无线电子设备制造技术

一种无线电子设备，该无线电子设备包括：衬底集成波导(SIW)；第一金属层，该第一金属层包括一个或更多个顶部陷波器；第二金属层；馈电结构，该馈电结构延伸穿过所述第一金属层并延伸到所述SIW中；以及反射器，该反射器位于所述SIW的第一侧。所述反射器直接连接到所述第一金属层并且沿着所述第一金属层的所述第一侧的主平面向外延伸。所述无线电子设备被配置成当被通过所述馈电结构发送或接收的信号激发时在谐振频率下谐振。所述一个或更多个顶部陷波器被配置为俘获由所述反射器基于通过所述馈电结构发送或接收的所述信号所辐射的信号。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】包括衬底集成波导的宽带天线
本专利技术构思一般地涉及无线通信的领域，并且更具体地，涉及用于无线通信设备的天线。相关申请的交叉引用本申请要求2015年8月13日提交的美国专利申请No.14/825,199的优先权，特此通过引用将其整个公开内容并入。
技术介绍
诸如蜂窝电话和其它用户设备的无线通信设备可以包括用于与外部设备通信的天线。这些天线可以产生宽广的辐射方向图。然而，一些天线设计可以促进其主波束有方向性的不规则的辐射方向图。
技术实现思路
本专利技术构思的各种实施方式包括一种包括衬底集成波导(SIW)的无线电子设备。第一金属层可以位于所述SIW的第一侧。所述第一金属层可以包括一个或更多个顶部陷波器，每个顶部陷波器直接连接到所述第一金属层并且沿着所述第一金属层的第一侧的主平面向外延伸。第二金属层可以位于与所述SIW的所述第一侧相反的所述SIW的第二侧。馈电结构可以延伸穿过所述第一金属层并延伸到所述SIW中。反射器可以位于所述SIW的所述第一侧，并且该反射器可以直接连接到所述第一金属层并且沿着所述第一金属层的所述第一侧的主平面向外延伸。在一些实施方式中，所述无线电子设备可以被配置为当被通过所述馈电结构发送或接收的信号激发时在谐振频率下谐振。所述一个或更多个顶部陷波器可以被配置为使由所述反射器基于通过所述馈电结构发送或接收的所述信号所辐射的信号成形。根据一些实施方式，所述第二金属层可以包括一个或更多个底部陷波器，每个底部陷波器直接连接到所述第二金属层并且沿着所述第二金属层的第一侧的主平面向外延伸。所述一个或更多个底部陷波器可以与所述顶部陷波器中的相应顶部陷波器垂直地对准。在一些实施方式中，所述馈电结构可以包括馈电通孔、与该馈电通孔间隔开并围绕该馈电通孔的环形结构和/或位于该环形结构与该馈电通孔之间的绝缘体。所述环形结构的半径和/或所述环形结构的宽度可被配置为与电耦接到所述馈电结构的信号馈电元件阻抗匹配。在一些实施方式中，所述馈电结构可以从所述第一金属层延伸穿过所述SIW到所述第二金属层。根据一些实施方式，所述一个或更多个顶部陷波器可以包括：第一顶部陷波器，该第一顶部陷波器位于所述馈电结构的第一侧；和/或第二顶部陷波器，该第二顶部陷波器位于与所述馈电结构的所述第一侧相反的所述馈电结构的第二侧。所述第一顶部陷波器和所述第二顶部陷波器可以与所述馈电结构等距离。所述第一顶部陷波器、所述第二顶部陷波器和所述反射器可以沿着所述SIW的所述第一侧的主平面彼此大致平行。所述反射器可以与所述第一顶部陷波器和所述第二顶部陷波器间隔开且等距离。所述第一顶部陷波器和所述第二顶部陷波器可以直接连接到所述第一金属层并且可以不与所述SIW重叠。根据一些实施方式，所述第一金属层可以包括与所述SIW重叠的沿着所述第一金属层间隔开的多个顶部通孔。所述第二金属层可以包括与所述多个顶部通孔中的相应顶部通孔大致垂直地对准的多个底部通孔。在一些实施方式中，所述馈电结构可以位于所述第一金属层中的所述多个顶部通孔中的至少两个之间。根据一些实施方式，所述一个或更多个顶部陷波器中的第一顶部陷波器可以包括所述第一金属层中的凹口。位于所述凹口的一侧的所述第一顶部陷波器的第一部分可以与位于所述凹口的另一侧的所述第一顶部陷波器的第二部分平行且间隔开。所述第一顶部陷波器和所述第二顶部陷波器可以与所述馈电结构等距离。所述第一顶部陷波器的所述第一部分和/或所述第一顶部陷波器的所述第二部分可以离开所述SIW等距地延伸。在一些实施方式中，离开所述SIW延伸的所述第一顶部陷波器的所述第一部分的长度可以在所述谐振频率的0.25个有效波长到0.5个有效波长之间。离开所述SIW延伸的所述第一顶部陷波器的所述第二部分的长度可以在所述谐振频率的0.25个有效波长到0.5个有效波长之间。在一些实施方式中，离开所述SIW延伸的所述反射器的长度可以在所述谐振频率的0.25个有效波长到0.5个有效波长之间。根据一些实施方式，所述无线电子设备可以包括一个或更多个附加SIW，和/或延伸穿过所述第一金属层的一个或更多个附加馈电结构。所述一个或更多个附加馈电结构可以与所述附加SIW中的相应附加SIW关联。