一种晶体硅抛光添加剂及其用于晶体硅抛光的使用方法技术

本发明专利技术涉及一种晶体硅抛光添加剂及其用于晶体硅抛光的方法，属于太阳能电池生产技术领域，按重量百分比计，其原料组分为0.01％‑3％柠檬酸纳、0.01％‑3％棕榈酸、0.001％‑1％十六烷基三甲基氧化胺、0.1％‑2％吐温和余量的去离子水，添加剂在使用时需要加入氧化钠或氢氧化钾制成抛光液，添加剂与碱性溶液的体积百分比为1.2:100‑5:100，抛光液的温度为55℃‑80℃，晶体硅抛光时间为120s‑300s。本发明专利技术利用棕榈酸来控制反应速度，同时增大碱浓度，得到大小均匀的晶格基座，与此同时柠檬酸钠有金属络合作用，对硅片有清洁作用，且成本低廉。

A crystal silicon polishing additive and its application to crystal silicon polishing

The invention relates to a method for polishing crystal silicon additive and its crystal silicon polished, which belongs to the technical field of solar cell production, according to the weight percentage, the raw materials were divided into 0.01% deionized water 3% sodium citrate, palmitic acid, 0.01% 3% 0.001% 1% sixteen alkyl three methyl amine oxide, 0.1% Twain and 2% margin, additives need to add sodium oxide or potassium hydroxide slurry when in use, the percentage of additives and the alkaline solution volume of 1.2:100 5:100, polishing temperature of 55 DEG 80 DEG C, crystal silicon polishing time is 120s 300s. The present invention uses palmitic acid to control reaction speed, and increases alkali concentration to get uniform and uniform lattice base. At the same time, sodium citrate has metal complexation, which has clean effect on silicon wafer and low cost.

