应用于半导体设备的气体喷射装置制造方法及图纸

一种应用于半导体设备的气体喷射装置，其包含底板、中心套盖、进气本体、内环盖及外环盖。底板包含中心区域及多个通道，通道以中心区域为中心而依序相邻环设于底板上，且通道包含多个第一、第二及第三通道。中心套盖配置于中心区域上且与底板形成第一进气腔体，其中中心套盖的环壁套接于通道上，且具有多个第一连通开口，以分别对应连接至第一通道。进气本体具有顶部、内环壁及外环壁，外环盖配置于通道上并且介于内环壁与外环壁之间。本发明专利技术目的之一在于提出一种应用于半导体设备的自动化气体喷射装置，使得输出气体可具有水平多向的分隔分布流动，并且避免气体在喷射处即相互产生混合，同时亦提供可有效即时调整其气体流速。

A gas injection device used in semiconductor equipment

A gas injection device used in a semiconductor device consists of a bottom plate, a center cover, an inlet body, an inner ring cover and an outer ring cover. The bottom plate contains central area and multiple channels. The center of the channel is centered on the central area, and the adjacent ring is located on the bottom plate, and the channel contains multiple first, second and three channels. The center sleeve is arranged on the central area and forms the first intake cavity with the bottom plate, wherein the ring wall of the central sleeve cover is connected to the channel, and has a plurality of first connected openings, which are correspondingly connected to the first channel. The intake body has the top, inner ring wall and outer ring wall, and the outer ring cover is arranged on the channel and is between the inner ring wall and the outer ring wall. One purpose of the invention is to put forward a kind of automatic gas in semiconductor equipment injection device, so that the output flow distribution of gas can be separated with multidirectional horizontal, and avoid the gas in the jet is generated at the same time provide a hybrid, can effectively adjust the instant gas velocity.