所述无线电子设备可以包括位于所述SIW的所述第一侧或所述第二侧的一个或更多个附加反射器。所述一个或更多个附加反射器可以与所述附加SIW中的相应附加SIW关联并且沿着所述第一金属层的所述第一侧的主平面或者沿着所述第二金属层的第一侧的主平面向外延伸。在一些实施方式中，与和所述SIW相邻的所述附加SIW中的一个关联的所述附加反射器中的一个可以位于所述第二金属层上并且/或者可以沿着所述第二金属层的第一侧的主平面向外延伸。本专利技术构思的各种实施方式可以包括一种包括多个衬底集成波导(SIW)的无线电子设备，所述多个SIW彼此间隔开并布置在所述SIW的第一侧的平面和/或第一金属层中。所述第一金属层可以包括多个顶部陷波器。所述多个顶部陷波器可以各自直接连接到所述第一金属层并且/或者可以沿着所述第一金属层的第一侧的主平面向外延伸。第二金属层可以位于与所述SIW的所述第一侧相反的所述SIW的第二侧。所述第二金属层可以包括多个底部陷波器。所述多个底部陷波器可以各自直接连接到所述第二金属层并且/或者可以沿着所述第二金属层的第一侧的主平面向外延伸。所述无线电子设备可以包括与所述SIW中的相应SIW关联的多个馈电结构。所述多个馈电结构可以延伸穿过所述第一金属层并延伸到所关联的SIW中。所述无线电子设备可以包括多个反射器，所述多个反射器直接连接到所述第一金属层或所述第二金属层并且/或者沿着所述第一金属层或所述第二金属层的所述主平面向外延伸。所述多个反射器中的相应反射器可以与所述SIW中的相应SIW关联。在一些实施方式中，所述多个反射器中的第一反射器可以与所述多个SIW中的第一SIW关联并且/或者可以沿着所述第一金属层的所述第一侧向外延伸。所述多个反射器中的第二反射器可以与所述多个SIW中的和所述第一SIW相邻的第二SIW关联，并且/或者可以沿着所述第二金属层的所述第一侧向外延伸。所述无线电子设备可以被配置为当被通过所述馈电结构中的至少一个发送或接收的信号激发时在谐振频率下谐振。所述多个顶部陷波器中的所述第一顶部陷波器和所述第二顶部陷波器可以各自和所述第一反射器相邻并且可以被配置为俘获由所述反射器基于通过所述馈电结构中的所述至少一个发送或接收的所述信号所辐射的信号并且可以由所述第一反射器辐射。根据一些实施方式，所述第一反射器可以与所述第一顶部陷波器和所述第二顶部陷波器大致平行。所述第一反射器可以在所述第一顶部陷波器与所述第二顶部陷波器之间延伸。所述第二反射器可以与所述多个底部陷波器中的第一底部陷波器和第二底部陷波器大致平行。所述第二反射器可以在所述第一底部陷波器与所述第二底部陷波器之间延伸。在一些实施方式中，所述第二顶部陷波器可以与所述第一底部陷波器垂直地对准。所述多个顶部陷波器可以包括与所述第二底部陷波器垂直地对准的第三顶部陷波器。所述多个底部陷波器可以包括可以与所述第一顶部陷波器垂直地对准的第三底部陷波器。根据一些实施方式，所述无线电子设备可以包括：第一子阵列，该第一子阵列包括第一多个所述SIW；和/或第二子阵列，该第二子阵列包本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种无线电子设备(101)，该无线电子设备(101)包括：衬底集成波导(SIW(412))(412)；第一金属层(404)，该第一金属层(404)位于所述SIW(412)的第一侧，该第一金属层(404)包括一个或更多个顶部陷波器(408)，每个顶部陷波器(408)直接连接到所述第一金属层(404)并且沿着所述第一金属层(404)的第一侧的主平面向外延伸；第二金属层(422)，该第二金属层(422)位于与所述SIW(412)的所述第一侧相反的所述SIW(412)的第二侧；馈电结构(420)，该馈电结构(420)延伸穿过所述第一金属层(404)并延伸到所述SIW(412)中；以及反射器(406)，该反射器(406)位于所述SIW(412)的所述第一侧，该反射器(406)直接连接到所述第一金属层(404)并且沿着所述第一金属层(404)的所述第一侧的主平面向外延伸，其中，所述无线电子设备(101)被配置为当被通过所述馈电结构(420)发送或接收的信号激发时在谐振频率下谐振，并且其中，所述一个或更多个顶部陷波器(408)被配置为使由所述反射器(406)基于通过所述馈电结构(420)发送或接收的所述信号所辐射的信号成形。...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2015.08.13 US 14/825,1991.