一种金字塔形二硫化钼纳米片及其制备方法和应用技术

本发明专利技术涉及一种金字塔形二硫化钼纳米片及其制备方法和应用，所述方法如下：S1：将载玻片作为基底置于氢氟酸中浸泡3～5min，然后清洗除去表面硅酸盐反应生成产物、干燥，备用；S2：用化学气相沉积法，以升华硫与三氧化钼、氯化钼或四硫代钼酸铵分别作为硫源和钼源，用三温区管式炉在基底上生长二硫化钼。本发明专利技术提供的金字塔形二硫化钼纳米片尺寸均匀，有更高密度边界，具有良好导电性能和催化性能。

Pyramid shaped molybdenum disulphide nanosheet and preparation method and application thereof

The invention relates to a pyramidal molybdenum disulfide nanoscale and its preparation method and application. The method is as follows: S1: soaking the slide glass as the substrate in hydrofluoric acid for 3 ~ 5min, and cleaning the surface silicate reaction to produce products, drying, and standby; S2: Sublimation sulfur and three oxidation by chemical vapor deposition. Molybdenum, molybdenum chloride or four ammonium molybdate are used as sulfur source and molybdenum source respectively, and molybdenum disulfide is grown on the substrate by a three temperature zone furnace. The Pyramid shaped molybdenum disulfide nano plate provided by the invention has uniform size, higher density boundary, good conductivity and catalytic performance.

【技术实现步骤摘要】
一种金字塔形二硫化钼纳米片及其制备方法和应用
本专利技术涉及纳米材料制备
，具体地，涉及一种金字塔形二硫化钼纳米片及其制备方法和应用。
技术介绍
能源与环境是与我们息息相关的话题，而人们日益增长的能源消耗和因之带来的环境污染之间的矛盾日益尖锐。清洁可循环能源尤其是氢能源的开发和利用在两者矛盾之间找到了一个平衡点。目前，生产氢气的方式大多以化石燃料的消耗为代价，所带来的环境问题让这个过程得不偿失。基于清洁能源发电并将所得电能用于电解水产氢是未来最有可能实现并商业化的能源产生和储存方式。然而，商业级产氢过程需要高效稳定的催化剂提供足够的活性位点从而降低水解反应的过电势并加速电子的转移。目前催化性能较好的材料主要Pt和Pb等贵金属，但是由于地壳中贵金属含量较少、材料成本较高，从而限制了其商业化应用的前景。于是，科研工作者研究了很多富地质元素的催化剂，包括过渡金属的磷化物，硫化物，碳化物等。其中，由于其边界处与贵金属较接近的氢粒子吸附能，纳米结构的二硫化钼受到了广泛的关注和研究。纳米级二硫化钼的催化活性位点主要为边界处不饱和成键原子，而面内原子不具有催化活性，但是在生长过程中，由于热力本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种金字塔形二硫化钼纳米片的制备方法，其特征在于，所述方法如下：S1：将载玻片作为基底置于氢氟酸中浸泡3～5min，然后清洗除去表面硅酸盐反应生成产物、干燥，备用；S2：用化学气相沉积法，以升华硫与三氧化钼、氯化钼或四硫代钼酸铵分别作为硫源和钼源，用三温区管式炉在基底上生长二硫化钼；其中，生长过程中所述三温区管式炉的三个温区温度调控为：从室温经5min～15min升高至300℃～500℃，保持5～10min后再经过5～10min升温至730℃～750℃并保持5～10min；然后经3～5min降温至650℃～700℃并打开管式炉快速降温；生长过程中气流调控为：升温达到650℃～700℃之前和打开...

【技术特征摘要】
1.一种金字塔形二硫化钼纳米片的制备方法，其特征在于，所述方法如下：S1：将载玻片作为基底置于氢氟酸中浸泡3～5min，然后清洗除去表面硅酸盐反应生成产物、干燥，备用；S2：用化学气相沉积法，以升华硫与三氧化钼、氯化钼或四硫代钼酸铵分别作为硫源和钼源，用三温区管式炉在基底上生长二硫化钼；其中，生长过程中所述三温区管式炉的三个温区温度调控为：从室温经5min～15min升高至300℃～500℃，保持5～10min后再经过5～10min升温至730℃～750℃并保持5～10min；然后经3～5min降温至650℃～700℃并打开管式炉快速降温；生长过程中气流调控为：升温达到650℃～700℃之前和打开管式炉快速降温之后气流为200sccm，期间气流为25sccm～50sccm。2.根据权利要求1所述制备方法，其特征在于，S1中，所述浸泡的时间为5min。3.根据权利要求1所述制备方法，其特征在于，S1中，所述氢氟酸的质量浓度为30～40%。4.根据权利要求3所述制备方法，其特征在于，S1中...

【专利技术属性】
技术研发人员：张璋，苏绍强，周青伟，胡先标，
申请(专利权)人：肇庆市华师大光电产业研究院，
类型：发明
国别省市：广东,44