一种自谐振射频功率源制造技术

本申请提供了一种自谐振射频功率源，包括：场效应管、功率耦合控制单元、频率选择单元、第一匹配电路、第二匹配电路及第三匹配电路；其中，所述场效应管、所述第一匹配电路、所述功率耦合控制单元、第二匹配电路、所述频率选择单元及所述第三匹配电路依次连接构成反馈环路；当所述反馈环路达到反馈深度和相位的条件时，所述场效应管自发大功率震荡，从而产生在需要工作频率范围内的功率信号。

A self resonating RF power source

The invention provides a self resonant RF power source, including: FET, power coupling control unit, frequency selection unit, a first matching circuit, second matching circuit and three matching circuit; wherein, the FET, the first matching circuit, the power coupling matching circuit, control unit, second the frequency selection unit and the third matching circuit are connected to form a feedback loop; when the feedback loop to achieve feedback depth and phase conditions, the high power FET spontaneous shocks, resulting in power signal in the frequency range of the need to work in.

【技术实现步骤摘要】
一种自谐振射频功率源
本专利技术涉及半导体
，更具体地说，涉及一种自谐振射频功率源。
技术介绍
现有生活中，射频功率源目前已广泛应用与生活，工业等领域中，随着科学技术的高速发展，市场竞争愈加激烈，对射频功率源提出更多的要求，开发适应时代的射频功率源将会是时代主流。传统的射频功率源采用锁相环产品，通过将低功率频率经过滤波处理，再通过调相位和调振幅芯片后，再通过三级到四级的放大，才输出至较大功率。为了实现输出大功率，传统的射频功率源所用器件多，成本高。
技术实现思路
为解决上述问题，本专利技术提供了一种一种自谐振射频功率源，该自谐振射频功率源所用器件少，成本低。为实现上述目的，本专利技术提供如下技术方案：一种自谐振射频功率源，包括：场效应管、功率耦合控制单元、频率选择单元、第一匹配电路、第二匹配电路及第三匹配电路；其中，所述场效应管、所述第一匹配电路、所述功率耦合控制单元、第二匹配电路、所述频率选择单元及所述第三匹配电路依次连接构成反馈环路；所述第一匹配电路、所述第二匹配电路及所述第三匹配电路用于使所述场效应管、所述功率耦合控制单元及所述频率选择单元三者之间匹配连接；所述功率耦合控制单元用于控制反馈到所述功率耦合控制单元的输入功率的大小；所述频率选择单元用于选择在工作频率范围内的频率并返回给所述频率选择单元；当所述反馈环路达到反馈深度和相位的条件时，所述场效应管自发震荡，从而产生在需要工作频率范围内的功率信号。优选的，在上述自谐振射频功率源中，所述场效应管、所述第一匹配电路、所述功率耦合控制单元、第二匹配电路、所述频率选择单元及所述第三匹配电路依次连接构成反馈环路包括：所述场效应管的漏极与所述第一匹配电路一端连接，所述第一匹配电路另一端与所述功率耦合控制单元一端连接，所述功率耦合控制单元另一端与所述第二匹配电路一端连接，所述第二匹配电路另一端与所述频率选择单元一端连接，所述频率选择单元另一端与所述第三匹配电路一端连接，所述第三匹配电路另一端与所述场效应管的栅极连接构成反馈环路；所述场效应管的源极与接地端连接。优选的，在上述自谐振射频功率源中，还包括：单片机，所述单片机的输出端与所述场效应管的漏极连接。优选的，在上述自谐振射频功率源中，还包括：当所述单片机在所述场效应管的漏极输出不同的栅极电压时，可以控制所述自谐振射频功率源在工作频率范围内的工作频率。优选的，在上述自谐振射频功率源中，当所述单片机在所述场效应管的漏极输出不同的栅极电压时，可以控制所述自谐振射频功率源在工作频率范围内的工作频率包括：当所述单片机在所述场效应管的漏极输出不同的栅极电压，通过改变所述场效应管的寄生参数，再配合所述频率选择单元及所述功率耦合控制单元，进而控制所述自谐振射频功率源在工作频率范围内的工作频率。优选的，在上述自谐振射频功率源中，所述寄生参数包括：栅极寄生对地电容、栅极寄生对地电阻及漏极寄生对地电容。优选的，在上述自谐振射频功率源中，还包括：当所述单片机在所述场效应管的漏极输出不同的漏极电压时，可以改变所述自谐振射频功率源的工作功率的大小。优选的，在上述自谐振射频功率源中，当所述单片机在所述场效应管的漏极输出不同的漏极电压时，可以改变所述自谐振射频功率源在工作频率范围内的工作功率的大小包括：当所述单片机在所述场效应管的漏极输出不同的漏极电压，通过改变所述场效应管的饱和输出功率，在配合所述频率选择单元及所述功率耦合控制单元，可以改变所述自谐振射频功率源在工作频率范围内的工作频率的大小。通过上述描述可知，本专利技术提供的一种自谐振射频功率源，包括：场效应管、功率耦合控制单元、频率选择单元、第一匹配电路、第二匹配电路及第三匹配电路；其中，所述场效应管、所述第一匹配电路、所述功率耦合控制单元、第二匹配电路、所述频率选择单元及所述第三匹配电路依次连接构成反馈环路；所述第一匹配电路、所述第二匹配电路及所述第三匹配电路用于使所述场效应管、所述功率耦合控制单元及所述频率选择单元三者之间匹配连接；所述功率耦合控制单元用于控制反馈到所述功率耦合控制单元的输入功率的大小；所述频率选择单元用于选择在工作频率范围内的频率并返回给所述频率选择单元；当所述反馈环路达到反馈深度和相位的条件时，所述场效应管自发震荡，从而产生在需要工作频率范围内的功率信号。根据
技术介绍
可知，传统的射频功率源采用锁相环产品，通过将低功率频率经过滤波处理，再通过调相位和调振幅芯片后，再通过三级到四级的放大，才输出至较大功率。为了实现输出大功率，传统的射频功率源所用器件多，成本高。而本专利技术提供的自谐振射频功率源，充分利用一个场效应管半导体芯片的各种特性，在加电时，所述场效应管在所述频率选择单元及所述功率耦合控制单元的配合下，自动产生大功率震荡，且稳定输出在大于1W的射频功率，同时当改变自身寄生参数时，可以达到震荡频率调节控制的目的。因此本专利技术提供的自谐振射频功率源，所用器件少，进而成本低。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据提供的附图获得其他的附图。图1为本申请实施例提供的一种自谐振射频功率源自谐振产生大功率的框架结构图；图2为本申请实施例提供的一种自谐振射频功率源达到控制工作频率的框架结构图；图3为本申请实施例提供的一种自谐振射频功率源达到控制工作功率的框架结构图。具体实施方式下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。根据
技术介绍
可知，传统的射频功率源采用锁相环产品，通过将低功率频率经过滤波处理，再通过调相位和调振幅芯片后，再通过三级到四级的放大，才输出至较大功率。为了实现输出大功率，传统的射频功率源所用器件多，成本高。为了解决上述问题，本专利技术实施例提供了一种自谐振射频功率源，该自谐振射频功率源包括：场效应管、功率耦合控制单元、频率选择单元、第一匹配电路、第二匹配电路及第三匹配电路；其中，所述场效应管、所述第一匹配电路、所述功率耦合控制单元、第二匹配电路、所述频率选择单元及所述第三匹配电路依次连接构成反馈环路；所述第一匹配电路、所述第二匹配电路及所述第三匹配电路用于使所述场效应管、所述功率耦合控制单元及所述频率选择单元三者之间匹配连接；所述功率耦合控制单元用于控制反馈到所述功率耦合控制单元的输入功率的大小；所述频率选择单元用于选择在工作频率范围内的频率并返回给所述频率选择单元；当所述反馈环路达到反馈深度和相位的条件时，所述场效应管自发震荡，从而产生在需要工作频率范围内的功率信号。通过上述描述可知，本专利技术提供的一种自谐振射频。充分利用一个场效应管半导体芯片的各种特性，在加电时，所述场效应管在所述频率选择单元及所述功率耦合控制单元的配合下，自动产生大功率震荡，且稳定输出在大于1W的射频功率。所用器件少，成本低。为了更加详细的说明本专利技术实施例，下面结合附图对本专利技术实施例进行具本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种自谐振射频功率源，其特征在于，包括：场效应管、功率耦合控制单元、频率选择单元、第一匹配电路、第二匹配电路及第三匹配电路；其中，所述场效应管、所述第一匹配电路、所述功率耦合控制单元、第二匹配电路、所述频率选择单元及所述第三匹配电路依次连接构成反馈环路；所述第一匹配电路、所述第二匹配电路及所述第三匹配电路用于使所述场效应管、所述功率耦合控制单元及所述频率选择单元三者之间匹配连接；所述功率耦合控制单元用于控制反馈到所述功率耦合控制单元的输入功率的大小；所述频率选择单元用于选择在工作频率范围内的频率并返回给所述频率选择单元；当所述反馈环路达到反馈深度和相位的条件时，所述场效应管自发震荡，从而产生在需要工作频率范围内的功率信号。

