一种单晶硅片的制绒方法技术

本发明专利技术提供一种单晶硅片的制绒方法，该制绒方法包括如下步骤：将乙烯基吡咯烷酮‑乙烯基咪唑的共聚物0.05‑3%，聚乙二醇‑聚丙二醇‑聚乙二醇共聚物0.05‑3%，乙二胺四乙酸0.05‑1%，单乙醇胺0.1‑5%，苯甲酸钠0.05‑0.5%，对甲苯磺酸钠0.1‑2%溶解到余量的水中；将步骤1）制得的制绒添加剂加到碱溶液中，混合均匀；所述的制绒添加剂与碱溶液的质量比为0.1~3:100；将单晶硅片置入步骤2）制得的制绒液中进行制绒，该方法在对单晶硅片进行制绒时，将本发明专利技术中的制绒添加剂按照一定比例加入到碱液中，即可实现快速制绒效果，制绒时间为300s‑420s。

【技术实现步骤摘要】
一种单晶硅片的制绒方法
本专利技术涉及太阳光伏电池技术领，尤其涉及一种单晶硅片制绒添加剂。
技术介绍
碱液对单晶硅片的[100]晶面蚀刻较快，而对[111]晶面的蚀刻较慢。由此而产生的蚀刻速率差将会导致在使用碱液对硅片进行蚀刻的过程中单晶硅片表面会形成金字塔结构。该结构能有效减少硅片对光的反射。在太阳能电池片的制备过程中，硅片对光的反射越低，硅片对光的吸收越多，太阳能电池转换效率也越高。通过上述碱液蚀刻的方法对单晶硅片表面进行织构化处理是常用的增加晶体硅对光的吸收的有效途径之一。现有的单晶硅制绒工艺通常需要600s-900s的制绒时间，效率较低，如果能缩短制绒时间，将能有效提高生产效率。本专利的制绒添加剂可极大的缩短制绒时间，且制绒后单晶硅表面的金字塔的尺寸大小和分布与常规工艺接近。
技术实现思路
本专利技术提供一种单晶硅片的制绒方法，该方法在对单晶硅片进行制绒时，将本专利中的制绒添加剂按照一定比例加入到碱液中，即可实现快速制绒效果，制绒时间为300s-420s。该制绒方法包括如下步骤：1）制绒添加剂的配置：依次将一定质量百分比的乙烯基吡咯烷酮-乙烯基咪唑的共聚物0.05-3%，聚乙二醇本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种单晶硅片的制绒方法，其特征在于：该制绒方法包括如下步骤：1）制绒添加剂的配置：依次将乙烯基吡咯烷酮‑乙烯基咪唑的共聚物0.05‑3%，聚乙二醇‑聚丙二醇‑聚乙二醇共聚物0.05‑3%，乙二胺四乙酸0.05‑1%，单乙醇胺0.1‑5%，苯甲酸钠 0.05‑0.5%，对甲苯磺酸钠 0.1‑2%溶解到余量的水中，混合均匀；2）制绒液的配置：将步骤1）制得的制绒添加剂加到碱溶液中，混合均匀；所述的制绒添加剂与碱溶液的质量比为0.1~3:100；3）将单晶硅片置入步骤2）制得的制绒液中进行制绒，制绒温度为75~88

【技术特征摘要】
1.一种单晶硅片的制绒方法，其特征在于：该制绒方法包括如下步骤：1）制绒添加剂的配置：依次将乙烯基吡咯烷酮-乙烯基咪唑的共聚物0.05-3%，聚乙二醇-聚丙二醇-聚乙二醇共聚物0.05-3%，乙二胺四乙酸0.05-1%，单乙醇胺0.1-5%，苯甲酸钠0.05-0.5%，对甲苯磺酸钠0.1-2%溶解到余量的水中，混合均匀；2）制绒液的配置：将步骤1）制得的制绒添加剂加到碱溶液中，混合均匀；所述的制绒添加剂与碱溶液的质量比为0.1~3:100；3）将单晶硅片置入步骤2）制得的制绒液中进行制绒，制绒温度为75~88oC，制绒时间为300~420s。2.根据权利要求1所述的单晶...

【专利技术属性】
技术研发人员：姜翰钦，吴金丹，周小国，
申请(专利权)人：德清丽晶能源科技有限公司，
类型：发明
国别省市：浙江,33