一种图像传感器及其形成方法技术

一种图像传感器及其形成方法，所述图像传感器包括：半导体衬底，所述半导体衬底内具有光电二极管；介质层，所述介质层位于所述半导体衬底表面，所述介质层内形成有光电转换薄膜；其中，所述光电转换薄膜的位置与所述光电二极管的位置一一对应，以使得穿过所述光电二极管的光线传输至对应的光电转换薄膜。通过本发明专利技术提供的方案能够有效提高图像传感器的量子效率。

An image sensor and its formation method

An image sensor and a method of forming the image sensor includes a semiconductor substrate, the semiconductor substrate having a photo diode; dielectric layer, the dielectric layer is positioned on the surface of the semiconductor substrate, a photoelectric conversion film formed above the dielectric layer; wherein, the photoelectric conversion film with the location of the photo the diode position corresponding to the photoelectric conversion of light transmission to the corresponding film through the photodiode. The scheme provided by the invention can effectively improve the quantum efficiency of the image sensor.

【技术实现步骤摘要】
一种图像传感器及其形成方法
本专利技术涉及半导体制造
，尤其涉及一种图像传感器及其形成方法。
技术介绍
图像传感器是将光学图像信号转换为电信号的半导体器件。在种类繁多的图像传感器中，互补金属氧化物半导体(ComplementaryMetalOxideSemiconductor，简称CMOS)图像传感器因其体积小、功耗低、价格低廉的优点而得到广泛应用。现有的CMOS图像传感器主要包括前照式(Front-sideIllumination，简称FSI)CMOS图像传感器和后照式(Back-sideIllumination，简称BSI)CMOS图像传感器两种。其中，后照式CMOS图像传感器因其更好的光电转换效果(即量子转化效率高)而获得的更广泛的应用，所述后照式CMOS图像传感器也可以称为背照式CMOS图像传感器。但是，在实际应用中，光线在到达CMOS图像传感器的感光二极管(也可称为光电二极管)后，还存在着少量的光子(如波长较长的红光)会穿透感光二极管并进入到感光二极管以下的结构(例如金属层连线)中。这些少量光子的存在导致现有CMOS图像传感器无法完全吸收所有的进光量，影响器件的量子效本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种图像传感器，其特征在于，包括：半导体衬底，所述半导体衬底内具有光电二极管；介质层，所述介质层位于所述半导体衬底表面，所述介质层内形成有光电转换薄膜；其中，所述光电转换薄膜的位置与所述光电二极管的位置一一对应，以使得穿过所述光电二极管的光线传输至对应的光电转换薄膜。

【技术特征摘要】
1.一种图像传感器，其特征在于，包括：半导体衬底，所述半导体衬底内具有光电二极管；介质层，所述介质层位于所述半导体衬底表面，所述介质层内形成有光电转换薄膜；其中，所述光电转换薄膜的位置与所述光电二极管的位置一一对应，以使得穿过所述光电二极管的光线传输至对应的光电转换薄膜。2.根据权利要求1所述的图像传感器，其特征在于，所述光电转换薄膜为有机光电转换薄膜。3.根据权利要求1所述的图像传感器，其特征在于，所述半导体衬底内还形成有MOS晶体管，所述介质层覆盖所述MOS晶体管的栅极。4.根据权利要求1所述的图像传感器，其特征在于，所述光电转换薄膜的感光面积不小于对应的光电二极管的感光面积。5.根据权利要求1所述的图像传感器，其特征在于，所述光电二极管的输出端与对应的光电转换薄膜电连接。6.根据权利要求1所述的图像传感器，其特征在于，所述光电转换薄膜的边缘朝向对应的光电二极管弯折。7.一种图...

【专利技术属性】
技术研发人员：穆钰平，陈世杰，黄晓橹，
申请(专利权)人：德淮半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏,32