【技术特征摘要】
1.一种自谐振射频功率源，其特征在于，包括：场效应管、功率耦合控制单元、频率选择单元、第一匹配电路、第二匹配电路及第三匹配电路；其中，所述场效应管、所述第一匹配电路、所述功率耦合控制单元、第二匹配电路、所述频率选择单元及所述第三匹配电路依次连接构成反馈环路；所述第一匹配电路、所述第二匹配电路及所述第三匹配电路用于使所述场效应管、所述功率耦合控制单元及所述频率选择单元三者之间匹配连接；所述功率耦合控制单元用于控制反馈到所述功率耦合控制单元的输入功率的大小；所述频率选择单元用于选择在工作频率范围内的频率并返回给所述频率选择单元；当所述反馈环路达到反馈深度和相位的条件时，所述场效应管自发震荡，从而产生在需要工作频率范围内的功率信号。2.根据权利要求1所述的自谐振射频功率源，其特征在于，所述场效应管、所述第一匹配电路、所述功率耦合控制单元、第二匹配电路、所述频率选择单元及所述第三匹配电路依次连接构成反馈环路包括：所述场效应管的漏极与所述第一匹配电路一端连接，所述第一匹配电路另一端与所述功率耦合控制单元一端连接，所述功率耦合控制单元另一端与所述第二匹配电路一端连接，所述第二匹配电路另一端与所述频率选择单元一端连接，所述频率选择单元另一端与所述第三匹配电路一端连接，所述第三匹配电路另一端与所述场效应管的栅极连接构成反馈环路；所述场效应管的源极与接地端连接。3.根据权利要求1所述的自谐振射频功率源，其特征在于，还包括：单片机...

【专利技术属性】
技术研发人员：竹磊，卓英浩，
申请(专利权)人：苏州远创达科技有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏,32