绝缘栅双极晶体管、IPM模块以及空调器制造技术

本实用新型专利技术公开一种绝缘栅双极晶体管、IPM模块以及空调器，所述绝缘栅双极晶体管包括半导体衬底，有源区、集电极区以及漂移区；有源区设置在所述第一表面处，所述集电极区设置在所述第二表面处；所述漂移区连接所述有源区和集电极区。所述发射极区嵌入设置在所述阱区中，所述沟槽栅极区自所述发射极区延伸至所述漂移区，所述阱区连接所述发射极区和所述漂移区；本方案中，设置所述集电极区的掺杂浓度小于或等于8*10

【技术实现步骤摘要】
绝缘栅双极晶体管、IPM模块以及空调器
本技术涉及半导体
，特别涉及一种绝缘栅双极晶体管、IPM模块以及空调器。
技术介绍
绝缘栅双极晶体管(InsulatedGateBipolarTransistor，简称IGBT)是由双极型三极管(BJT)和绝缘栅型场效应管(MOSFET)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件，兼有MOSFET器件的高输入阻抗和电力晶体管(即巨型晶体管，简称GTR)的低导通压降两方面的优点，因此IGBT目前被广泛应用到各个领域。绝缘栅双极晶体管的集电极区的载流子注入效率和抽取效率很大程度上决定着器件的导通压降和开关特性。现有技术中通常通过增加绝缘栅双极晶体管的集区的掺杂浓度来提高载流子注入效率，从而降低所述绝缘栅双极晶体管的导通压降，但是较高的集区的掺杂浓度不利于器件关断时载流子的抽取速度，导致器件的关断时间较长。同样的，如果降低所述绝缘栅双极晶体管的集区的掺杂浓度，器件的关断时间会降低，但导通压降会增加。因此，研究人员一直在寻找如何设计IGBT器件的结构、掺杂等，以获得更好的导通压降和关断时间的折中关系，设计出低导通压降、短关断时间的IGBT。
技术实现思路
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【技术保护点】
一种绝缘栅双极晶体管，其特征在于，包括:半导体衬底，所述半导体衬底沿其厚度方向依次形成有集电极区、漂移区及有源区；所述有源区包括沟槽栅极区、阱区以及发射极区，所述发射极区嵌入设置在所述阱区中，所述沟槽栅极区自所述发射极区延伸至所述漂移区，所述阱区连接所述发射极区和所述漂移区；所述集电极区的掺杂浓度小于或等于8*10

【技术特征摘要】
1.一种绝缘栅双极晶体管，其特征在于，包括:半导体衬底，所述半导体衬底沿其厚度方向依次形成有集电极区、漂移区及有源区；所述有源区包括沟槽栅极区、阱区以及发射极区，所述发射极区嵌入设置在所述阱区中，所述沟槽栅极区自所述发射极区延伸至所述漂移区，所述阱区连接所述发射极区和所述漂移区；所述集电极区的掺杂浓度小于或等于8*1017/cm-3，所述发射极区的掺杂浓度大于或等于5*1019/cm-3。2.根据权利要求1所述的绝缘栅双极晶体管，其特征在于，所述阱区的掺杂浓度小于或等于4*1016/cm-3。3.根据权利要求1或2所述的绝缘栅双极晶体管，其特征在于，所述漂移区的掺杂浓度为1*1014/cm-3～6*1014/cm-3。4.根据权利要求1所述的绝缘栅双极晶体管，其特征在于，所述集电极区的厚度为0.4um～1.0um...

【专利技术属性】
技术研发人员：冯宇翔，甘弟，
申请(专利权)人：广东美的制冷设备有限公司，
类型：新型
国别省市：广东,44