【技术实现步骤摘要】
应用于半导体设备的气体喷射装置
本专利技术有关一种气体喷射装置，特别是关于一种应用于半导体设备的气体喷射装置。
技术介绍
在目前常见的半导体制造工艺的化学气相沉积(CVD)系统设备中，其气体喷射装置以垂直堆叠的分隔方式，将气源气体传送至反应室。举例而言，请参照第一图，其绘示一般传统应用于化学气相沉积(CVD)制程设备的结构侧视图。气体喷射装置100包含第一输入管道111、第二输入管道112及第三输入管道113，其采用垂直分隔的配置方式，如此一来第一输入管道111、第二输入管道112及第三输入管道113的输出端之间相互垂直堆叠配置，致使所输出气体仅能提供单向垂直分层分布流动，且气体容易在输出端处即相互产生混合，同时输出气体的流速亦难以即时调整控制。因此，亟需发展出一种应用于半导体设备的自动化气体喷射装置，使其输出气体具有水平分布流动，并且避免输出气体相互间在输出端处即产生混合，同时提供气体流速调整机制。
技术实现思路
鉴于上述，本专利技术实施例的目的之一在于提出一种应用于半导体设备的自动化气体喷射装置，使得输出气体可具有水平多向的分隔分布流动，并且避免气体在喷射处即相互产生混合，同时亦提供可有效即时调整其气体流速。根据本专利技术实施例，一种应用于半导体设备的气体喷射装置，其包含底板、中心套盖、进气本体、内环盖及外环盖。底板包含中心区域及多个通道，而通道以中心区域为中心而依序相邻环设于底板上，且通道亦包含多个第一通道、多个第二通道及多个第三通道。中心套盖则配置于中心区域上且与底板形成第一进气腔体，其中中心套盖的环壁套接于通道上，且中心套盖的环壁具有多个第一连通开口，设置以分别对应连接至第一通道。进气本体具有顶部、内环壁及外环壁，其中内环壁及外环壁的顶面连接于顶部，而内环壁及外环壁的底面则配置于通道上。内环盖配置于通道上并且介于中心套盖与内环壁之间，以形成第二进气腔体，其中内环盖具有多个第二连通开口，设置以分别对应连接至第二通道。外环盖配置于通道上并且介于内环壁与外环壁之间，以形成第三进气腔体，其中外环盖具有多个第三连通开口，设置以分别对应连接至第三通道。上述的应用于半导体设备的气体喷射装置，其中该底板包含多个分隔板，用以间隔该些通道。上述的应用于半导体设备的气体喷射装置，其中该些第一通道、该些第二通道及该些第三通道的数量皆为N个，其中N为正整数。上述的应用于半导体设备的气体喷射装置，其中该些第一通道、该些第二通道及该些第三通道依序间隔邻接重复配置。上述的应用于半导体设备的气体喷射装置，其中该进气本体更包含：第一输入管道，穿设该进气本体的顶部并且连通至该中心套盖，用以提供第一气体至该第一进气腔体；第二输入管道，设置于该进气本体的顶部且连通至该第二进气腔体，用以提供第二气体至该第二进气腔体；及第三输入管道，设置于该进气本体的顶部且连通至该第三进气腔体，用以提供第三气体至该第三进气腔体。上述的应用于半导体设备的气体喷射装置，其中该中心套盖的外侧具有多个卡槽，用对应卡接于该些通道的分隔板的一端。上述的应用于半导体设备的气体喷射装置，其中该内环盖包含：多个子内环盖件；多个子内环连接件，其中每一该些子内环连接件，连接两相邻的该些子内环盖件，并且用以形成该些第二连通开口于该些子内环盖件之间。上述的应用于半导体设备的气体喷射装置，其中该外环盖包含多个子外环盖件；多个子外环连接件，其中每一该些子外环连接件，连接两相邻的该些子外环盖件，并且用以形成该些第三连通开口于该些子外环盖件之间。上述的应用于半导体设备的气体喷射装置，更包含通道盖板，配置于该些通道上，并且环设该进气本体。上述的应用于半导体设备的气体喷射装置，其中该通道盖板包含：盖板本体，环设该进气本体；及多个调整片，依序间隔连接于该盖板本体的外侧，每一该些调整片对应遮盖每一该些通道，其中该些调整片包含多个第一调整片、多个第二调整片及多个第三调整片，分别设置对应遮盖该些第一通道、该些第二通道及该些第三通道。上述的应用于半导体设备的气体喷射装置，其中每一该些调整片的厚度小于0.5厘米。上述的应用于半导体设备的气体喷射装置，更包含调节单元，用以调节该些通道的通道截面积，其中该调节单元包含：多个第一调节器，设置于该些第一调整片上，用以调整该些第一调整片的偏折弯曲率；多个第二调节器，设置于该些第二调整片上，用以调整该些第二调整片的偏折弯曲率；及多个第三调节器，设置于该些第三调整片上，用以调整该些第三调整片的偏折弯曲率。上述的应用于半导体设备的气体喷射装置，其中该些第一调节器、该些第二调节器及该些第三调节器为直动装置(LinearMotionDevice)。附图说明图1绘示一般传统应用于化学气相沉积(CVD)制程设备的结构侧视图。图2A与图2B分别显示本专利技术一实施例的一种应用于半导体设备的气体喷射装置的元件分解图与组合结构部分剖面图。图2C绘示图2A中的中心套盖组装于底板的组合结构示意图。图2D绘示图2A中的内环盖及外环盖组装于底板的组合结构示意图。图2E绘示本专利技术另一实施例的一种应用于半导体设备的气体喷射装置的组合结构部分剖面图。【主要组件符号说明】100：气体喷射装置111：第一输入管道112：第二输入管道113：第三输入管道200：气体喷射装置210：底板212：中心区域214：通道214A：第一通道214B：第二通道214C：第三通道216：分隔板220：中心套盖222：第一连通开口224：卡槽226：连接卡槽230：进气本体232：顶部234：内环壁236：外环壁237A：第一输入管道237B：第二输入管道237C：第三输入管道238A：第一圆孔238B：第二圆孔238C：第三圆孔240：内环盖242：第二连通开口244：子内环盖件246：内环连接件250：外环盖252：第三连通开口254：子外环盖件256：外环连接件260A：第一进气腔体260B：第二进气腔体260C：第三进气腔体270：调节单元272A：第一调节器272B：第二调节器272C：第三调节器280：固定板290：通道盖板291：盖板本体292：调整片292A：第一调整片292B：第二调整片292C：第三调整片具体实施方式请参考图2A及图2B，其分别显示本专利技术一实施例的一种应用于半导体设备的气体喷射装置的元件分解图与组合结构部分剖面图。如图所示，一种应用于半导体设备的气体喷射装置200，其包含底板210、中心套盖220、进气本体230、内环盖240及外环盖250。底板210包含中心区域212及多个通道214，而通道214以中心区域212为中心而依序相邻环设于底板210上，且通道214亦包含多个第一通道214A、多个第二通道214B及多个第三通道214C。中心套盖220配置于中心区域212上且与底板210形成第一进气腔体260A，其中中心套盖220的环壁套接于通道214的一端，且中心套盖220的环壁具有多个第一连通开口222，设置以分别对应连接至第一通道214A。进气本体230具有顶部232、内环壁234及外环壁236，其中内环壁234及外环壁236的顶面连接于顶部232，而内环壁234及外环壁236的底面则配置于通道214上。内环盖240配置于通道214上并且介于中心套盖220与内环壁234之间，以形成第二进本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种应用于半导体设备的气体喷射装置，其特征在于，包含：底板，包含中心区域及多个通道，其中该些通道是以该中心区域为中心而依序相邻环设于该底板上，且该些通道包含多个第一通道、多个第二通道及多个第三通道；中心套盖，配置于该中心区域上且与该底板形成第一进气腔体，其中该中心套盖的环壁套接于该些通道，且具有多个第一连通开口，设置以分别对应连接至该些第一通道；进气本体，具有顶部、内环壁及外环壁，其中该内环壁及该外环壁的顶面连接于该顶部，该内环壁及该外环壁的底面则配置于该些通道上；内环盖，配置于该些通道上并且介于该中心套盖与该内环壁之间，以形成第二进气腔体，其中该内环盖具有多个第二连通开口，设置以分别对应连接至该些第二通道；外环盖，配置于该些通道上并且介于该内环壁与该外环壁之间，以形成第三进气腔体，其中该外环盖具有多个第三连通开口，设置以分别对应连接至该些第三通道。

