适的曝光强度，有效解决光刻胶曝光不充分或过分曝光的问题，并提高芯片的性能及成品率。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。其中：图1是本专利技术光刻板的制备方法一实施方式的流程示意图；图2是本专利技术步骤S12的流程示意图；图3是图2实施方式对应的结构示意图；图4是本专利技术光刻板一实施方式的结构示意图；图5是图4中部分透光区域113的局部结构示意图；图6是本专利技术芯片模组的结构示意图；图7是图6中芯片模组在曝光中的结构示意图。具体实施方式下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性的劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。除非另外定义，本公开使用的技术术语或者科学术语应当为本公开所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本公开中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性，而只是用来区分不同的组成部分。“包括”或者“包含”等类似的词语意指出现该词前面的元件或者物件涵盖出现在该词后面列举的元件或者物件及其等同，而不排除其他元件或者物件。“上”、“下”、“左”、“右”等仅用于表示相对位置关系，当被描述对象的绝对位置改变后，则该相对位置关系也可能相应地改变。参阅图1，图1是本专利技术光刻板的制备方法一实施方式的流程示意图。在本实施方式中，该方法包括：步骤S11：提供一基板，基板包括遮光区域和全透光区域，遮光区域与全透光区域相邻设置。具体地，在本实施方式中，基板的材质可以为玻璃，如高纯度、低反射率、低热膨胀系数的石英玻璃。在其他实施方式中，基板的材质也可以为金属或金属氧化物，如钨钢、铬钢、氧化铁或氧化铬。其中，基板可以是圆形或矩形，在实际应用，可以根据需要灵活选择不同形状的基板。在此不做限定。其中，遮光区域与全透光区域相邻设置，在本实施方式中，可以通过溅射的方式，在石英玻璃基板下方形成彼此之间以预定间隔隔开的铬层，以得到相邻设置的遮光区域和全透光区域，遮光区域为含有铬层的区域。在其他实施方式中，也可以通过其他方式形成相邻设置的遮光区域与全透光区域。在此不做限定。步骤S12：在位于预设区域内的全透光区域上设置滤波膜，以将位于预设区域内的全透光区域设置为部分透光区域。具体地，在本实施方式中，根据光刻胶层不同区域的曝光需要，可以通过曝光显影的方式在预设区域内的全透光区域上设置滤波膜。在其他实施方式中，也可以通过在位于预设区域内的全透光区域上贴附或电镀滤波膜以得到部分透光区域。其中，滤波膜为能够过滤至少一个波段的紫外线的膜层。在本实施方式中，滤波膜可以为紫外透过滤波片、紫外短通滤波片、紫外长通滤波片、紫外带通滤波片中的至少一种。滤波膜的数量可以为至少一层，如一层、两层、三层，可以根据实际需要灵活选择滤波膜的数量。其中，全透光区域接收曝光强度最大，遮光区域接收曝光强度最小，部分透光区域接收曝光强度介于全透光区域全透光区域和遮光区域之间。也就是说，全透光区域一般对应光刻胶层厚度相对较大的半导体芯片划片槽区域，遮光区域一般对应的光刻胶层厚度相对较小的区域，部分透光区域一般对应光刻胶层厚度相对中等的区域。通过上述方式，本实施方式能够根据光刻胶本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种光刻板的制备方法，其特征在于，所述方法包括：提供一基板，所述基板包括遮光区域和全透光区域，所述遮光区域与所述全透光区域相邻设置；在位于预设区域内的全透光区域上设置滤波膜，以将所述位于预设区域内的全透光区域设置为部分透光区域；其中，所述部分透光区域用于过滤至少一个波段的紫外线。

【技术特征摘要】
1.一种光刻板的制备方法，其特征在于，所述方法包括：提供一基板，所述基板包括遮光区域和全透光区域，所述遮光区域与所述全透光区域相邻设置；在位于预设区域内的全透光区域上设置滤波膜，以将所述位于预设区域内的全透光区域设置为部分透光区域；其中，所述部分透光区域用于过滤至少一个波段的紫外线。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在位于预设区域内的全透光区域上设置滤波膜包括：在所述基板上依次设置所述滤波膜和光刻胶层；利用掩膜板对位于所述预设区域外的光刻胶层进行曝光，所述掩膜板包括第一遮光区域和第一透光区域，所述第一遮光区域与所述预设区域对应设置；对曝光后的所述光刻胶层进行显影，得到裸露的位于所述预设区域外的滤波膜；去除所述裸露的滤波膜；去除位于所述预设区域内的光刻胶层。3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述利用掩膜板对位于所述预设区域外的光刻胶层进行曝光包括：预先计算所述光刻胶层的曝光能量，根据所述光刻胶层的曝光能量制作所述掩膜板。4.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述去除所述裸露的滤波膜包括：利用刻蚀剂去除所述裸露的滤波膜。5.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述去除位于所述预设区域内的光刻胶层包括：利用剥离液去...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴谦国，
申请(专利权)人：通富微电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏,32