【技术实现步骤摘要】
一种晶体硅抛光添加剂及其用于晶体硅抛光的使用方法
本专利技术涉及太阳能电池生产
，具体为一种晶体硅抛光添加剂及其用于晶体硅抛光的使用方法。
技术介绍
在晶硅太阳能电池片制备过程中，对硅片进行背面抛光是为了提高太阳能电池片的性能和效率，需要制作较平整的背面，从而提高太阳能电池的转换效率。目前，工业化晶体硅电池片的生产抛光步骤中主要使用以下三种：1.硝酸、氢氟酸抛光，这类方法抛光反射率较低，生产成本较高，同时环境污染比较严重。2.四甲基氢氧化铵抛光，这类方法反射率较高，但是抛光药液成本较高，环境污染比较严重，处理成本较高。3.浓碱抛光，使用高浓度的氢氧化钾、氢氧化钠无机碱抛光，这类方法工艺不稳定，反应过程不好控制，同时碱会腐蚀硅片正面的氧化硅，从而破坏正面PN结，导致电池失效。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种晶体硅抛光添加剂及其用于晶体硅抛光的使用方法，以解决上述
技术介绍
中提出的问题。为实现上述目的，本专利技术提供如下技术方案：一种晶体硅抛光添加剂，包括以下成分：柠檬酸钠、棕榈酸、十六烷基三甲基氧化胺、吐温和去离子水。优选的，其成分的占质量百分比如下：优选的，所述的一种晶体硅抛光添加剂用于晶体硅抛光的使用方法，其特征在于：选取适量的晶体硅抛光添加剂，在晶体硅抛光添加剂中加入适量的碱性溶液，混合反应后，配成抛光液。优选的，所述碱性溶液为浓度2.5％-10％的氢氧化钠或氢氧化钾溶液。优选的，所述晶体硅抛光添加剂与碱性溶液的体积百分比为1.2:100-5:100。优选的，所述抛光液的温度为55℃-80℃。优选的，晶体硅在抛光液中的反应时间为120s-300s。与现有技术相比，本专利技术的有益效果是：本专利技术提供了一种晶体硅抛光添加剂及其用于晶体硅抛光的使用方法。该添加剂能够大幅度降低碱对氧化硅的腐蚀速率，从而保护电池正面的PN结在刻蚀过程中不被破坏。该添加剂还可以促进碱对背面硅片的抛光效果，获得更为平整的表面。在应用于晶体硅片抛光时，不需要使用传统工艺中的硝酸、氢氟酸或四甲基氢氧化铵，可以获得优异的抛光效果，同时，碱和添加剂浓度远低于常规抛光工艺，生产过程中无挥发，后续添加量很小，能够大幅度降低生产成本，免除了使用硝酸、氢氟酸或者四甲基氢氧化铵带来的环境污染以及对员工的危害；其组分中的柠檬酸钠，具有金属离子络合能力，对硅片有清洁作用，且成本低廉，工艺简单，有较大的实际利用价值。附图说明图1为本专利技术实施例1中制得的硅片表面抛光面的显微镜照片；图2为本专利技术实施例2中制得的硅片表面抛光面的显微镜照片；图3为本专利技术实施例1中制得的硅片表面抛光面的反射光谱。具体实施方式下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。请参阅图1-3，本专利技术提供以下几种技术方案：实施例1配制晶体硅抛光添加剂，将10g柠檬酸钠，10g棕榈酸，2g十六烷基三甲基氧化胺，1.5ml吐温混合溶解到1L去离子水中，得到晶体硅抛光添加剂。将5000g氢氧化钠，1L无晶体硅抛光添加剂加入到160L去离子水中，得到抛光液。将抛光液升温到65℃，然后将扩散后的去PSG硅片浸入抛光液中抛光，抛光时间为200s，所得的硅片经扫描电镜检测晶格基座大小为10-30μm，且无其他形貌杂质。实施例2配制晶体硅抛光添加剂，将15g柠檬酸钠，15g棕榈酸，3g十六烷基三甲基氧化胺，2.25ml吐温混合溶解到1.5L去离子水中，得到晶体硅抛光添加剂。将4000g氢氧化钠，1.5L晶体硅抛光添加剂加入到180L去离子水中，得到抛光液。将抛光液升温到75℃，然后将扩散后的去PSG硅片浸入抛光液中抛光，抛光时间为120s，所得的硅片经扫描电镜检测晶格基座大小为10-30μm，且无其他形貌杂质。实施例3在实施例1的基础上，改氢氧化钠为3000g。实施例4在实施例1的基础上，改边抛光时间为300s。实施例5在实施例1的基础上，改抛光温度为80℃。实施例6在实施例2的基础上，改氢氧化钠为4500g。实施例7在实施例2的基础上，改抛光时间为180s。实施例8在实施例2的基础上，改边抛光温度为60℃。设计性能测试将上述实施例1-8中制得的单晶硅片进行反射率和腐蚀厚度测试，测试方法如下：反射率在型号为RaditechD8的标准8度绒面积分式反射率量测仪上测试；制绒前先用天平称一下硅片，制绒后再称一下硅片，得到减重量,然后用减重量除以原重量，乘以原厚度，得到腐蚀厚度；测试结果见下表实施例反射率(％)腐蚀厚度(μm)实施例148.610实施例248.710.5实施例348.210实施例448.210.2实施例548.210.3实施例648.610实施例748.110.3实施例848.310.1综上所述，本专利技术的晶体硅抛光添加剂原料用量少，工艺简单，且制得的外观和晶格基座好。尽管已经示出和描述了本专利技术的实施例，对于本领域的普通技术人员而言，可以理解在不脱离本专利技术的原理和精神的情况下可以对这些实施例进行多种变化、修改、替换和变型，本专利技术的范围由所附权利要求及其等同物限定。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种晶体硅抛光添加剂，其特征在于，包括以下成分：柠檬酸钠、棕榈酸、十六烷基三甲基氧化胺、吐温和去离子水。

【技术特征摘要】
1.一种晶体硅抛光添加剂，其特征在于，包括以下成分：柠檬酸钠、棕榈酸、十六烷基三甲基氧化胺、吐温和去离子水。2.根据权利要求1所述的一种晶体硅抛光添加剂，其特征在于，其成分的占质量百分比如下：3.根据权利要求1-2所述的一种晶体硅抛光添加剂用于晶体硅抛光的使用方法，其特征在于：选取适量的晶体硅抛光添加剂，在晶体硅抛光添加剂中加入适量的碱性溶液，混合反应后，配成抛光液。4.根据权利要求3所述的一种晶体硅抛光添加剂用于晶体硅抛光的使用方法，其特征在于：所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：李一鸣，张益荣，张震华，桑丹义，邓雨微，吴冰，
申请(专利权)人：绍兴拓邦电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：浙江,33