【技术特征摘要】
2016.09.30 TW 1051317601.一种应用于半导体设备的气体喷射装置，其特征在于，包含：底板，包含中心区域及多个通道，其中该些通道是以该中心区域为中心而依序相邻环设于该底板上，且该些通道包含多个第一通道、多个第二通道及多个第三通道；中心套盖，配置于该中心区域上且与该底板形成第一进气腔体，其中该中心套盖的环壁套接于该些通道，且具有多个第一连通开口，设置以分别对应连接至该些第一通道；进气本体，具有顶部、内环壁及外环壁，其中该内环壁及该外环壁的顶面连接于该顶部，该内环壁及该外环壁的底面则配置于该些通道上；内环盖，配置于该些通道上并且介于该中心套盖与该内环壁之间，以形成第二进气腔体，其中该内环盖具有多个第二连通开口，设置以分别对应连接至该些第二通道；外环盖，配置于该些通道上并且介于该内环壁与该外环壁之间，以形成第三进气腔体，其中该外环盖具有多个第三连通开口，设置以分别对应连接至该些第三通道。2.根据权利要求1所述的应用于半导体设备的气体喷射装置，其特征在于，其中该底板包含多个分隔板，用以间隔该些通道。3.根据权利要求1所述的应用于半导体设备的气体喷射装置，其特征在于，其中该些第一通道、该些第二通道及该些第三通道的数量皆为N个，其中N为正整数。4.根据权利要求3所述的应用于半导体设备的气体喷射装置，其特征在于，其中该些第一通道、该些第二通道及该些第三通道依序间隔邻接重复配置。5.根据权利要求1所述的应用于半导体设备的气体喷射装置，其特征在于，其中该进气本体更包含：第一输入管道，穿设该进气本体的顶部并且连通至该中心套盖，用以提供第一气体至该第一进气腔体；第二输入管道，设置于该进气本体的顶部且连通至该第二进气腔体，用以提供第二气体至该第二进气腔体；及第三输入管道，设置于该进气本体的顶部且连通至该第三进气腔体，用以提供第三气体至该第三进气腔体。6.根据权利要求1所述的应用于半...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄灿华，林伯融，
申请(专利权)人：汉民科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71