一种无线电子设备(101)，该无线电子设备(101)包括：衬底集成波导(SIW(412))(412)；第一金属层(404)，该第一金属层(404)位于所述SIW(412)的第一侧，该第一金属层(404)包括一个或更多个顶部陷波器(408)，每个顶部陷波器(408)直接连接到所述第一金属层(404)并且沿着所述第一金属层(404)的第一侧的主平面向外延伸；第二金属层(422)，该第二金属层(422)位于与所述SIW(412)的所述第一侧相反的所述SIW(412)的第二侧；馈电结构(420)，该馈电结构(420)延伸穿过所述第一金属层(404)并延伸到所述SIW(412)中；以及反射器(406)，该反射器(406)位于所述SIW(412)的所述第一侧，该反射器(406)直接连接到所述第一金属层(404)并且沿着所述第一金属层(404)的所述第一侧的主平面向外延伸，其中，所述无线电子设备(101)被配置为当被通过所述馈电结构(420)发送或接收的信号激发时在谐振频率下谐振，并且其中，所述一个或更多个顶部陷波器(408)被配置为使由所述反射器(406)基于通过所述馈电结构(420)发送或接收的所述信号所辐射的信号成形。2.根据权利要求1所述的无线电子设备(101)，其中，所述第二金属层(422)包括各自直接连接到所述第二金属层(422)并且沿着所述第二金属层(422)的第一侧的主平面向外延伸的一个或更多个底部陷波器(410)，并且其中，所述一个或更多个底部陷波器(410)与所述顶部陷波器(408)中的相应顶部陷波器垂直地对准。3.根据权利要求1所述的无线电子设备(101)，其中，所述馈电结构(420)包括：馈电通孔(416)；环形结构(418)，该环形结构(418)与所述馈电通孔(416)间隔开并围绕所述馈电通孔(416)；以及绝缘体(424)，该绝缘体(424)位于所述环形结构(418)与所述馈电通孔(416)之间。4.根据权利要求3所述的无线电子设备(101)，其中，所述环形结构(418)的半径和/或所述环形结构(418)的宽度被配置为与电耦接到所述馈电结构(420)的信号馈电元件阻抗匹配。5.根据权利要求1所述的无线电子设备(101)，其中，所述馈电结构(420)从所述第一金属层(404)延伸穿过所述SIW(412)到所述第二金属层(422)。6.根据权利要求1所述的无线电子设备(101)，其中，所述一个或更多个顶部陷波器(408)包括：第一顶部陷波器(408a)，该第一顶部陷波器(408a)位于所述馈电结构(420)的第一侧，以及第二顶部陷波器(408b)，该第二顶部陷波器(408b)位于与所述馈电结构(420)的所述第一侧相反的所述馈电结构(420)的第二侧。7.根据权利要求6所述的无线电子设备(101)，其中，所述第一顶部陷波器(408a)和所述第二顶部陷波器(408b)与所述馈电结构(420)等距离。8.根据权利要求6所述的无线电子设备(101)，其中，所述第一顶部陷波器(408a)、所述第二顶部陷波器(408b)和所述反射器(406)沿着所述SIW(412)的所述第一侧的主平面彼此大致平行，并且其中，所述反射器(406)与所述第一顶部陷波器(408a)和所述第二顶部陷波器(408b)间隔开并且/或者等距离。9.根据权利要求8所述的无线电子设备(101)，其中，所述第一顶部陷波器(408a)和所述第二顶部陷波器(408b)直接连接到所述第一金属层(404)并且不与所述SIW(412)重叠。10.根据权利要求1所述的无线电子设备(101)，其中，所述第一金属层(404)包括与所述SIW(412)重叠的沿着所述第一金属层(404)间隔开的多个顶部通孔(414)其中，所述第二金属层(422)包括与所述多个顶部通孔(414)中的相应顶部通孔大致垂直地对准的多个底部通孔(414)，并且其中，所述馈电结构(420)位于所述第一金属层(404)中的所述多个顶部通孔(414)中的至少两个之间。11.根据权利要求1所述的无线电子设备(101)，其中，所述一个或更多个顶部陷波器(408)中的第一顶部陷波器(408a)包括所述第一金属层(404)中的凹口，并且其中，位于所述凹口的一侧的所述第一顶部陷波器(408a)的第一部分(428a)与位于所述凹口的另一侧的所述第一顶部陷波器(408a)的第二部分(428b)平行且间隔开。12.根据权利要求11所述的无线电子设备(101)，其中，所述第一顶部陷波器(408a)和所述第二顶部陷波器(408b)与所述馈电结构(420)等距离，并且其中，所述第一顶部陷波器(408a)的所述第一部分(428a)和所述第一顶部陷波器(408a)的所述第二部分(428b)离开所述SIW(412)等距地延伸。13.根据权利要求11所述的无线电子设备(101)，其中，离开所述SIW(412)延伸的所述第一顶部陷波器(408a)的所述第一部分(428a)的长度在所述谐振频率的0.25个有效波长到0.5个有效波长之间，并且其...

【专利技术属性】
技术研发人员：应志农，赵坤，
申请(专利权)人：索尼移动通讯有限公司，
类型：发明
国别省市：日本,JP