利用等离子体原子层沉积法的氮化硅薄膜的制造方法技术

本发明专利技术涉及利用等离子体原子层沉积法的氮化硅薄膜的制造方法，更详细而言，用于提供如下的氮化硅薄膜的制造方法，将具有特定Si‑N键的氨基硅烷衍生物适用于等离子体原子层沉积法，从而在更低功率和成膜温度条件下制造高品质的包含Si‑N键的氮化硅薄膜。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】利用等离子体原子层沉积法的氮化硅薄膜的制造方法
本专利技术涉及一种利用等离子体原子层沉积法的氮化硅薄膜的制造方法，更详细而言，涉及一种通过利用低功率的等离子体的等离子体原子层沉积法的高纯度的氮化硅薄膜的制造方法。
技术介绍
包含氮化硅(SiN)薄膜和硅碳氮(SiCN)薄膜的含有Si-N的绝缘膜具有对氟化氢(HF)的高耐性。因此，在存储器和高密度集成电路(largescaleintegratedcircuit:LSI)等半导体装置的制造工序中，可以用作对氧化硅(SiO2)薄膜等进行蚀刻时的蚀刻停止层和防止栅电极的电阻值的偏差增大或掺杂剂的扩散的膜等。特别是要求在形成栅电极后氮化硅膜的成膜温度的低温化。例如，在形成栅电极后，使氮化硅膜成膜时，要求其成膜温度低于利用现有的LP-CVD(低压化学气相沉积，LowPressure-ChemicalVaporDeposition)法时的成膜温度760℃、或利用ALD(原子层沉积，AtomicLayerDeposition)法时的成膜温度550℃。ALD法为在任意的成膜条件(温度、时间等)下，将成为用于成膜的2种(或其以上)原料的气体交替地逐一供给本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种利用等离子体增强原子层沉积即PEALD的氮化硅薄膜的制造方法，其特征在于，包括：使氨基硅烷衍生物或硅氮烷衍生物吸附于基板上的第1步骤；以及，向所述基板注入反应气体而生成等离子体，从而形成Si‑N键的原子层的第2步骤，所述等离子体的功率Pp1和照射量PD满足下述条件，50W≤Pp1≤300W1.0Wsec/cm

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2015.08.12 KR 10-2015-01137591.一种利用等离子体增强原子层沉积即PEALD的氮化硅薄膜的制造方法，其特征在于，包括：使氨基硅烷衍生物或硅氮烷衍生物吸附于基板上的第1步骤；以及，向所述基板注入反应气体而生成等离子体，从而形成Si-N键的原子层的第2步骤，所述等离子体的功率Pp1和照射量PD满足下述条件，50W≤Pp1≤300W1.0Wsec/cm2≤PD≤4.0Wsec/cm2。2.根据权利要求1所述的氮化硅薄膜的制造方法，其中，所述等离子体照射1至20sec。3.根据权利要求2所述的氮化硅薄膜的制造方法，其中，满足75至150W范围的等离子体的功率Pp1和2至3.5Wsec/cm2范围的照射量PD。4.根据权利要求2所述的绝缘膜的制造方法，其中，形成所述原子层时的压力为0.1至100托。5.根据权利要求1所述的绝缘膜的制造方法，其中，所述基板的温度为...

【专利技术属性】
技术研发人员：张世珍，李相道，赵晟佑，金成基，杨炳日，昔壮衒，李相益，金铭云，
申请(专利权)人：DNF有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国,KR