化学气相沉积设备及成膜方法技术

技术编号:17771216 阅读:187 留言:0更新日期:2018-04-21 23:40
本发明专利技术提供一种化学气相沉积设备,包括:腔体、第一电极、第二电极、沉积基板、进气口、抽气管和连接射频电源。所述第一电极和所述第二电极平行相对设置于所述腔体内。所述第一电极连接射频电源。所述第二电极接地;所述沉积基板设于所述第一电极和所述第二电极之间。所述进气口和所述抽气管分别连接所述腔体。所述第一电极邻近所述第二电极的一侧为非平面结构。还提供一种使用该化学气相沉积设备的成膜方法。

【技术实现步骤摘要】
化学气相沉积设备及成膜方法
本专利技术涉及一种化学气相沉积设备及使用该化学气相沉积设备的成膜方法。
技术介绍
化学气相沉积(ChemicalVaporDeposition,CVD)工艺因其成膜效率高、成膜质量好等优点,已成为薄膜沉积技术的重要工艺。CVD工艺的工作原理大致是:相互平行相对的两块电极板置于真空环境中,其中一块电极板接射频(RadioFrequency,RF)电源,另一块电极板接地。使两块电极板之间产生射频电场,将需要成膜的基板放置于两块电极板间,待成膜工艺气体进入两块电极板之间,在射频电场的作用下被激发成为等离子体。等离子体吸附在基板表面或者和基板表面发生反应从而在基板表面形成薄膜。然而,受离子密度和气流的影响,现有CVD工艺成膜时,中间区域和四周区域成膜速率存在差异,会导致成膜均匀性不佳,是该工艺需改善的一大难题。
技术实现思路
本专利技术的主要目的是提供一种成膜较均匀的化学气相沉积设备。为实现上述目的,本专利技术提供一种化学气相沉积设备,包括:腔体、第一电极、第二电极、沉积基板、进气口、抽气管和连接射频电源;所述第一电极和所述第二电极平行相对设置于所述腔体内;所述第一电本文档来自技高网...
化学气相沉积设备及成膜方法

【技术保护点】
一种化学气相沉积设备,其特征在于,包括:腔体、第一电极、第二电极、沉积基板、进气口、抽气管和连接射频电源;所述第一电极和所述第二电极平行相对设置于所述腔体内;所述第一电极连接射频电源;所述第二电极接地;所述沉积基板设于所述第一电极和所述第二电极之间;所述进气口和所述抽气管分别连接所述腔体;所述第一电极邻近所述第二电极的一侧为非平面结构。

【技术特征摘要】
1.一种化学气相沉积设备,其特征在于,包括:腔体、第一电极、第二电极、沉积基板、进气口、抽气管和连接射频电源;所述第一电极和所述第二电极平行相对设置于所述腔体内;所述第一电极连接射频电源;所述第二电极接地;所述沉积基板设于所述第一电极和所述第二电极之间;所述进气口和所述抽气管分别连接所述腔体;所述第一电极邻近所述第二电极的一侧为非平面结构。2.如权利要求1所述的化学气相沉积设备,其特征在于:所述第一电极包括相对的第一表面和第二表面,所述第一表面面对所述沉积基板,所述第一表面呈中间区域上凹,四周上翘的形状,从而形成所述非平面结构。3.如权利要求2所述的化学气相沉积设备,其特征在于:所述第一表面的中间部分具有第一凹陷部,所述第一凹陷部呈朝远离所述沉积基板的方向凹陷的形状,所述第一表面的两端分别具有一第二凹陷部,所述第二凹陷部呈朝远离所述沉积基板的方向凹陷的形状,所述第二凹陷部与所述第一凹陷部间隔设置。4.如权利要求3所述的化学气相沉积设备,其特征在于:所述第二凹陷部凹陷的深度和区域均较所述第一凹陷部凹陷的深度小。5.如权利要求1所述的化学气相沉积设备,其特征在于:还包括主轴,所述主轴设于所述第二电极远离所述第一电极的一侧,用于支撑所述第二电极。6.如权利要求1所述的化学气相沉积设备,其特征在于:所述第一电极板开设有多个...

【专利技术属性】
技术研发人员:邢升阳
申请(专利权)人:武汉华星光电半导体显示技术有限公司
类型:发明
国别省市:湖北,42

网友询问留言 已有0条评论
  • 还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。

1