一种单面抛光超薄晶圆平坦化加工方法技术

本发明专利技术公开了一种单面抛光超薄晶圆平坦化加工方法，包括如下步骤：首先使用喷砂机构和具备减震功能的晶片吸附载台，喷砂机构以一定的喷射角度将磨料往晶片表面往复、旋转喷射轰击，直到晶片表面均匀完整的粗化。本发明专利技术通过磨砂机构对晶片的表面进行打磨，直到晶片的表面均匀完整的粗化，通过减震平台避免砂粒喷射在晶片表面上瞬间力量过大导致晶片破碎，用以实现厚度＜350um以下的超薄超平坦单面抛光基板备置，解决了传统的单面抛光工艺无法达到钽酸锂(LiTaO3；LT)/铌酸锂(LiNBO3；LN)的平坦度要求，即使习知的双抛工艺具备较好的平坦化制程能力，但也受限晶体本身为透明的特性，而无法直接将抛光后的晶片应用于后段制程上的问题。

Planarization processing method for single side polishing ultra-thin wafer

The invention discloses a processing method for wafer polishing of single side polishing ultra thin wafer, which includes the following steps: first use the sandblasting mechanism and the chip absorbing platform with the shock absorption function, and the sand blasting mechanism makes the abrasive feed to the surface of the wafer and bombardment to the wafer surface, and then to the wafer surface evenly and completely coarsened. Through grinding the surface of the wafer through the grinding mechanism, the invention will make the wafer surface evenly and completely coarsened, and the wafer is broken by the instant strength of sand particles on the wafer surface through the shock absorption platform, so that the ultra-thin super flat single surface polishing substrate under the thickness less than 350um is prepared, and the traditional single side is solved. The polishing process can not meet the flatness requirements of lithium tantalate (LiTaO3; LT) / lithium niobate (LiNBO3; LN). Even if the known double polishing process has better flat process capability, the crystal itself is also transparent, and the wafer after polishing can not be directly applied to the problem of the rear section.

【技术实现步骤摘要】
一种单面抛光超薄晶圆平坦化加工方法
本专利技术涉及晶片抛光
，具体为一种单面抛光超薄晶圆平坦化加工方法。
技术介绍
传统的LT/LN晶圆单面抛光加工方法采用上蜡或者吸附垫的方式来作为晶圆夹持固定的方式，然而这样的晶圆夹持方式常常导致晶片平坦度不佳甚至导致晶片破碎。双抛工艺具有较佳的晶片平坦度控制能力，促使后段黄光微影制程良率得到保障，但LT/LN本身为透明晶体，导致双抛后的晶片呈现高度透光的状态无法直接给后制程进行应用。综上所述，传统的单面抛光工艺无法达到钽酸锂(LiTaO3；LT)/铌酸锂(LiNbO3；LN)的平坦度要求(规格5x5mm，＜0.5um，PLTV≥95％)，即使习知的双抛工艺具备较好的平坦化制程能力，但也受限晶体本身为透明的特性，而无法直接将抛光后的晶片应用于后段制程上，为此，我们提出一种单面抛光超薄晶圆平坦化加工方法。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种单面抛光超薄晶圆平坦化加工方法，以解决上述
技术介绍
中提出的问题。为实现上述目的，本专利技术提供如下技术方案：一种单面抛光超薄晶圆平坦化加工方法，包括如下步骤：首先使用喷砂机构和具备减震功能的晶片吸附载台，本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种单面抛光超薄晶圆平坦化加工方法，其特征在于：包括如下步骤：首先使用喷砂机构和具备减震功能的晶片吸附载台，将晶片放置于吸附载台上，喷砂机构以一定的喷射角度将磨料往晶片表面往复、旋转喷射轰击，直到晶片表面均匀完整的粗化。

【技术特征摘要】
1.一种单面抛光超薄晶圆平坦化加工方法，其特征在于：包括如下步骤：首先使用喷砂机构和具备减震功能的晶片吸附载台，将晶片放置于吸附载台上，喷砂机构以一定的喷射角度将磨料往晶片表面往复、旋转喷射轰击，直到晶片表面均匀完整的粗化。2.根据权利要求1所述的一种单面抛光超薄晶圆平坦化加工方法，其特征在于：所述磨料采用SiC、B4C、塑胶磨粒、陶瓷磨粒、钻石、氧化铝磨粒中的一种或多种的混合料。3.根据权利要求1所述的一种单面抛光超薄晶圆平坦化加工方法，其特征在于：所述喷砂机构的喷射角度为0-180度，用于L...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈铭欣，刘明章，王士玮，吴柯宏，李源萍，林永活，赵斌，
申请(专利权)人：福建晶安光电有限公司，
类型：发明
国别省市：福建,35