The utility model discloses a suppression IGBT active clamp circuit fault peak and motor controller, including push-pull circuit, transient voltage suppression diode unit, a first resistor between the transient voltage suppression diode unit is connected to the collector of IGBT and gate, the clamp time of fast dynamic response, can more effectively protect IGBT in such bad condition of motor phase short circuit. The first resistor is connected in series between the push-pull circuit input end and output end, can effectively reduce the breakdown current of TVS tube, reduce the power consumption of the TVS tube, and its failure mode is mostly open, even if the open circuit can ensure the driving circuit can work normally; the first drop resistance is far less than a push-pull circuit in voltage drop, can be avoided effect of a push-pull circuit in the voltage drop, can improve the IGBT gate voltage, reduce the conduction loss of IGBT.
【技术实现步骤摘要】
一种抑制IGBT关断尖峰的有源钳位电路以及电机控制器
本技术涉及电机控制器领域,尤其涉及一种抑制IGBT关断尖峰的有源钳位电路以及电机控制器。
技术介绍
有源钳位电路作为抑制IGBT(InsulatedGateBipolarTransistor,绝缘栅双极性三极管)关断尖峰最直接、有效的方式之一,已越来越广泛地被关注和应用。有源钳位电路的基本原理是利用IGBT关断尖峰超过TVS管(TransientVoltageSuppressor,瞬态抑制二极管)阻断电压时产生的击穿电流给门极充电,提高门极驱动电压,以减小IGBT关断速度来抑制关断尖峰,从而形成负反馈闭环调节。由于驱动芯片的带载能力有限,通常需串入一级推挽放大电路,所以传统的有源钳位电路如图1-3所示,其中:第一种有源钳位电路是将TVS管直接反馈至IGBT门极,如图1所示;第二种有源钳位电路是将TVS管反馈至推挽基极,如图2所示;第三种有源钳位电路是将TVS管既反馈至IGBT门极,又反馈至推挽基极,如图3所示。上述第一种有源钳位电路中的TVS管击穿电流较大,尤其在动力电池最大电压与IGBT电压应力相差不大的场合,过载工况会导致TVS管频繁进行钳位,致使TVS管存在失效的风险,并且其绝大数为短路失效模式,一旦失效,驱动电路、IGBT模块会直接损坏。上述第二种有源钳位电路中反馈通道经过推挽电路增大了延时时间,导致动态响应变慢,尤其在相间短路这类恶劣工况下,产生的电压超调有击穿IGBT的风险。上述第三种有源钳位电路中引入的二极管,同样为短路失效模式,将对驱动电路构成威胁。另外,上述前两种方案通常需要适当地提高 ...
【技术保护点】
一种抑制IGBT关断尖峰的有源钳位电路,包括推挽电路和瞬态电压抑制二极管单元,所述推挽电路连接于驱动器件的输出端和IGBT器件的门极之间,所述瞬态电压抑制二极管单元连接于所述IGBT器件的集电极和门极之间,其特征在于,所述有源钳位电路还包括连接于所述推挽电路的输入端和输出端之间的第一电阻。
【技术特征摘要】
1.一种抑制IGBT关断尖峰的有源钳位电路,包括推挽电路和瞬态电压抑制二极管单元,所述推挽电路连接于驱动器件的输出端和IGBT器件的门极之间,所述瞬态电压抑制二极管单元连接于所述IGBT器件的集电极和门极之间,其特征在于,所述有源钳位电路还包括连接于所述推挽电路的输入端和输出端之间的第一电阻。2.根据权利要求1所述的抑制IGBT关断尖峰的有源钳位电路,其特征在于,所述第一电阻为金膜电阻。3.根据权利要求1所述的抑制IGBT关断尖峰的有源钳位电路,其特征在于,所述第一电阻的阻值为20-100欧姆。4.根据权利要求1所述的抑制IGBT关断尖峰的有源钳位电路,其特征在于,所述瞬态电压抑制二极管单元包括一个单向瞬态电压抑制二极管以及一个双向瞬态电压抑制二极管,所述单向瞬态电压抑制二极管的阴极连接所述IGBT器件的集电极,所述单向瞬态电压抑制二极管的阳极经由所述双向瞬态电压抑制二极管连接所述IGBT器件的门极。5.根据权利要求1所述的抑制IGBT关断尖峰的有...
【专利技术属性】
技术研发人员:徐涛涛,丁鹏岭,
申请(专利权)人:苏州汇川联合动力系统有限公司,
类型:新型
国别省市:江苏,32
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